積體電路晶圓切割方法 INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD
    5.
    发明专利
    積體電路晶圓切割方法 INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD 审中-公开
    集成电路晶圆切割方法 INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

    公开(公告)号:TW201203333A

    公开(公告)日:2012-01-16

    申请号:TW099121747

    申请日:2010-07-01

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種積體電路晶圓切割方法,包含以下步驟:於晶圓基板形成複數個積體電路以及複數個測試鍵,其中,測試鍵分別形成於積體電路之間;於晶圓基板上形成圖案化保護層,圖案化保護層覆蓋複數個積體電路並暴露複數個測試鍵;使用圖案化保護層做為遮罩,蝕刻去除測試鍵;以及切割積體電路之間之區域,以形成複數個積體電路晶粒。

    简体摘要: 一种集成电路晶圆切割方法,包含以下步骤:于晶圆基板形成复数个集成电路以及复数个测试键,其中,测试键分别形成于集成电路之间;于晶圆基板上形成图案化保护层,图案化保护层覆盖复数个集成电路并暴露复数个测试键;使用图案化保护层做为遮罩,蚀刻去除测试键;以及切割集成电路之间之区域,以形成复数个集成电路晶粒。