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    薄膜中殘留應力之調變方法
    2.
    发明专利
    薄膜中殘留應力之調變方法 审中-公开
    薄膜中残留应力之调制方法

    公开(公告)号：TW201709335A

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：TW105114069

    申请日：2016-05-06

    申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 庫瑪 普魯夏坦 ,  KUMAR, PURUSHOTTAM ,  康虎 ,  KANG, HU ,  錢駿 ,  QIAN, JUN ,  拉芙依 艾里恩 ,  LAVOIE, ADRIEN

    IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

    摘要： 文中揭露在半導體基板上形成較少應力之介電薄膜的方法。此些方法包含藉著沉積一主要部分與一低應力部分，而沉積該介電薄膜之一第一較少應力之雙層，該主要部分具有一厚度tm 與一應力位準sm ，而該低應力部分具有一厚度tl 與一應力位準sl ，其中sl ＜sm 。該第一較少應力之雙層的特徵可在於一總應力位準stot ＜ 90% * (sm *tm +sl *tl )/(tm +tl )，在某些實例中stot ＜sl 。在某些實施例中，stot ＜ 90%*sm 且該主要部分與該低應力部分可具有實質上相同的化學組成，該主要部分及該低應力部分針對每一獨立元素成分的差異落在每單位體積5.0莫耳百分比的容裕內。在某些實施例中，該主要部分及該低應力部分的特徵分別在於漏電流Im 與Il 及崩潰電壓Vm 與Vl ，該第一較少應力之雙層的特徵可在於一總漏電流Itot 與一總崩潰電壓Vtot ，俾使stot ＜ 90% *sm 且Itot ＜ 90% * (Im *tm +Il *tl )/(tm +tl )或Vtot ＞ 110% * (Vm *tm +Vl *tl )/(tm +tl )或兩者皆成立。

    简体摘要： 文中揭露在半导体基板上形成较少应力之介电薄膜的方法。此些方法包含借着沉积一主要部分与一低应力部分，而沉积该介电薄膜之一第一较少应力之双层，该主要部分具有一厚度tm 与一应力位准sm ，而该低应力部分具有一厚度tl 与一应力位准sl ，其中sl ＜sm 。该第一较少应力之双层的特征可在于一总应力位准stot ＜ 90% * (sm *tm +sl *tl )/(tm +tl )，在某些实例中stot ＜sl 。在某些实施例中，stot ＜ 90%*sm 且该主要部分与该低应力部分可具有实质上相同的化学组成，该主要部分及该低应力部分针对每一独立元素成分的差异落在每单位体积5.0莫耳百分比的容裕内。在某些实施例中，该主要部分及该低应力部分的特征分别在于漏电流Im 与Il 及崩溃电压Vm 与Vl ，该第一较少应力之双层的特征可在于一总漏电流Itot 与一总崩溃电压Vtot ，俾使stot ＜ 90% *sm 且Itot ＜ 90% * (Im *tm +Il *tl )/(tm +tl )或Vtot ＞ 110% * (Vm *tm +Vl *tl )/(tm +tl )或两者皆成立。

    具有多孔阻流板之小體積噴淋頭
    4.
    发明专利
    具有多孔阻流板之小體積噴淋頭 审中-公开
    具有多孔阻流板之小体积喷淋头

    公开(公告)号：TW201607614A

    公开(公告)日：2016-03-01

    申请号：TW104114093

    申请日：2015-05-04

    申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 謙德拉瑟哈蘭 拉密許 ,  CHANDRASEKHARAN, RAMESH ,  尚朋 山古特 ,  SANGPLUNG, SAANGRUT ,  史旺明內森 珊卡 ,  SWAMINATHAN, SHANKAR ,  帕斯果 法蘭克 ,  PASQUALE, FRANK ,  康虎 ,  KANG, HU ,  拉芙依 艾里恩 ,  LAVOIE, ADRIEN

    IPC分类号： B05B1/34 ,  B05B1/20 ,  C23C16/455

    CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244

    摘要： 在半導體處理設備中的小體積噴淋頭可包括一多孔阻流板以改善原子層沉積期間內的吹淨時間及流動均勻性。該噴淋頭可包括：一充氣部體積、與該充氣部體積流體連通的一或更多氣體入口；包括複數第一通孔的一面板，該面板係用以將氣體配送至該半導體處理設備中的基板上；及一阻流板，該阻流板係設置在該充氣部體積與該一或更多氣體入口之間的一區域中。該一或更多氣體入口可包括具有小體積的柄部以改善吹淨時間。該阻流板可為多孔的、且設置在該柄部與該充氣部體積之間以改善流動均勻性及避免噴射。

    简体摘要： 在半导体处理设备中的小体积喷淋头可包括一多孔阻流板以改善原子层沉积期间内的吹净时间及流动均匀性。该喷淋头可包括：一充气部体积、与该充气部体积流体连通的一或更多气体入口；包括复数第一通孔的一皮肤，该皮肤系用以将气体配送至该半导体处理设备中的基板上；及一阻流板，该阻流板系设置在该充气部体积与该一或更多气体入口之间的一区域中。该一或更多气体入口可包括具有小体积的柄部以改善吹净时间。该阻流板可为多孔的、且设置在该柄部与该充气部体积之间以改善流动均匀性及避免喷射。

    原子層沉積用之動態前驅物注入
    8.
    发明专利
    原子層沉積用之動態前驅物注入 审中-公开
    原子层沉积用之动态前驱物注入

    公开(公告)号：TW201720951A

    公开(公告)日：2017-06-16

    申请号：TW105131453

    申请日：2016-09-30

    申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 庫瑪 普魯夏坦 ,  KUMAR, PURUSHOTTAM ,  拉芙依 艾里恩 ,  LAVOIE, ADRIEN ,  錢駿 ,  QIAN, JUN ,  康虎 ,  KANG, HU ,  可里伊許特克 ,  KARIM, ISHTAK ,  歐 芳雄 ,  OU, FUNG SUONG

    IPC分类号： C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

    CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556

    摘要： 本揭露內容揭露用於控制半導體處理工具中前驅物流動的方法及設備。方法可包含：使氣體流過氣體管線；在注入步驟之前打開（複數）安瓿閥，以使前驅物開始從安瓿通過氣體管線流至製程腔室；關閉（複數）安瓿閥，以使前驅物停止從安瓿流出；在注入步驟開始時打開製程腔室閥，以容許前驅物流入製程腔室；以及在注入步驟結束時關閉製程腔室閥，以使前驅物停止流入製程腔室。控制器可包含至少一記憶體及至少一處理器，且該至少一記憶體可儲存用於控制該至少一控制器的指令，以控制半導體處理工具中的前驅物流動。

    简体摘要： 本揭露内容揭露用于控制半导体处理工具中前驱物流动的方法及设备。方法可包含：使气体流过气体管线；在注入步骤之前打开（复数）安瓿阀，以使前驱物开始从安瓿通过气体管线流至制程腔室；关闭（复数）安瓿阀，以使前驱物停止从安瓿流出；在注入步骤开始时打开制程腔室阀，以容许前驱物流入制程腔室；以及在注入步骤结束时关闭制程腔室阀，以使前驱物停止流入制程腔室。控制器可包含至少一内存及至少一处理器，且该至少一内存可存储用于控制该至少一控制器的指令，以控制半导体处理工具中的前驱物流动。