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公开(公告)号:TWI584434B
公开(公告)日:2017-05-21
申请号:TW099112293
申请日:2010-04-20
发明人: 徐嘉宏 , HSU, CHIA HUNG , 林青山 , LIN, CHING SAN , 陳進勇 , CHEN, CHIN YUNG
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/8101 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TWI423409B
公开(公告)日:2014-01-11
申请号:TW099112291
申请日:2010-04-20
发明人: 林青山 , LIN, CHING SAN
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11622 , H01L2224/11831 , H01L2224/11845 , H01L2224/13076 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13169 , H01L2224/1319 , H01L2224/13553 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81345 , H01L2224/81385 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TWI433227B
公开(公告)日:2014-04-01
申请号:TW099121747
申请日:2010-07-01
发明人: 林青山 , LIN, CHING SAN , 吳坤泰 , WU, KUN TAI , 汪志昭 , WANG, OWEN
IPC分类号: H01L21/304
CPC分类号: H01L22/34 , H01L21/78 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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4.半導體結構及其製造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题: 半导体结构及其制造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF公开(公告)号:TW201205747A
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:TW099124571
申请日:2010-07-26
申请人: 瑞鼎科技股份有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/114 , H01L2224/1161 , H01L2224/1182 , H01L2224/11825 , H01L2224/11826 , H01L2224/11827 , H01L2224/13008 , H01L2224/13016 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13564 , H01L2224/13565 , H01L2224/13644 , H01L2224/13686 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/83851 , H01L2224/9211 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要: 本發明提供一種半導體結構及其製造方法。此半導體結構包含半導體晶圓,半導體晶圓上具有多個半導體裝置的晶粒結構,其中每個晶粒結構包含晶粒本體、金屬線路層、凸塊及金屬層。金屬線路層形成於晶粒本體,凸塊於半導體前段製程形成於金屬線路層上而突出於晶粒本體,金屬層設置於凸塊相對於金屬線路層的一側上,其中金屬層的活性小於凸塊的活性。本發明半導體結構具有製造容易、節省成本等優點。
简体摘要: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。此半导体结构包含半导体晶圆,半导体晶圆上具有多个半导体设备的晶粒结构,其中每个晶粒结构包含晶粒本体、金属线路层、凸块及金属层。金属线路层形成于晶粒本体,凸块于半导体前段制程形成于金属线路层上而突出于晶粒本体,金属层设置于凸块相对于金属线路层的一侧上,其中金属层的活性小于凸块的活性。本发明半导体结构具有制造容易、节省成本等优点。
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5.積體電路晶圓切割方法 INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD 审中-公开
简体标题: 集成电路晶圆切割方法 INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD公开(公告)号:TW201203333A
公开(公告)日:2012-01-16
申请号:TW099121747
申请日:2010-07-01
申请人: 瑞鼎科技股份有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L22/34 , H01L21/78 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 一種積體電路晶圓切割方法,包含以下步驟:於晶圓基板形成複數個積體電路以及複數個測試鍵,其中,測試鍵分別形成於積體電路之間;於晶圓基板上形成圖案化保護層,圖案化保護層覆蓋複數個積體電路並暴露複數個測試鍵;使用圖案化保護層做為遮罩,蝕刻去除測試鍵;以及切割積體電路之間之區域,以形成複數個積體電路晶粒。
简体摘要: 一种集成电路晶圆切割方法,包含以下步骤:于晶圆基板形成复数个集成电路以及复数个测试键,其中,测试键分别形成于集成电路之间;于晶圆基板上形成图案化保护层,图案化保护层覆盖复数个集成电路并暴露复数个测试键;使用图案化保护层做为遮罩,蚀刻去除测试键;以及切割集成电路之间之区域,以形成复数个集成电路晶粒。
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6.晶片結構及其晶片接合結構與製造方法 CHIP STRUCTURE, CHIP BONDING STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHODS THEREOF 审中-公开
简体标题: 芯片结构及其芯片接合结构与制造方法 CHIP STRUCTURE, CHIP BONDING STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHODS THEREOF公开(公告)号:TW201138035A
公开(公告)日:2011-11-01
申请号:TW099112291
申请日:2010-04-20
申请人: 瑞鼎科技股份有限公司
发明人: 林青山
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11622 , H01L2224/11831 , H01L2224/11845 , H01L2224/13076 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13169 , H01L2224/1319 , H01L2224/13553 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81345 , H01L2224/81385 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 本發明提供一種晶片結構及其晶片接合結構與製造方法。此晶片結構包含晶片、凸塊及絕緣層。複數個凸塊設置於晶片上,分別包含彼此相連接且具有不同的活性的第一凸塊部及第二凸塊部。本發明以對凸塊進行化學反應處理的方式,使絕緣層形成於第一凸塊部與第二凸塊部中具有較高活性者的表面上,藉以避免相鄰的凸塊之間產生短路。
简体摘要: 本发明提供一种芯片结构及其芯片接合结构与制造方法。此芯片结构包含芯片、凸块及绝缘层。复数个凸块设置于芯片上,分别包含彼此相连接且具有不同的活性的第一凸块部及第二凸块部。本发明以对凸块进行化学反应处理的方式,使绝缘层形成于第一凸块部与第二凸块部中具有较高活性者的表面上,借以避免相邻的凸块之间产生短路。
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7.具疏通空缺的電子晶片與基板 ELECTRONIC CHIP AND SUBSTRATE WITH VOID 审中-公开
简体标题: 具疏通空缺的电子芯片与基板 ELECTRONIC CHIP AND SUBSTRATE WITH VOID公开(公告)号:TW201123377A
公开(公告)日:2011-07-01
申请号:TW098143123
申请日:2009-12-16
申请人: 瑞鼎科技股份有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L24/83 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/29 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/29 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/83101 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01033 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H05K3/323 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2924/00
摘要: 本發明提供一種電子晶片,其中包含複數個導電接腳。該等導電接腳係設置於該電子晶片之一外表面,並係透過一導電膠提供該電子晶片與一外部電路間之複數個電性連接。該等導電接腳中之一第一導電接腳係鄰近於一第二導電接腳,並且該第一導電接腳鄰近於該第二導電接腳之一角落形成有一第一疏通缺口,為該導電膠中之至少一導電粒子提供一流通空間。
简体摘要: 本发明提供一种电子芯片,其中包含复数个导电接脚。该等导电接脚系设置于该电子芯片之一外表面,并系透过一导电胶提供该电子芯片与一外部电路间之复数个电性连接。该等导电接脚中之一第一导电接脚系邻近于一第二导电接脚,并且该第一导电接脚邻近于该第二导电接脚之一角落形成有一第一疏通缺口,为该导电胶中之至少一导电粒子提供一流通空间。
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8.晶粒結構及晶粒接合方法 DIE STRUCTURE AND DIE CONNECTING METHOD 审中-公开
简体标题: 晶粒结构及晶粒接合方法 DIE STRUCTURE AND DIE CONNECTING METHOD公开(公告)号:TW201138036A
公开(公告)日:2011-11-01
申请号:TW099112293
申请日:2010-04-20
申请人: 瑞鼎科技股份有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/8101 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要: 本發明提供一種晶粒結構及一種晶粒接合方法。晶粒結構包含晶粒以及凸塊結構。凸塊結構包含導電本體以及銲料層。導電本體設置於晶粒上。銲料層設置於導電本體上。晶粒接合方法,包含步驟如下:提供晶粒結構;提供電路基板;以及將晶粒結構之銲料層與電路基板之錫層一起熱銲於電路基板之銅塊表面。在不同實施例中,電路基板可省略設置錫層,而將銲料層直接熱銲於銅塊表面。
简体摘要: 本发明提供一种晶粒结构及一种晶粒接合方法。晶粒结构包含晶粒以及凸块结构。凸块结构包含导电本体以及焊料层。导电本体设置于晶粒上。焊料层设置于导电本体上。晶粒接合方法,包含步骤如下:提供晶粒结构;提供电路基板;以及将晶粒结构之焊料层与电路基板之锡层一起热焊于电路基板之铜块表面。在不同实施例中,电路基板可省略设置锡层,而将焊料层直接热焊于铜块表面。
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