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    用於帶有厚背面金屬化的模壓晶片級封裝的晶圓製程
    1.
    发明专利
    用於帶有厚背面金屬化的模壓晶片級封裝的晶圓製程 审中-公开
    用于带有厚背面金属化的模压芯片级封装的晶圆制程

    公开(公告)号：TW201727778A

    公开(公告)日：2017-08-01

    申请号：TW105102272

    申请日：2016-01-25

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 薛 彥迅 ,  XUE, YANXUN ,  哈姆扎 依瑪茲 ,  HAMZA, YILMAZ ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE ,  魯軍 ,  LU, JUN ,  牛志強 ,  NIU, ZHIQIANG ,  連國峰 ,  LIAN, GUO FENG

    IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/304

    CPC分类号： H01L2224/73253

    摘要： 本發明涉及一種用於模壓晶片級封裝的晶圓製程，包括：在晶圓上的晶片焊接墊上沉積金屬凸塊；在晶圓正面製備第一封裝層，覆蓋金屬凸塊；在晶圓的邊緣處製備未覆蓋環，使複數個劃線中每個劃線的兩端都裸露出來；削薄第一封裝層，使金屬凸塊裸露出來；製備切割槽；研磨晶圓的背面，在晶圓邊緣處形成凹陷空間及支撐環；在凹陷空間中晶圓的背面沉積金屬種子層；切除晶圓的邊緣部分；在基板上翻轉並安裝晶圓；沉積覆蓋著金屬種子層的金屬層；從晶圓上除去基板；藉由沿劃線切割第一封裝層、晶圓、金屬種子層及金屬層，使單獨的晶片與晶圓分離。

    简体摘要： 本发明涉及一种用于模压芯片级封装的晶圆制程，包括：在晶圆上的芯片焊接垫上沉积金属凸块；在晶圆正面制备第一封装层，覆盖金属凸块；在晶圆的边缘处制备未覆盖环，使复数个划线中每个划线的两端都裸露出来；削薄第一封装层，使金属凸块裸露出来；制备切割槽；研磨晶圆的背面，在晶圆边缘处形成凹陷空间及支撑环；在凹陷空间中晶圆的背面沉积金属种子层；切除晶圆的边缘部分；在基板上翻转并安装晶圆；沉积覆盖着金属种子层的金属层；从晶圆上除去基板；借由沿划线切割第一封装层、晶圆、金属种子层及金属层，使单独的芯片与晶圆分离。

    電池保護包及其製備方法
    2.
    发明专利
    電池保護包及其製備方法 审中-公开
    电池保护包及其制备方法

    公开(公告)号：TW201714266A

    公开(公告)日：2017-04-16

    申请号：TW104133320

    申请日：2015-10-08

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 牛志強 ,  NIU, ZHIQIANG ,  薛 彥迅 ,  XUE, YANXUN ,  胡 滿升 ,  HU, MANSHENG ,  魯軍 ,  LU, JUN ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE ,  哈姆扎 依瑪茲 ,  HAMZA, YILMAZ

    IPC分类号： H01L23/498 ,  H01M10/42

    摘要： 本發明係揭露一種小尺寸的電池保護包，以及小尺寸電池保護包的製備方法。該電池保護包包括一第一共汲金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）、一第二共汲MOSFET、一功率控制積體電路（IC）、複數個焊錫球、複數個導電凸塊以及一封裝層。功率控制IC垂直堆疊在第一共汲MOSFET和第二共汲MOSFET上方。至少將一大部分功率控制IC以及至少將絕大部分的複數個焊錫球嵌入在封裝層中。製備電池保護包的方法包括製備功率控制IC；製備共汲MOSFET晶圓；將功率控制IC與共汲MOSFET晶圓整合並且連接引腳分配；製備一封裝層；進行研磨製程；製備一金屬層；並且分離電池保護包。

    简体摘要： 本发明系揭露一种小尺寸的电池保护包，以及小尺寸电池保护包的制备方法。该电池保护包包括一第一共汲金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、一第二共汲MOSFET、一功率控制集成电路（IC）、复数个焊锡球、复数个导电凸块以及一封装层。功率控制IC垂直堆栈在第一共汲MOSFET和第二共汲MOSFET上方。至少将一大部分功率控制IC以及至少将绝大部分的复数个焊锡球嵌入在封装层中。制备电池保护包的方法包括制备功率控制IC；制备共汲MOSFET晶圆；将功率控制IC与共汲MOSFET晶圆集成并且连接引脚分配；制备一封装层；进行研磨制程；制备一金属层；并且分离电池保护包。