公开(公告)号：TWI553809B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW103121829

申请日：2014-06-24

申请人： 思鷺科技股份有限公司 ,  IBIS INNOTECH INC.

发明人： 黃志恭 ,  HUANG, CHIH KUNG ,  賴威仁 ,  LAI, WEI JEN ,  劉文俊 ,  LIU, WEN CHUN

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H05K1/0373 ,  H01L21/568 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L25/04 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1715 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/113 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/105 ,  H05K3/188 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/0236 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2201/0919 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI532137B

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW102143707

申请日：2013-11-29

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 呂宗育 ,  LU, CHUNG YU ,  胡憲斌 ,  HU, HSIEN PIN ,  顏孝璁 ,  YEN, HSIAO TSUNG ,  劉醇鴻 ,  LIU, TZUAN HORNG ,  黃詩雯 ,  HUANG, SHIH WEN ,  侯上勇 ,  HOU, SHANG YUN ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN PUU

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16137 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

公开(公告)号：TW201413894A

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW101135246

申请日：2012-09-26

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE ,  欣興電子股份有限公司 ,  UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.

发明人： 陳裕華 ,  CHEN, YU HUA ,  駱韋仲 ,  LO, WEI CHUNG ,  胡迪群 ,  HU, DYI CHUNG ,  謝昌宏 ,  HSIEH, CHANG HONG

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L25/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一種封裝基板及其製法，係包括具有頂表面和底表面之基板本體、形成於該基板本體頂表面上之絕緣保護層、埋設且外露於該絕緣保護層中之中介層、及設於該中介層上或嵌埋於其中之被動元件。藉由將被動元件整合於該封裝基板中，當晶片設於該中介層上時，可縮短該晶片與被動元件之間的導電路徑，而使晶片的腳位電壓能保持穩定，因而能增進整體電性效能。

简体摘要： 一种封装基板及其制法，系包括具有顶表面和底表面之基板本体、形成于该基板本体顶表面上之绝缘保护层、埋设且外露于该绝缘保护层中之中介层、及设于该中介层上或嵌埋于其中之被动组件。借由将被动组件集成于该封装基板中，当芯片设于该中介层上时，可缩短该芯片与被动组件之间的导电路径，而使芯片的脚位电压能保持稳定，因而能增进整体电性性能。

公开(公告)号：TW201712845A

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW105112492

申请日：2016-04-21

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 別井隆文 ,  BETSUI, TAKAFUMI ,  諏訪元大 ,  SUWA, MOTOO

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L2027/11875 ,  H01L2027/11881 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311

摘要： 本發明之電子裝置具有第1配線基板及搭載於第1配線基板上之半導體裝置。半導體裝置具備：第2配線基板，其具有複數個端子；複數個第1半導體晶片，其等搭載於第2配線基板上；及第2半導體晶片，其搭載於第2配線基板上。又，第1配線基板具有對第2半導體晶片供給種類不同之複數種電源電位之第1電源線及第2電源線。又，於俯視時，第2電源線係以跨越第2配線基板之第1基板邊及第2半導體晶片之第1晶片邊之方式配置。又，於俯視時，第1電源線係以通過第2電源線與複數個第1半導體晶片中之一部分之間並朝向與第2半導體晶片重合之區域延伸之方式配置。又，第1電源線中與第2電源線於厚度方向上重合之區域之面積小於第1電源線中不與第2電源線重合之區域之面積。

简体摘要： 本发明之电子设备具有第1配线基板及搭载于第1配线基板上之半导体设备。半导体设备具备：第2配线基板，其具有复数个端子；复数个第1半导体芯片，其等搭载于第2配线基板上；及第2半导体芯片，其搭载于第2配线基板上。又，第1配线基板具有对第2半导体芯片供给种类不同之复数种电源电位之第1电源线及第2电源线。又，于俯视时，第2电源线系以跨越第2配线基板之第1基板边及第2半导体芯片之第1芯片边之方式配置。又，于俯视时，第1电源线系以通过第2电源线与复数个第1半导体芯片中之一部分之间并朝向与第2半导体芯片重合之区域延伸之方式配置。又，第1电源线中与第2电源线于厚度方向上重合之区域之面积小于第1电源线中不与第2电源线重合之区域之面积。

公开(公告)号：TW201423941A

公开(公告)日：2014-06-16

申请号：TW102143707

申请日：2013-11-29

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 呂宗育 ,  LU, CHUNG YU ,  胡憲斌 ,  HU, HSIEN PIN ,  顏孝璁 ,  YEN, HSIAO TSUNG ,  劉醇鴻 ,  LIU, TZUAN HORNG ,  黃詩雯 ,  HUANG, SHIH WEN ,  侯上勇 ,  HOU, SHANG YUN ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN PUU

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16137 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

摘要： 本發明揭露一種方法與裝置，適用於使用一微凸塊層在一中介層上形成一半導體裝置封裝體。上述微凸塊層可包含微凸塊與微凸塊線，其中一微凸塊是用於一晶片與上述中介層之間的一垂直連接，而一微凸塊線是用於位在上述中介層的上方的不同晶片之間的信號傳輸所使用的水平連接。上述微凸塊線可以與上述微凸塊同時形成，具有低成本或未增加成本。

简体摘要： 本发明揭露一种方法与设备，适用于使用一微凸块层在一中介层上形成一半导体设备封装体。上述微凸块层可包含微凸块与微凸块线，其中一微凸块是用于一芯片与上述中介层之间的一垂直连接，而一微凸块线是用于位在上述中介层的上方的不同芯片之间的信号传输所使用的水平连接。上述微凸块线可以与上述微凸块同时形成，具有低成本或未增加成本。

公开(公告)号：TW201423940A

公开(公告)日：2014-06-16

申请号：TW102130127

申请日：2013-08-22

申请人： 英凡薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 渥奇克 查爾斯 ,  WOYCHIK, CHARLES ,  梁世永 ,  YANG, SE YOUNG ,  蒙納吉米 培茲曼 ,  MONADGEMI, PEZHMAN ,  卡斯基 泰倫斯 ,  CASKEY, TERRENCE ,  烏若 席普倫 亞梅卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/683 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/32 ,  G01R31/2886 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/14 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11015 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16257 ,  H01L2224/16267 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81138 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

摘要： 本案為一種用來將一個微電子元件裝到一個基板上的方法，可能包括對正基板與微電子元件，微電子元件上有複數個彼此相隔的導電凸塊(每一個凸塊都包括有熔接金屬)，並對這些凸塊進行熔銲(迴銲)。凸塊可能外露於微電子元件的前側表面上。基板可能有複數個彼此相隔的凹槽從它的第一表面延伸過來。每個凹槽的一個或多個內側表面可能各有至少一部份不可沾黏構成凸塊的熔接金屬。可能針對凸塊執行迴銲來使每個凸塊至少有部份的熔接金屬液化而至少部份流入一個凹槽中並在其中固化，使至少某些凹槽中的熔接材料在經過迴銲後與基板構成機械連接。

简体摘要： 本案为一种用来将一个微电子组件装到一个基板上的方法，可能包括对正基板与微电子组件，微电子组件上有复数个彼此相隔的导电凸块(每一个凸块都包括有熔接金属)，并对这些凸块进行熔焊(回焊)。凸块可能外露于微电子组件的前侧表面上。基板可能有复数个彼此相隔的凹槽从它的第一表面延伸过来。每个凹槽的一个或多个内侧表面可能各有至少一部份不可沾黏构成凸块的熔接金属。可能针对凸块运行回焊来使每个凸块至少有部份的熔接金属液化而至少部份流入一个凹槽中并在其中固化，使至少某些凹槽中的熔接材料在经过回焊后与基板构成机械连接。

公开(公告)号：TWI408795B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：TW093122757

申请日：2004-07-29

申请人： OKI半導體股份有限公司 ,  OKI SEMICONDUCTOR COMPANY, LIMITED

发明人： 石原政道 ,  ISHIHARA, MASAMICHI

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L25/04 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

公开(公告)号：TWI582932B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW102130127

申请日：2013-08-22

申请人： 英凡薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 渥奇克 查爾斯 ,  WOYCHIK, CHARLES ,  梁世永 ,  YANG, SE YOUNG ,  蒙納吉米 培茲曼 ,  MONADGEMI, PEZHMAN ,  卡斯基 泰倫斯 ,  CASKEY, TERRENCE ,  烏若 席普倫 亞梅卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/683 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/32 ,  G01R31/2886 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/14 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11015 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16257 ,  H01L2224/16267 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81138 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

公开(公告)号：TW201709446A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105117267

申请日：2016-06-01

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 仮屋崎修一 ,  KARIYAZAKI, SHUUICHI ,  白井航 ,  SHIROI, WATARU ,  久保山賢一 ,  KUBOYAMA, KENICHI

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H05K1/0248 ,  H01L23/32 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/11 ,  H05K1/113 ,  H05K1/119 ,  H05K1/141 ,  H05K1/16 ,  H05K1/18 ,  H05K1/181 ,  H05K1/182 ,  H05K3/4046 ,  H05K7/02 ,  H05K2201/09218

摘要： 本發明之一實施形態之半導體裝置具有經由中介板而互相電性連接之第1半導體零件及第2半導體零件。上述中介板具有：複數個第1信號配線路徑；及複數個第2信號配線路徑，其等之路徑距離短於上述複數個第1信號配線路徑之各者。又，上述第1半導體零件具備第1電極、第2電極、及第3電極，其等沿著第1方向依序排列。又，上述第2半導體零件包含第4電極、第5電極、及第6電極，其等沿著上述第1方向依序排列。又，上述第1電極經由上述第1信號配線路徑而與上述第4電極連接，上述第2電極經由上述第1信號配線路徑而與上述第5電極連接，上述第3電極經由上述第1信號配線路徑而與上述第6電極連接。

简体摘要： 本发明之一实施形态之半导体设备具有经由中介板而互相电性连接之第1半导体零件及第2半导体零件。上述中介板具有：复数个第1信号配线路径；及复数个第2信号配线路径，其等之路径距离短于上述复数个第1信号配线路径之各者。又，上述第1半导体零件具备第1电极、第2电极、及第3电极，其等沿着第1方向依序排列。又，上述第2半导体零件包含第4电极、第5电极、及第6电极，其等沿着上述第1方向依序排列。又，上述第1电极经由上述第1信号配线路径而与上述第4电极连接，上述第2电极经由上述第1信号配线路径而与上述第5电极连接，上述第3电极经由上述第1信号配线路径而与上述第6电极连接。

公开(公告)号：TW201428863A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：TW102140690

申请日：2013-11-08

申请人： 日東電工股份有限公司 ,  NITTO DENKO CORPORATION

发明人： 石井淳 ,  ISHII, JUN ,  宇圓田大介 ,  UENDA, DAISUKE ,  豊田英志 ,  TOYODA, EIJI ,  鈴木彰 ,  SUZUKI, AKIRA

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L23/145 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L25/04 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種半導體裝置之製造方法，其係包含以下步驟A至步驟D；步驟A：準備第3層合體，該第3層合體係將第1層合體、第2層合體及熱硬化性樹脂片予以層合而成者，該第1層合體係於第1台座上設置有第1接著劑層者，該第2層合體係於第2台座上設置有第2接著劑層者，該熱硬化性樹脂片係設置於第1層合體之第1接著劑層側之面與第2層合體之第2之接著劑層側之面之間且埋入有複數半導體晶片者；步驟B：使前述第3層合體之熱硬化性樹脂片熱硬化；步驟C：使熱硬化性樹脂片熱硬化後，以熱硬化性樹脂片與第1層合體之第1接著劑層之貼合面為界面，剝離第1層合體；步驟D：於剝離第1層合體後之熱硬化性樹脂片上形成配線。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备之制造方法，其系包含以下步骤A至步骤D；步骤A：准备第3层合体，该第3层合体系将第1层合体、第2层合体及热硬化性树脂片予以层合而成者，该第1层合体系于第1台座上设置有第1接着剂层者，该第2层合体系于第2台座上设置有第2接着剂层者，该热硬化性树脂片系设置于第1层合体之第1接着剂层侧之面与第2层合体之第2之接着剂层侧之面之间且埋入有复数半导体芯片者；步骤B：使前述第3层合体之热硬化性树脂片热硬化；步骤C：使热硬化性树脂片热硬化后，以热硬化性树脂片与第1层合体之第1接着剂层之贴合面为界面，剥离第1层合体；步骤D：于剥离第1层合体后之热硬化性树脂片上形成配线。