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公开(公告)号:TWI539191B
公开(公告)日:2016-06-21
申请号:TW101150996
申请日:2012-12-28
Applicant: 英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
Inventor: 科西尼可 維倫汀 , KOSENKO, VALENTIN , 馬克班恩 艾德華 李 , MCBAIN, EDWARD LEE , 烏若 席普倫 亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 蒙納吉米 佩茲曼 , MONADGEMI, PEZHMAN , 薩維斯堤克 西爾傑 , SAVASTIOUK, SERGEY
CPC classification number: G02B6/4214 , G02B6/3628 , G02B6/3636 , G02B6/3652 , G02B6/3692 , G02B6/4249 , Y10T29/49117
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公开(公告)号:TW201442190A
公开(公告)日:2014-11-01
申请号:TW102147053
申请日:2013-12-18
Applicant: 英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
Inventor: 烏若 席普倫 亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 蒙納吉米 培茲曼 , MONADGEMI, PEZHMAN , 卡斯基 泰倫斯 , CASKEY, TERRENCE , 阿亞托拉赫 法提瑪 莉娜 , AYATOLLAHI, FATIMA LINA , 哈巴 貝勒卡塞姆 , HABA, BELGACEM , 渥奇克 查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 紐曼 麥可 , NEWMAN, MICHAEL
IPC: H01L23/532 , H01L23/488 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/76829 , H01L21/76898 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/3736 , H01L23/481 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本案為一種用來產生內部連接元件的方法,它包含在一處理中的單元上沉積一層散熱傳導層。處理中的單元包含一半導體層以定義一表面和環繞該表面的邊緣,複數的傳導元件,其中該每一傳導元件都具有延伸穿越半導體層的第一部份,以及從半導體層之表面延伸過來的第二部份。介電塗層至少會延伸越過每一傳導元件的第二部份。散熱傳導層會沉積在處理中的單元之上且其厚度會達到10微米,如此將能夠完全覆蓋介於傳導元件之第二部份之間的半導體層表面,並且在傳導元件與散熱傳導層之間的位置具有介電塗層。
Abstract in simplified Chinese: 本案为一种用来产生内部连接组件的方法,它包含在一处理中的单元上沉积一层散热传导层。处理中的单元包含一半导体层以定义一表面和环绕该表面的边缘,复数的传导组件,其中该每一传导组件都具有延伸穿越半导体层的第一部份,以及从半导体层之表面延伸过来的第二部份。介电涂层至少会延伸越过每一传导组件的第二部份。散热传导层会沉积在处理中的单元之上且其厚度会达到10微米,如此将能够完全覆盖介于传导组件之第二部份之间的半导体层表面,并且在传导组件与散热传导层之间的位置具有介电涂层。
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公开(公告)号:TWI582932B
公开(公告)日:2017-05-11
申请号:TW102130127
申请日:2013-08-22
Applicant: 英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
Inventor: 渥奇克 查爾斯 , WOYCHIK, CHARLES , 梁世永 , YANG, SE YOUNG , 蒙納吉米 培茲曼 , MONADGEMI, PEZHMAN , 卡斯基 泰倫斯 , CASKEY, TERRENCE , 烏若 席普倫 亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA
IPC: H01L23/498 , H01L21/683 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/32 , G01R31/2886 , H01L21/6835 , H01L22/14 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/04 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/11015 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13082 , H01L2224/14131 , H01L2224/14135 , H01L2224/16111 , H01L2224/16112 , H01L2224/16146 , H01L2224/16147 , H01L2224/16237 , H01L2224/16257 , H01L2224/16267 , H01L2224/16503 , H01L2224/17051 , H01L2224/8109 , H01L2224/81138 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/07811 , H01L2924/12 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/81805
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公开(公告)号:TWI553368B
公开(公告)日:2016-10-11
申请号:TW101150997
申请日:2012-12-28
Applicant: 英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
Inventor: 科西尼可 維倫汀 , KOSENKO, VALENTIN , 馬克班恩 艾德華 李 , MCBAIN, EDWARD LEE , 烏若 席普倫 亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 蒙納吉米 佩茲曼 , MONADGEMI, PEZHMAN , 薩維斯堤克 西爾傑 , SAVASTIOUK, SERGEY
IPC: G02B6/42 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L21/302
CPC classification number: G02B6/4214 , G02B6/3628 , G02B6/3636 , G02B6/3652 , G02B6/3692 , G02B6/4249 , Y10T29/49117
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公开(公告)号:TWI525717B
公开(公告)日:2016-03-11
申请号:TW102147052
申请日:2013-12-18
Applicant: 英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
Inventor: 烏若 席普倫 亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 蒙納吉米 培茲曼 , MONADGEMI, PEZHMAN , 紐曼 麥可 , NEWMAN, MICHAEL , 渥奇克 查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 卡斯基 泰倫斯 , CASKEY, TERRENCE
IPC: H01L21/50 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/31053 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/768 , H01L21/76841 , H01L21/76877 , H01L21/78 , H01L23/481 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TWI525716B
公开(公告)日:2016-03-11
申请号:TW102125314
申请日:2013-07-13
Applicant: 英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
Inventor: 蒙納吉米 培茲曼 , MONADGEMI, PEZHMAN
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/304 , H01L21/31133 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TW201413831A
公开(公告)日:2014-04-01
申请号:TW102125314
申请日:2013-07-13
Applicant: 英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
Inventor: 蒙納吉米 培茲曼 , MONADGEMI, PEZHMAN
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/304 , H01L21/31133 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本案為一種裝置基板加工方法。在一個實施例中,裝置基板的加工方法可能包括使用一種聚合材料將裝置基板的第一表面黏合到一個載具上。裝置基板可以設有複數個第一開孔,其從第一表面朝向裝置基板上位於第一表面相對側的第二表面處延伸。之後,可以從裝置基板的第二表面移除材料,其中至少有某些第一開孔至少於執行材料移除之前或之後,與第二表面連通。之後,至少有一部分塗佈於第一表面與載具基板之間的聚合材料,可以通過至少一部分的第一開孔,暴露於用來將裝置基板從載具基板上剝離的物質中。
Abstract in simplified Chinese: 本案为一种设备基板加工方法。在一个实施例中,设备基板的加工方法可能包括使用一种聚合材料将设备基板的第一表面黏合到一个载具上。设备基板可以设有复数个第一开孔,其从第一表面朝向设备基板上位于第一表面相对侧的第二表面处延伸。之后,可以从设备基板的第二表面移除材料,其中至少有某些第一开孔至少于运行材料移除之前或之后,与第二表面连通。之后,至少有一部分涂布于第一表面与载具基板之间的聚合材料,可以通过至少一部分的第一开孔,暴露于用来将设备基板从载具基板上剥离的物质中。
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公开(公告)号:TWI525781B
公开(公告)日:2016-03-11
申请号:TW102147053
申请日:2013-12-18
Applicant: 英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
Inventor: 烏若 席普倫 亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 蒙納吉米 培茲曼 , MONADGEMI, PEZHMAN , 卡斯基 泰倫斯 , CASKEY, TERRENCE , 阿亞托拉赫 法提瑪 莉娜 , AYATOLLAHI, FATIMA LINA , 哈巴 貝勒卡塞姆 , HABA, BELGACEM , 渥奇克 查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 紐曼 麥可 , NEWMAN, MICHAEL
IPC: H01L23/532 , H01L23/488 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/76829 , H01L21/76898 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/3736 , H01L23/481 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
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公开(公告)号:TW201438164A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:TW103106361
申请日:2014-02-25
Applicant: 英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
Inventor: 紐曼 麥可 , NEWMAN, MICHAEL , 烏若 席普倫 亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 蒙納吉米 培茲曼 , MONADGEMI, PEZHMAN , 卡斯基 泰倫斯 , CASKEY, TERRENCE
IPC: H01L23/34
CPC classification number: H01L21/486 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L2224/13 , H01L2224/16225 , H05K1/111 , H05K3/0014 , H05K3/4038 , Y10T29/49117
Abstract: 本案為一種中介層,其第一側邊有傳導元件,第一側邊之相對的第二側邊上有端子,分別用來連接微電子元件以及第二元件。元件包括一熱膨脹係數小於10 ppm/℃的第一元件,以及一絕緣隔離第二元件,而此第二元件之複數開口係從第二側邊穿越第二元件朝向第一元件而延伸。傳導結構延伸穿越第二元件內的開口及穿越第一元件,進而使傳導元件與端子電氣連接。
Abstract in simplified Chinese: 本案为一种中介层,其第一侧边有传导组件,第一侧边之相对的第二侧边上有端子,分别用来连接微电子组件以及第二组件。组件包括一热膨胀系数小于10 ppm/℃的第一组件,以及一绝缘隔离第二组件,而此第二组件之复数开口系从第二侧边穿越第二组件朝向第一组件而延伸。传导结构延伸穿越第二组件内的开口及穿越第一组件,进而使传导组件与端子电气连接。
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公开(公告)号:TW201436057A
公开(公告)日:2014-09-16
申请号:TW102147052
申请日:2013-12-18
Applicant: 英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
Inventor: 烏若 席普倫 亞梅卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 蒙納吉米 培茲曼 , MONADGEMI, PEZHMAN , 紐曼 麥可 , NEWMAN, MICHAEL , 渥奇克 查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 卡斯基 泰倫斯 , CASKEY, TERRENCE
IPC: H01L21/50 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/31053 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/768 , H01L21/76841 , H01L21/76877 , H01L21/78 , H01L23/481 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 本案為一種形成一微電子組件之方法以及該產生之結構與裝置。在一個實施例中,形成一微電子組件之一方法係包括移除顯露在一基板之一表面之部份區域之材料,藉以形成一經處理基板,該經處理基板係具被該經處理基板之整體支撐部分隔之複數個薄部,該經處理基板係具一厚度,該厚度係大於該薄部之一厚度,該薄部中至少若干個係包括顯露在該表面上並沿著該薄部之該厚度之一方向延伸之複數個導電互連;以及移除該基板之該支撐部,藉以將該基板分割成複數個獨立薄部,至少若干個獨立薄部係包括該互連。
Abstract in simplified Chinese: 本案为一种形成一微电子组件之方法以及该产生之结构与设备。在一个实施例中,形成一微电子组件之一方法系包括移除显露在一基板之一表面之部份区域之材料,借以形成一经处理基板,该经处理基板系具被该经处理基板之整体支撑部分隔之复数个薄部,该经处理基板系具一厚度,该厚度系大于该薄部之一厚度,该薄部中至少若干个系包括显露在该表面上并沿着该薄部之该厚度之一方向延伸之复数个导电互连;以及移除该基板之该支撑部,借以将该基板分割成复数个独立薄部,至少若干个独立薄部系包括该互连。
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