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    散熱型半導體封裝件及其所應用之散熱結構 HEAT-DISSIPATION SEMICONDUCTOR PACKAGE AND HEAT-DISSIPATION STRUCTURE THEREOF
    3.
    发明专利
    散熱型半導體封裝件及其所應用之散熱結構 HEAT-DISSIPATION SEMICONDUCTOR PACKAGE AND HEAT-DISSIPATION STRUCTURE THEREOF 审中-公开
    散热型半导体封装件及其所应用之散热结构 HEAT-DISSIPATION SEMICONDUCTOR PACKAGE AND HEAT-DISSIPATION STRUCTURE THEREOF

    公开(公告)号：TW200826258A

    公开(公告)日：2008-06-16

    申请号：TW095146576

    申请日：2006-12-13

    申请人： 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

    发明人： 陳錦德 CHEN, CHIN TE ,  楊格權 YANG, KE CHUAN ,  林長甫 LIN, CHANG FU

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

    摘要： 一種散熱型半導體封裝件及其所應用之散熱結構,該封裝件包括有晶片承載件、接置並電性連接至該晶片承載件之覆晶式半導體晶片、以及間隔一如銲錫(solder)材料之熱傳導介質材料(Thermal Interface Material,TIM)而接著於該覆晶式半導體晶片上之散熱片,其中於該散熱片上相對與熱傳導介質材料結著區域之周圍表面形成有凹槽,且該凹槽表面形成有如氧化金屬層之阻礙層,藉以降低該熱傳導介質材料之濕潤(wetting)能力,進而使熱傳導介質材料在加熱熔融時,不致濕潤至凹槽,確保熱傳導介質材料具足夠厚度而得與散熱片及覆晶式半導體晶片產生共金(entatic)結合。

    简体摘要： 一种散热型半导体封装件及其所应用之散热结构,该封装件包括有芯片承载件、接置并电性连接至该芯片承载件之覆晶式半导体芯片、以及间隔一如焊锡(solder)材料之热传导介质材料(Thermal Interface Material,TIM)而接着于该覆晶式半导体芯片上之散热片,其中于该散热片上相对与热传导介质材料结着区域之周围表面形成有凹槽,且该凹槽表面形成有如氧化金属层之阻碍层,借以降低该热传导介质材料之湿润(wetting)能力,进而使热传导介质材料在加热熔融时,不致湿润至凹槽,确保热传导介质材料具足够厚度而得与散热片及覆晶式半导体芯片产生共金(entatic)结合。

    具高散熱高電性之堆疊式半導體晶片封裝件及其製法 THERMALLY AND ELECTRICALLY ENHANCED STACKED SEMICONDUCTOR PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF
    4.
    发明专利
    具高散熱高電性之堆疊式半導體晶片封裝件及其製法 THERMALLY AND ELECTRICALLY ENHANCED STACKED SEMICONDUCTOR PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
    具高散热高电性之堆栈式半导体芯片封装件及其制法 THERMALLY AND ELECTRICALLY ENHANCED STACKED SEMICONDUCTOR PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

    公开(公告)号：TWI297538B

    公开(公告)日：2008-06-01

    申请号：TW092119210

    申请日：2003-07-15

    申请人： 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

    发明人： 陳錦德 CHEN, CHIN TE ,  林長甫 LIN, CHANG FU ,  邱世冠 CHIU, SHIH KUANG

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

    摘要： 一種具高散熱高電性之堆疊式半導體晶片封裝件及其
    製法,其係透過覆晶形式接置並電性連接至少一第一晶片
    於一晶片承載件之晶片接置區上。其次,於該第一晶片上
    形成一具有良好導熱與導電效果之傳導層。再者,接置並
    電性連接一導電及導熱效果良好之散熱件於該傳導層及該
    晶片承載件之接地區上,藉以透過該散熱件逸散該第一晶
    片運作時所產生的熱能並且得提供該第一晶片接地。接
    著,透過一介於一第二晶片非作用表面與該散熱件之黏著
    層接置該第二晶片於該散熱件上,該第二晶片復藉由複數
    之銲線分別與該散熱件及該晶片承載件電性連接。最後,
    形成一封裝膠體,俾包覆該第一晶片、第二晶片、散熱
    件、複數之銲線以及部分之晶片承載件。透過前述之封裝
    件及其製法,除得增進堆疊式半導體封裝件之散熱效果,
    並能提供晶片接地之功能。

    简体摘要： 一种具高散热高电性之堆栈式半导体芯片封装件及其 制法,其系透过覆晶形式接置并电性连接至少一第一芯片 于一芯片承载件之芯片接置区上。其次,于该第一芯片上 形成一具有良好导热与导电效果之传导层。再者,接置并 电性连接一导电及导热效果良好之散热件于该传导层及该 芯片承载件之接地区上,借以透过该散热件逸散该第一晶 片运作时所产生的热能并且得提供该第一芯片接地。接 着,透过一介于一第二芯片非作用表面与该散热件之黏着 层接置该第二芯片于该散热件上,该第二芯片复借由复数 之焊线分别与该散热件及该芯片承载件电性连接。最后, 形成一封装胶体,俾包覆该第一芯片、第二芯片、散热 件、复数之焊线以及部分之芯片承载件。透过前述之封装 件及其制法,除得增进堆栈式半导体封装件之散热效果, 并能提供芯片接地之功能。

    半導體晶片承載件結構 CHIP CARRIER FOR SEMICONDUCTOR CHIP
    6.
    发明专利
    半導體晶片承載件結構 CHIP CARRIER FOR SEMICONDUCTOR CHIP 有权
    半导体芯片承载件结构 CHIP CARRIER FOR SEMICONDUCTOR CHIP

    公开(公告)号：TWI241675B

    公开(公告)日：2005-10-11

    申请号：TW092122583

    申请日：2003-08-18

    申请人： 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

    发明人： 普翰屏 PU, HAN PING ,  林長甫 LIN, CHANG FU ,  黃建屏 HUANG, CHIEN PING

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311

    摘要： 一種半導體晶片承載件結構，其於一半導體晶片承載件用以接置半導體晶片之表面上形成有可銲結一凸塊且具有不等距間距之銲墊，用以提供一半導體晶片以覆晶方式接置並電性連接至該晶片承載件上。該承載件用以接置半導體晶片之表面上復形成有一具有開孔的拒銲劑層，其中對應於間距相對窄之凸塊銲墊的開孔處復形成有一向封裝件外側擴張之開孔擴張部。俾於底部填膠時降低空洞之產生。

    简体摘要： 一种半导体芯片承载件结构，其于一半导体芯片承载件用以接置半导体芯片之表面上形成有可焊结一凸块且具有不等距间距之焊垫，用以提供一半导体芯片以覆晶方式接置并电性连接至该芯片承载件上。该承载件用以接置半导体芯片之表面上复形成有一具有开孔的拒焊剂层，其中对应于间距相对窄之凸块焊垫的开孔处复形成有一向封装件外侧扩张之开孔扩张部。俾于底部填胶时降低空洞之产生。

    半導體晶片承載件結構 CHIP CARRIER FOR SEMICONDUCTOR CHIP
    8.
    发明专利
    半導體晶片承載件結構 CHIP CARRIER FOR SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
    半导体芯片承载件结构 CHIP CARRIER FOR SEMICONDUCTOR CHIP

    公开(公告)号：TW200509281A

    公开(公告)日：2005-03-01

    申请号：TW092122583

    申请日：2003-08-18

    申请人： 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

    发明人： 普翰屏 PU, HAN PING ,  林長甫 LIN, CHANG FU ,  黃建屏 HUANG, CHIEN PING

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311

    摘要： 一種半導體晶片承載件結構，其於一半導體晶片承載件用以接置半導體晶片之表面上形成有可銲結一凸塊且具有不等距間距之銲墊，用以提供一半導體晶片以覆晶方式接置並電性連接至該晶片承載件上。該承載件用以接置半導體晶片之表面上復形成有一具有開孔的拒銲劑層，其中對應於間距相對窄之凸塊銲墊的開孔處復形成有一向封裝件外側擴張之開孔擴張部。俾於底部填膠時降低空洞之產生。

    简体摘要： 一种半导体芯片承载件结构，其于一半导体芯片承载件用以接置半导体芯片之表面上形成有可焊结一凸块且具有不等距间距之焊垫，用以提供一半导体芯片以覆晶方式接置并电性连接至该芯片承载件上。该承载件用以接置半导体芯片之表面上复形成有一具有开孔的拒焊剂层，其中对应于间距相对窄之凸块焊垫的开孔处复形成有一向封装件外侧扩张之开孔扩张部。俾于底部填胶时降低空洞之产生。

    具散熱件之半導體封裝件 SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH HEAT SINK
    10.
    发明专利
    具散熱件之半導體封裝件 SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH HEAT SINK 审中-公开
    具散热件之半导体封装件 SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH HEAT SINK

    公开(公告)号：TW200428623A

    公开(公告)日：2004-12-16

    申请号：TW092115797

    申请日：2003-06-11

    申请人： 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

    发明人： 林長甫 LIN, CHANG FU ,  普翰屏 PU, HAN PING ,  黃建屏 HUANG, CHIEN PING

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/3672 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16315 ,  H01L2224/05599

    摘要： 一種具散熱件之半導體封裝件，係於基板上接設至少一晶片及覆接於該晶片之散熱件，該散熱件之與基板接合部份的至少一角端處開設有貫穿槽(Slot)，以使散熱件藉敷設於散熱件與基板之間且填入該貫穿槽中並溢出該貫穿槽之膠黏性材料而固接於基板上。藉由該貫穿槽之設置，使填入該貫穿槽中並溢出該貫穿槽之膠黏性材料得提供鎖定(Lock)之功能，同時增加膠黏性材料之黏著面積之故，而能使散熱件穩固定位於基板上。此外，開設於散熱件之角端處的貫穿槽亦可有效減緩該處之應力集中現象所造成之散熱件脫落問題。

    简体摘要： 一种具散热件之半导体封装件，系于基板上接设至少一芯片及覆接于该芯片之散热件，该散热件之与基板接合部份的至少一角端处开设有贯穿槽(Slot)，以使散热件藉敷设于散热件与基板之间且填入该贯穿槽中并溢出该贯穿槽之胶黏性材料而固接于基板上。借由该贯穿槽之设置，使填入该贯穿槽中并溢出该贯穿槽之胶黏性材料得提供锁定(Lock)之功能，同时增加胶黏性材料之黏着面积之故，而能使散热件稳固定位于基板上。此外，开设于散热件之角端处的贯穿槽亦可有效减缓该处之应力集中现象所造成之散热件脱落问题。