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公开(公告)号:TWI669810B
公开(公告)日:2019-08-21
申请号:TW104123938
申请日:2015-07-23
Applicant: 日商索尼半導體解決方案公司 , SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
Inventor: 井上晉 , INOUE, SUSUMU , 秋山健太郎 , AKIYAMA, KENTARO , 藤曲潤一郎 , FUJIMAGARI, JUNICHIRO , 石川慶太 , ISHIKAWA, KEITA , 小木純 , OGI, JUN , 田川幸雄 , TAGAWA, YUKIO , 中村卓矢 , NAKAMURA, TAKUYA , 脇山悟 , WAKIYAMA, SATORU
IPC: H01L27/146 , G02B3/00
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公开(公告)号:TW201725710A
公开(公告)日:2017-07-16
申请号:TW105132147
申请日:2016-10-05
Applicant: 索尼半導體解決方案公司 , SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
Inventor: 脇山悟 , WAKIYAMA, SATORU , 清水完 , SHIMIZU, KAN , 林利彦 , HAYASHI, TOSHIHIKO , 中村卓矢 , NAKAMURA, TAKUYA , 城直樹 , JYO, NAOKI
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/03828 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05082 , H01L2224/05157 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81065 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/8182 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 本發明揭示一種成像裝置,其包含一第一半導體元件,該第一半導體元件包含具有一凹形形狀之至少一凸塊墊。該至少一凸塊墊包含一第一金屬層及該第一金屬層上之一第二金屬層。該成像裝置包含一第二半導體元件,其包含至少一電極。該成像裝置包含將該至少一凸塊墊電連接至該至少一電極之一微凸塊。該微凸塊包含該第二金屬層之一擴散部分,且該第一半導體元件或該第二半導體元件包含一像素單元。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种成像设备,其包含一第一半导体组件,该第一半导体组件包含具有一凹形形状之至少一凸块垫。该至少一凸块垫包含一第一金属层及该第一金属层上之一第二金属层。该成像设备包含一第二半导体组件,其包含至少一电极。该成像设备包含将该至少一凸块垫电连接至该至少一电极之一微凸块。该微凸块包含该第二金属层之一扩散部分,且该第一半导体组件或该第二半导体组件包含一像素单元。
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