公开(公告)号：TW201812082A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106123739

申请日：2017-07-17

申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 巴爾達塞羅尼 克洛伊 ,  BALDASSERONI, CHLOE ,  明歇爾 愛德蒙 B ,  MINSHALL, EDMUND B. ,  帕斯果 法蘭克L ,  PASQUALE, FRANK L. ,  史旺明內森 珊卡 ,  SWAMINATHAN, SHANKAR ,  謙德拉瑟哈蘭 拉密許 ,  CHANDRASEKHARAN, RAMESH

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/6875 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771

摘要： 一種在膜沉積期間減少晶圓滑動的方法，包含在晶圓係在升降銷或承載環上加以支撐的同時汞抽處理腔室，及在膜沉積期間將晶圓降低在配置成最小化晶圓滑動的支座構件上。多工作站式處理腔室（諸如用於原子層沉積的處理腔室）可包含在具有晶圓支座之各工作站的無夾頭基座，該等晶圓支座係配置成防止晶圓移動偏離中心超過400微米。為了使晶圓下方的氣墊最小化，晶圓支座可在晶圓的背側及該基座之面向晶圓的表面之間提供至少2密耳的間隙。

简体摘要： 一种在膜沉积期间减少晶圆滑动的方法，包含在晶圆系在升降销或承载环上加以支撑的同时汞抽处理腔室，及在膜沉积期间将晶圆降低在配置成最小化晶圆滑动的支座构件上。多任务作站式处理腔室（诸如用于原子层沉积的处理腔室）可包含在具有晶圆支座之各工作站的无夹头基座，该等晶圆支座系配置成防止晶圆移动偏离中心超过400微米。为了使晶圆下方的气垫最小化，晶圆支座可在晶圆的背侧及该基座之面向晶圆的表面之间提供至少2密耳的间隙。

公开(公告)号：TW201619429A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW104127256

申请日：2015-08-21

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 巴爾達塞羅尼 克洛伊 ,  BALDASSERONI, CHLOE ,  拉芙依 艾里恩 ,  LAVOIE, ADRIEN ,  康虎 ,  KANG, HU ,  錢駿 ,  QIAN, JUN ,  庫瑪 普魯夏坦 ,  KUMAR, PURUSHOTTAM ,  杜瓦爾 安祖 ,  DUVALL, ANDREW ,  巴奈特 科迪 ,  BARNETT, CODY ,  撒布里 莫漢姆德 ,  SABRI, MOHAMED ,  謙德拉瑟哈蘭 拉密許 ,  CHANDRASEKHARAN, RAMESH ,  里瑟 卡爾 F ,  LEESER, KARL F. ,  史密斯 大衛 C ,  SMITH, DAVID C. ,  凡拉德拉真 瑟沙撒依 ,  VARADARAJAN, SESHASAYEE ,  明歇爾 愛德蒙 B ,  MINSHALL, EDMUND B.

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02274

摘要： 揭露在半導體基板上沉積材料膜的方法。該方法可包含：使一膜先質經由實質維持於第一溫度的一噴淋頭流入一處理腔室；及使該膜先質吸附至被固定在一基板固持器上的一基板之上，使得該先質形成一吸附限制層，同時將該基板固持器實質維持於一第二溫度。該第一溫度可高於該第二溫度至少約10℃，或該第一溫度可等於或低於該第二溫度。該方法可更包含：從圍繞所吸附之膜先質的體積移除至少一些未吸附的膜先質；及之後使吸附之膜先質起反應，以形成一膜層。在此處亦揭露具有一處理腔室、一基板固持器、一噴淋頭、及一個以上控制器的設備，用於操作該設備以使用前述膜沉積技術。

简体摘要： 揭露在半导体基板上沉积材料膜的方法。该方法可包含：使一膜先质经由实质维持于第一温度的一喷淋头流入一处理腔室；及使该膜先质吸附至被固定在一基板固持器上的一基板之上，使得该先质形成一吸附限制层，同时将该基板固持器实质维持于一第二温度。该第一温度可高于该第二温度至少约10℃，或该第一温度可等于或低于该第二温度。该方法可更包含：从围绕所吸附之膜先质的体积移除至少一些未吸附的膜先质；及之后使吸附之膜先质起反应，以形成一膜层。在此处亦揭露具有一处理腔室、一基板固持器、一喷淋头、及一个以上控制器的设备，用于操作该设备以使用前述膜沉积技术。