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公开(公告)号:TW202011593A
公开(公告)日:2020-03-16
申请号:TW108125530
申请日:2019-07-19
发明人: 林利彦 , HAYASHI, TOSHIHIKO , 定榮正大 , JOEI, MASAHIRO , 村田賢一 , MURATA, KENICHI , 平田晉太郎 , HIRATA, SHINTAROU
IPC分类号: H01L27/146 , H04N5/225 , H04N5/335
摘要: 本發明提供一種固體攝像元件,其可實現進而提高可靠性。 本發明提供一種固體攝像元件,其具備半導體基板,該半導體基板自光入射側起依序至少形成有第1光電轉換部、及第2光電轉換部,該第1光電轉換部至少依序包含第1電極、光電轉換層、第1氧化物半導體層、第2氧化物半導體層及第2電極,該第1氧化物半導體層之膜密度,高於該第2氧化物半導體層之膜密度。
简体摘要: 本发明提供一种固体摄像组件,其可实现进而提高可靠性。 本发明提供一种固体摄像组件,其具备半导体基板,该半导体基板自光入射侧起依序至少形成有第1光电转换部、及第2光电转换部,该第1光电转换部至少依序包含第1电极、光电转换层、第1氧化物半导体层、第2氧化物半导体层及第2电极,该第1氧化物半导体层之膜密度,高于该第2氧化物半导体层之膜密度。
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公开(公告)号:TW201725710A
公开(公告)日:2017-07-16
申请号:TW105132147
申请日:2016-10-05
发明人: 脇山悟 , WAKIYAMA, SATORU , 清水完 , SHIMIZU, KAN , 林利彦 , HAYASHI, TOSHIHIKO , 中村卓矢 , NAKAMURA, TAKUYA , 城直樹 , JYO, NAOKI
CPC分类号: H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/03828 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05082 , H01L2224/05157 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81065 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/8182 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要: 本發明揭示一種成像裝置,其包含一第一半導體元件,該第一半導體元件包含具有一凹形形狀之至少一凸塊墊。該至少一凸塊墊包含一第一金屬層及該第一金屬層上之一第二金屬層。該成像裝置包含一第二半導體元件,其包含至少一電極。該成像裝置包含將該至少一凸塊墊電連接至該至少一電極之一微凸塊。該微凸塊包含該第二金屬層之一擴散部分,且該第一半導體元件或該第二半導體元件包含一像素單元。
简体摘要: 本发明揭示一种成像设备,其包含一第一半导体组件,该第一半导体组件包含具有一凹形形状之至少一凸块垫。该至少一凸块垫包含一第一金属层及该第一金属层上之一第二金属层。该成像设备包含一第二半导体组件,其包含至少一电极。该成像设备包含将该至少一凸块垫电连接至该至少一电极之一微凸块。该微凸块包含该第二金属层之一扩散部分,且该第一半导体组件或该第二半导体组件包含一像素单元。
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