公开(公告)号：TWI313921B

公开(公告)日：2009-08-21

申请号：TW092132757

申请日：2003-11-21

申请人： 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 蘇珊H. 多尼 SUSAN H. DOWNEY ,  彼得R. 哈伯 PETER R. HARPER ,  凱文 海斯 KEVIN HESS ,  麥可V. 雷歐尼 MICHAEL V. LEONI ,  圖-安 傳 TU-ANH TRAN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L22/32 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明揭示一種具有第一打線接合區域(202)及第二打線接合區域(204)之接線墊(200)。在一項具體實施例中,該第一打線接合區域(202)延伸至一鈍化物層(18)上。在另一具體實施例中,一接線墊(300)具有一探針區域(302)、一第一打線接合區域(304)及一第二打線接合區域(306)。在一項具體實施例中,該探針區域(302)及該打線接合區域(304)延伸至一鈍化物層(18)上。該等接線墊可具有任何數目的打線接合及探針區域,且可為任何的組態。使該等接線墊具有多個打線接合區域的能力可允許多個打線連接到一個單一接線墊,例如在多晶片包裝中。使該等接線墊可延伸到該鈍化物層之上的能力亦可允許降低積體電路晶粒區域。圖16係配合發明摘要。

简体摘要： 本发明揭示一种具有第一打线接合区域(202)及第二打线接合区域(204)之接线垫(200)。在一项具体实施例中,该第一打线接合区域(202)延伸至一钝化物层(18)上。在另一具体实施例中,一接线垫(300)具有一探针区域(302)、一第一打线接合区域(304)及一第二打线接合区域(306)。在一项具体实施例中,该探针区域(302)及该打线接合区域(304)延伸至一钝化物层(18)上。该等接线垫可具有任何数目的打线接合及探针区域,且可为任何的组态。使该等接线垫具有多个打线接合区域的能力可允许多个打线连接到一个单一接线垫,例如在多芯片包装中。使该等接线垫可延伸到该钝化物层之上的能力亦可允许降低集成电路晶粒区域。图16系配合发明摘要。