公开(公告)号：TWI554644B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW100124041

申请日：2011-07-07

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 寇力克斯 亞圖 ,  KOLICS, ARTUR ,  李 威廉T ,  LEE, WILLIAM T. ,  瑞德克 佛禮茲 ,  REDEKER, FRITZ

IPC分类号： C23C18/54 ,  B32B15/01

CPC分类号： H01L24/04 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201614769A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW104120661

申请日：2015-06-26

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 茂希爾 湯瑪士 韋勒 ,  MOUNTSIER, THOMAS WELLER ,  吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  凡拉德拉彥 巴德里N ,  VARADARAJAN, BHADRI N. ,  珊卡 納葛 ,  SHANKAR, NAGRAJ ,  李 威廉T ,  LEE, WILLIAM T.

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 將介電擴散阻障層沉積於一基板上，該基板具有蝕刻於暴露的層間介電層中的穿孔以及上覆的凹槽，其中在該穿孔的底部，有來自下層內連線的暴露的金屬。為了提供從下層的金屬化層到形成於其上方的金屬化層之傳導路徑，將該介電擴散阻障層選擇性形成在該層間介電層上，而非在該穿孔的底部之暴露的金屬上。在一範例中，使用遠端電漿沉積以及含有矽與氮原子兩者的前驅物，來將介電SiCN擴散阻障層選擇性沉積在該層間介電層上。大致上，可在該層間介電層上選擇性形成具有介電常數介於約3.0-20.0的多種介電擴散阻障層之材料。

简体摘要： 将介电扩散阻障层沉积于一基板上，该基板具有蚀刻于暴露的层间介电层中的穿孔以及上覆的凹槽，其中在该穿孔的底部，有来自下层内连接的暴露的金属。为了提供从下层的金属化层到形成于其上方的金属化层之传导路径，将该介电扩散阻障层选择性形成在该层间介电层上，而非在该穿孔的底部之暴露的金属上。在一范例中，使用远程等离子沉积以及含有硅与氮原子两者的前驱物，来将介电SiCN扩散阻障层选择性沉积在该层间介电层上。大致上，可在该层间介电层上选择性形成具有介电常数介于约3.0-20.0的多种介电扩散阻障层之材料。

公开(公告)号：TW201519316A

公开(公告)日：2015-05-16

申请号：TW103121759

申请日：2014-06-24

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 李 威廉T ,  LEE, WILLIAM T. ,  賓 小敏 ,  BIN, XIAOMIN

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C23C18/54

CPC分类号： H01L21/76841 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1644 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76879

摘要： 本發明提供一種用於提供金屬填充特徵部於一層中的方法。一非保形金屬種子層係沉積於特徵部之頂部、側壁、及底部，其中沉積於特徵部之頂部和底部的種子層比沉積於特徵部側壁之種子層更多。在特徵部之頂部、側壁、及底部上之該金屬種子層係受到回蝕，其中一些金屬種子層殘留在特徵部的頂部和底部。在該等特徵部之頂部的種子層上之沉積係受抑制。提供一無電鍍「自下而上」的金屬之沉積以填充特徵部。

简体摘要： 本发明提供一种用于提供金属填充特征部于一层中的方法。一非保形金属种子层系沉积于特征部之顶部、侧壁、及底部，其中沉积于特征部之顶部和底部的种子层比沉积于特征部侧壁之种子层更多。在特征部之顶部、侧壁、及底部上之该金属种子层系受到回蚀，其中一些金属种子层残留在特征部的顶部和底部。在该等特征部之顶部的种子层上之沉积系受抑制。提供一无电镀“自下而上”的金属之沉积以填充特征部。

公开(公告)号：TWI606550B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW103106590

申请日：2014-02-26

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 尹 央錫A ,  YOON, HYUNGSUK A. ,  李 威廉T ,  LEE, WILLIAM T.

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201501241A

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW103106590

申请日：2014-02-26

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 尹 央錫A ,  YOON, HYUNGSUK A. ,  李 威廉T ,  LEE, WILLIAM T.

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提出一種在雙重鑲嵌結構中以包含銅或銅合金的填充物填充介層窗及溝渠的方法。以包含銅或銅合金之介層窗填充物進行介層窗的無電沉積填充。以包含Mn或Al的溝渠阻障層於介層窗填充物上形成溝渠阻障層。在導致溝渠阻障層的一成分穿透進入介層窗填充物中的溫度下將該溝渠阻障層回火。以包含銅或銅合金的溝渠填充物填充溝渠。

简体摘要： 提出一种在双重镶嵌结构中以包含铜或铜合金的填充物填充介层窗及沟渠的方法。以包含铜或铜合金之介层窗填充物进行介层窗的无电沉积填充。以包含Mn或Al的沟渠阻障层于介层窗填充物上形成沟渠阻障层。在导致沟渠阻障层的一成分穿透进入介层窗填充物中的温度下将该沟渠阻障层回火。以包含铜或铜合金的沟渠填充物填充沟渠。

公开(公告)号：TW201213609A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100124041

申请日：2011-07-07

申请人： 蘭姆研究公司

发明人： 寇力克斯 亞圖 ,  李 威廉T ,  瑞德克 佛禮茲

IPC分类号： C23C ,  B32B

CPC分类号： H01L24/04 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 在一實施例中，一種電子裝置的製造方法包含下列步驟：設置一基板；至少在該基板部分上無電沉積一阻障金屬；以及使用例如無電沉積的溼式化學，將具有焊料潤溼性的一實質上無金潤溼層沉積到該阻障金屬上。在一實施例中，一種電子裝置包含一金屬化堆疊。該金屬化堆疊包含無電沉積的一阻障金屬以及沉積在該阻障金屬上的一實質上無金潤溼層，以及該潤溼層可被焊料潤溼。

简体摘要： 在一实施例中，一种电子设备的制造方法包含下列步骤：设置一基板；至少在该基板部分上无电沉积一阻障金属；以及使用例如无电沉积的湿式化学，将具有焊料润湿性的一实质上无金润湿层沉积到该阻障金属上。在一实施例中，一种电子设备包含一金属化堆栈。该金属化堆栈包含无电沉积的一阻障金属以及沉积在该阻障金属上的一实质上无金润湿层，以及该润湿层可被焊料润湿。