公开(公告)号：TWI524493B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW100149533

申请日：2011-12-29

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 童香紅 ,  TONG, XIANGHONG ,  陳震平 ,  CHEN, ZHANPING ,  哈弗茲 華利德M ,  HAFEZ, WALID M. ,  馬志勇 ,  MA, ZHIYONG ,  庫卡尼 沙維雪H ,  KULKARNI, SARVESH H. ,  張 凱文X ,  ZHANG, KEVIN X. ,  皮德森 馬修B ,  PEDERSEN, MATTHEW B. ,  強森 凱文D ,  JOHNSON, KEVIN D.

IPC分类号： H01L23/525 ,  G11C17/16

CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L21/44 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11206 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201703228A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105115350

申请日：2016-05-18

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 佟 向宏 ,  TONG, XIAOGHONG ,  賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  馬 志勇 ,  MA, ZHIYONG ,  白 鵬 ,  BAI, PENG ,  簡 嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  陳佔平 ,  CHEN, ZHANPING

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L27/11206 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252

摘要： 本案說明反熔絲編程電壓的受控修正。於一實例中，反熔絲電路係形成在基板上，包括形成該反熔絲電路的閘極區。分子係植入該閘極區以損壞該閘極區的結構。電極係形成在該該閘極區之上以將該反熔絲電路連接至其它組件。

简体摘要： 本案说明反熔丝编程电压的受控修正。于一实例中，反熔丝电路系形成在基板上，包括形成该反熔丝电路的闸极区。分子系植入该闸极区以损坏该闸极区的结构。电极系形成在该该闸极区之上以将该反熔丝电路连接至其它组件。