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公开(公告)号：TW201543650A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104113859
申请日：2015-04-30
申请人： 英特希爾美國公司 , INTERSIL AMERICAS LLC
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/105
CPC分类号： H01L29/1087 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/535 , H01L27/088 , H01L29/0692 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/66568 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 用於半導體結構的本體接點佈局被揭示。在至少一範例實施例中，一種半導體結構包括：複數個閘極，其被設置在半導體層上，每個閘極是在座標空間中平行於y軸進行延伸；源極區域，其被設置在所述複數個閘極中的兩個之間；複數個本體接點，其被設置在每個源極區域中；並且其中每個源極區域的相鄰所述閘極的部分具有平行於所述y軸而延伸的寬度，其比在x軸上與所述閘極相距一段距離處之所述源極區域平行於所述y軸的寬度還大。
简体摘要： 用于半导体结构的本体接点布局被揭示。在至少一范例实施例中，一种半导体结构包括：复数个闸极，其被设置在半导体层上，每个闸极是在座标空间中平行于y轴进行延伸；源极区域，其被设置在所述复数个闸极中的两个之间；复数个本体接点，其被设置在每个源极区域中；并且其中每个源极区域的相邻所述闸极的部分具有平行于所述y轴而延伸的宽度，其比在x轴上与所述闸极相距一段距离处之所述源极区域平行于所述y轴的宽度还大。
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公开(公告)号：TWI696262B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW104113859
申请日：2015-04-30
申请人： 美商英特希爾美國公司 , INTERSIL AMERICAS LLC
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/105
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公开(公告)号：TWI436472B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW099136677
申请日：2010-10-27
申请人： 英特希爾美國公司 , INTERSIL AMERICAS INC.
发明人： 吉爾德哈爾 迪夫 阿洛克 , GIRDHAR, DEV ALOK , 赫伯特 法蘭寇西斯 , HEBERT, FRANCOIS
IPC分类号： H01L27/088 , H02M3/155
CPC分类号： H01L27/088
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公开(公告)号：TW201724214A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105127823
申请日：2016-08-30
发明人： 吉德哈爾 戴夫艾洛克 , GIRDHAR, DEV ALOK
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1033 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42368 , H01L29/66681
摘要： 一個實施方式涉及一種方法。該方法包括在基板上方或該基板中形成第一導電類型的漂移區。該基板具有第一表面和第二表面。在溝道的第一部分之上形成第一絕緣體，該第一絕緣體具有第一厚度。在該溝道的第二部分之上形成第二絕緣體，該第二絕緣體具有小於該第一厚度的第二厚度。在該第一絕緣體之上形成第一閘極。在該第二絕緣體之上形成第二閘極。在該基板上方或該基板中形成第二導電類型的體區。
简体摘要： 一个实施方式涉及一种方法。该方法包括在基板上方或该基板中形成第一导电类型的漂移区。该基板具有第一表面和第二表面。在沟道的第一部分之上形成第一绝缘体，该第一绝缘体具有第一厚度。在该沟道的第二部分之上形成第二绝缘体，该第二绝缘体具有小于该第一厚度的第二厚度。在该第一绝缘体之上形成第一闸极。在该第二绝缘体之上形成第二闸极。在该基板上方或该基板中形成第二导电类型的体区。
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