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发明专利
形成安全的金屬閘極反熔絲結構之方法有权
简体标题：形成安全的金属闸极反熔丝结构之方法

公开(公告)号：TWI524493B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW100149533

申请日：2011-12-29

申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION

发明人： 童香紅 , TONG, XIANGHONG , 陳震平 , CHEN, ZHANPING , 哈弗茲華利德M , HAFEZ, WALID M. , 馬志勇 , MA, ZHIYONG , 庫卡尼沙維雪H , KULKARNI, SARVESH H. , 張凱文X , ZHANG, KEVIN X. , 皮德森馬修B , PEDERSEN, MATTHEW B. , 強森凱文D , JOHNSON, KEVIN D.

IPC分类号： H01L23/525 , G11C17/16

CPC分类号： H01L23/5252 , H01L21/44 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L27/11206 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2.

发明专利
形成安全的金屬閘極反熔絲結構之方法 METHODS OF FORMING SECURED METAL GATE ANTIFUSE STRUCTURES 审中-公开
简体标题：形成安全的金属闸极反熔丝结构之方法 METHODS OF FORMING SECURED METAL GATE ANTIFUSE STRUCTURES

公开(公告)号：TW201240053A

公开(公告)日：2012-10-01

申请号：TW100149533

申请日：2011-12-29

申请人： 英特爾公司

发明人： 童香紅 , 陳震平 , 哈弗茲華利德M , 馬志勇 , 庫卡尼沙維雪H , 張凱文X , 皮德森馬修B , 強森凱文D

IPC分类号： H01L , G11C

CPC分类号： H01L23/5252 , H01L21/44 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L27/11206 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

摘要： 描述形成及使用微電子結構之方法。實施例包括在金屬熔絲閘極與PMOS裝置間形成二極體,其中該二極體係配置在該金屬熔絲閘極之接點與該PMOS裝置之接點間,及其中該二極體耦接該金屬熔絲閘極之該接點至該PMOS裝置之該接點。

简体摘要： 描述形成及使用微电子结构之方法。实施例包括在金属熔丝闸极与PMOS设备间形成二极管,其中该二极管系配置在该金属熔丝闸极之接点与该PMOS设备之接点间,及其中该二极管耦接该金属熔丝闸极之该接点至该PMOS设备之该接点。