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公开(公告)号：TWI427752B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW098132447
申请日：2009-09-25
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/12 , H01L23/28 , H01L21/58
CPC分类号： H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/40245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI413226B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW098137925
申请日：2009-11-09
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/367
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/83385
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公开(公告)号：TWI462254B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW099112017
申请日：2010-04-16
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/58
CPC分类号： H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/40 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI427649B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW098141763
申请日：2009-12-07
发明人： 魯軍 , LU, JUN , 赫爾伯特 弗蘭茨娃 , HEBERT, FRANCOIS
IPC分类号： H01F17/00
CPC分类号： H01F17/0013 , H01F27/29 , H01F41/046 , H01L2224/16235 , H01L2924/15311 , Y10T29/4902 , Y10T29/49069 , Y10T29/49073
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公开(公告)号：TWI426595B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW099105814
申请日：2010-03-01
发明人： 薛彥訊 , XUE, YANXUN , 叭剌 安荷 , BHALLA, ANUP , 魯軍 , LU, JUN
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/12 , H01L23/495
CPC分类号： H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/73221 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI514548B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW102147307
申请日：2010-03-01
发明人： 薛彥訊 , XUE, YANXUN , 叭剌 安荷 , BHALLA, ANUP , 魯軍 , LU, JUN
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/12 , H01L23/495
CPC分类号： H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49111 , H01L2224/73221 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TW201419495A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102147307
申请日：2010-03-01
发明人： 薛彥訊 , XUE, YANXUN , 叭剌 安荷 , BHALLA, ANUP , 魯軍 , LU, JUN
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/12 , H01L23/495
CPC分类号： H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49111 , H01L2224/73221 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一種應用於功率切換器電路的半導體封裝結構，將兩個MOSFET晶片堆疊連接形成功率切換器，並水平或垂直的在同一封裝中封裝一旁路電容；更可在該同一封裝中還設置一PIC晶片以形成DC-DC轉換器。本發明所提供的半導體封裝結構，使得該旁路電容的設置最靠近MOSFET晶片，產生的寄生電感最小，從而在有效提高功率切換器或DC-DC轉換器性能的同時，也有效減少了整個半導體封裝結構的尺寸。
简体摘要： 一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构，将两个MOSFET芯片堆栈连接形成功率切换器，并水平或垂直的在同一封装中封装一旁路电容；更可在该同一封装中还设置一PIC芯片以形成DC-DC转换器。本发明所提供的半导体封装结构，使得该旁路电容的设置最靠近MOSFET芯片，产生的寄生电感最小，从而在有效提高功率切换器或DC-DC转换器性能的同时，也有效减少了整个半导体封装结构的尺寸。
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公开(公告)号：TWI397139B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW098140979
申请日：2009-12-01
发明人： 薛 彥迅 , XUE, YANXUN , 魯軍 , LU, JUN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/304
CPC分类号： H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
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9.发明专利一種用於功率半導體裝置的混合合金引線框架 LEADFRAME USING HYBRID METALLIC ALLOYS FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGING 审中-公开一种用于功率半导体设备的混合合金引线框架 LEADFRAME USING HYBRID METALLIC ALLOYS FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGING
公开(公告)号：TW201117338A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW098137925
申请日：2009-11-09
申请人： 萬國半導體有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/83385
摘要： 本發明公開了一種功率半導體裝置的混合合金引線框架包括多個散熱片、一個引腳陣列；散熱片由第一種材料製成，散熱片上部設有散熱片定位孔，散熱片的下部中央部位設有散熱片焊接區，引腳陣列由與第一種材料不同的第二種材料製成，引腳陣列上下兩端分別引出多個引腳端子組。將散熱片定位在引線框架組焊板上，將引腳定位在引線框架組焊板上的上下散熱片之間的部位，並將散熱片和引腳連接構成混合合金引線框架，再經過晶片黏貼，金屬聯接和塑膠封模等步驟後，對整個封裝陣列進行切割分離而形成獨立封裝的半導體裝置。本發明的用於功率半導體裝置的混合合金引線框架的改善了引線框架的散熱性能，降低引腳框架的製作成本，提高製作的靈活性。
简体摘要： 本发明公开了一种功率半导体设备的混合合金引线框架包括多个散热片、一个引脚数组；散热片由第一种材料制成，散热片上部设有散热片定位孔，散热片的下部中央部位设有散热片焊接区，引脚数组由与第一种材料不同的第二种材料制成，引脚数组上下两端分别引出多个引脚端子组。将散热片定位在引线框架组焊板上，将引脚定位在引线框架组焊板上的上下散热片之间的部位，并将散热片和引脚连接构成混合合金引线框架，再经过芯片黏贴，金属联接和塑胶封模等步骤后，对整个封装数组进行切割分离而形成独立封装的半导体设备。本发明的用于功率半导体设备的混合合金引线框架的改善了引线框架的散热性能，降低引脚框架的制作成本，提高制作的灵活性。
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公开(公告)号：TW201023209A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098141763
申请日：2009-12-07
申请人： 萬國半導體有限公司
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01F17/0013 , H01F27/29 , H01F41/046 , H01L2224/16235 , H01L2924/15311 , Y10T29/4902 , Y10T29/49069 , Y10T29/49073
摘要： 本發明公開了一種多層電感器,其包含一個帶有外部導線分佈圖的底部磁層,形成在其底部表面上,用於連接一個印刷電路板之類的襯底。底部外部導線分佈圖包含信號/功率接頭和第一、第二電感器電極。頂部磁層包含一個具有信號/功率接頭以及電感器電極接頭的頂部外部導線分佈圖。形成在中間磁層頂面上的電感器導線分佈圖,設置在頂部和底部磁層之間,並通過通孔相互電耦合,形成一個螺旋電感器元件。螺旋電感器元件通過一個形成在底部磁層中的通孔,耦合到第一電感器電極上,通過形成在多層電感器側面上的功率傳導路徑,耦合到第二電感器電極上。通量密度減少層可以直接插入到底部磁層上方,頂部磁層下方。在多層電感器的側面上形成的信號/功率傳導路徑,為頂部磁層信號/功率接頭和底部磁層信號/功率接頭之間提供信號/功率路徑。在一個倒裝晶片裝置中,頂部外部導線分佈圖可容納一個半導體晶片。
简体摘要： 本发明公开了一种多层电感器,其包含一个带有外部导线分布图的底部磁层,形成在其底部表面上,用于连接一个印刷电路板之类的衬底。底部外部导线分布图包含信号/功率接头和第一、第二电感器电极。顶部磁层包含一个具有信号/功率接头以及电感器电极接头的顶部外部导线分布图。形成在中间磁层顶面上的电感器导线分布图,设置在顶部和底部磁层之间,并通过通孔相互电耦合,形成一个螺旋电感器组件。螺旋电感器组件通过一个形成在底部磁层中的通孔,耦合到第一电感器电极上,通过形成在多层电感器侧面上的功率传导路径,耦合到第二电感器电极上。通量密度减少层可以直接插入到底部磁层上方,顶部磁层下方。在多层电感器的侧面上形成的信号/功率传导路径,为顶部磁层信号/功率接头和底部磁层信号/功率接头之间提供信号/功率路径。在一个倒装芯片设备中,顶部外部导线分布图可容纳一个半导体芯片。
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