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公开(公告)号：TWI620305B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106101884
申请日：2014-03-04
发明人： 船矢琢央 , FUNAYA, TAKUO , 五十嵐孝行 , IGARASHI, TAKAYUKI
CPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L23/49575 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/06 , H01L27/0617 , H01L27/0688 , H01L28/10 , H01L2223/6655 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01015
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公开(公告)号：TW201733062A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105138398
申请日：2016-11-23
申请人： 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人： 迪拉克魯茲 賈維爾A , DELACRUZ, JAVIER A. , 哈巴 貝爾格森 , HABA, BELGACEM , 于 圖三 , VU, TU TAM , 卡特卡爾 拉傑許 , KATKAR, RAJESH
IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49555 , H01L23/49575 , H01L23/49838 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/49051 , H01L2224/4909 , H01L2224/49113 , H01L2224/49173 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/07025 , H01L2924/06 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
摘要： 堆疊式微電子封裝包括多個微電子元件，每一個微電子元件皆具有一承載接點的前表面以及延伸遠離該前表面的多個邊緣表面，以及一接觸一邊緣表面的介電囊封區。該囊封定義該封裝的第一主要表面與第二主要表面以及一介於該些主要表面之間的遠端表面。位在該遠端表面處的封裝接點包含一第一組接點以及一第二組接點，該第一組接點位在比該第二組接點靠近該第一主要表面的位置處，該第二組接點則為在比較靠近該第二主要表面的位置處。該些封裝被配置成用以使得每一個封裝的主要表面被配向在不平行於一基板之主要表面的方向中，該些封裝接點被電氣耦接至該基板表面處的對應接點。該封裝堆疊與配向能夠提供增加的封裝密度。
简体摘要： 堆栈式微电子封装包括多个微电子组件，每一个微电子组件皆具有一承载接点的前表面以及延伸远离该前表面的多个边缘表面，以及一接触一边缘表面的介电囊封区。该囊封定义该封装的第一主要表面与第二主要表面以及一介于该些主要表面之间的远程表面。位在该远程表面处的封装接点包含一第一组接点以及一第二组接点，该第一组接点位在比该第二组接点靠近该第一主要表面的位置处，该第二组接点则为在比较靠近该第二主要表面的位置处。该些封装被配置成用以使得每一个封装的主要表面被配向在不平行于一基板之主要表面的方向中，该些封装接点被电气耦接至该基板表面处的对应接点。该封装堆栈与配向能够提供增加的封装密度。
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公开(公告)号：TWI591866B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW100137044
申请日：2011-10-12
申请人： 克立公司 , CREE, INC.
发明人： 哈梭 克里斯多弗P , HUSSELL, CHRISTOPHER P. , 艾默森 大衛T , EMERSON, DAVID T. , 布禮 傑佛瑞C , BRITT, JEFFREY C.
IPC分类号： H01L33/64
CPC分类号： H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/08 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49113 , H01L2924/12032 , Y10T29/49117 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201719858A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW106101884
申请日：2014-03-04
发明人： 船矢琢央 , FUNAYA, TAKUO , 五十嵐孝行 , IGARASHI, TAKAYUKI
CPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L23/49575 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/06 , H01L27/0617 , H01L27/0688 , H01L28/10 , H01L2223/6655 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01015
摘要： 在半導體基板(SB)上隔著第1絕緣膜形成有線圈(CL1)，以能夠覆蓋第1絕緣膜及線圈(CL1)的方式形成第2絕緣膜，在第2絕緣膜上形成焊墊(PD1)。在第2絕緣膜上是形成具有露出焊墊(PD1)的一部分的開口部(OP1)之層疊膜(LF)，在前述層疊絕緣膜上形成線圈(CL2)。線圈(CL2)是被配置於線圈(CL1)的上方，線圈(CL2)與線圈(CL1)是被磁性地結合。層疊膜(LF)是由：氧化矽膜(LF1)，及其上的氮化矽膜(LF2)，以及其上的樹脂膜(LF3)所構成。
简体摘要： 在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜形成有线圈(CL1)，以能够覆盖第1绝缘膜及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成焊垫(PD1)。在第2绝缘膜上是形成具有露出焊垫(PD1)的一部分的开口部(OP1)之层叠膜(LF)，在前述层叠绝缘膜上形成线圈(CL2)。线圈(CL2)是被配置于线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)是被磁性地结合。层叠膜(LF)是由：氧化硅膜(LF1)，及其上的氮化硅膜(LF2)，以及其上的树脂膜(LF3)所构成。
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公开(公告)号：TWI580007B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW101136594
申请日：2012-10-03
申请人： 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人： 柯斯伯 理查 狄威特 , CRISP, RICHARD DEWITT , 柔伊 華爾 , ZOHNI, WAEL , 哈芭 畢哥辛 , HABA, BELGACEM , 藍布里奇 法蘭克 , LAMBRECHT, FRANK
CPC分类号： G11C5/02 , G11C5/04 , G11C5/063 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0557 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/24145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/49113 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06558 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/10161 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H05K1/181 , H05K2201/09227 , H05K2201/10159 , Y02P70/611 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
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公开(公告)号：TWI567928B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104113692
申请日：2015-04-29
申请人： 光寶光電(常州)有限公司 , LITE-ON OPTO TECHNOLOGY (CHANGZHOU) CO., LTD. , 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人： 林貞秀 , LIN, CHEN HSIU , 應宗康 , YING, TSUNG KANG , 洪斌峰 , HUNG, PIN FENG
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/49113 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201642438A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105127121
申请日：2009-07-29
发明人： 佐藤幸弘 , SATO, YUKIHIRO , 宇野友彰 , UNO, TOMOAKI
IPC分类号： H01L25/04 , H01L25/18 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC分类号： H01L23/492 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/91 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85439 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12044 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本發明公開了一種可提高半導體裝置之可靠性的技術。在半導體裝置SM1的封裝PA內包裝了形成有功率金氧半場效電晶體之半導體晶片4PH,4PL、和形成有控制其動作的控制電路之半導體晶片4D，半導體晶片4PH,4PL,4D各自被搭載在印模銲墊7D1,7D2,7D3之上。高側的半導體晶片4PH的源極電極用的接合銲墊12S1,12S2，經由金屬板8A與印模銲墊7D2電性連接。在印模銲墊7D2的上表面設有形成於搭載了半導體晶片4PL的區域的電鍍層9b、以及形成於接合有金屬板8A的區域的電鍍層9c，電鍍層9b和電鍍層9c經由未形成有電鍍層的區域被隔開。
简体摘要： 本发明公开了一种可提高半导体设备之可靠性的技术。在半导体设备SM1的封装PA内包装了形成有功率金氧半场效应管之半导体芯片4PH,4PL、和形成有控制其动作的控制电路之半导体芯片4D，半导体芯片4PH,4PL,4D各自被搭载在印模焊垫7D1,7D2,7D3之上。高侧的半导体芯片4PH的源极电极用的接合焊垫12S1,12S2，经由金属板8A与印模焊垫7D2电性连接。在印模焊垫7D2的上表面设有形成于搭载了半导体芯片4PL的区域的电镀层9b、以及形成于接合有金属板8A的区域的电镀层9c，电镀层9b和电镀层9c经由未形成有电镀层的区域被隔开。
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公开(公告)号：TW201639047A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104141442
申请日：2015-12-10
发明人： 池田侑一郎 , IKEDA, YUICHIRO , 小谷憲 , KOTANI, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H01L23/49541 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/544 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2223/5446 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/10162 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3862 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： 半導體裝置PKG，具有：半導體晶片CP、引線LD3、將半導體晶片CP的襯墊電極PD2與引線LD3電連接的導線BW5、將半導體晶片CP的襯墊電極PD3與引線LD3電連接的導線BW3，以及將該等構件以樹脂封裝的封裝體。半導體晶片CP，包含內部電路5b、內部電路5c以及開關電路部SW，在內部電路5c與襯墊電極PD3之間可傳送信號。開關電路部SW，係可設定成在內部電路5b與襯墊電極PD2之間可傳送信號的第1狀態以及在內部電路5b與襯墊電極PD2之間無法傳送信號的第2狀態的電路。在半導體裝置PKG的動作中，開關電路部SW，固定於第2狀態。
简体摘要： 半导体设备PKG，具有：半导体芯片CP、引线LD3、将半导体芯片CP的衬垫电极PD2与引线LD3电连接的导线BW5、将半导体芯片CP的衬垫电极PD3与引线LD3电连接的导线BW3，以及将该等构件以树脂封装的封装体。半导体芯片CP，包含内部电路5b、内部电路5c以及开关电路部SW，在内部电路5c与衬垫电极PD3之间可发送信号。开关电路部SW，系可设置成在内部电路5b与衬垫电极PD2之间可发送信号的第1状态以及在内部电路5b与衬垫电极PD2之间无法发送信号的第2状态的电路。在半导体设备PKG的动作中，开关电路部SW，固定于第2状态。
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公开(公告)号：TWI550915B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW101104489
申请日：2012-02-13
申请人： LG伊諾特股份有限公司 , LG INNOTEK CO., LTD.
发明人： 金台鎮 , KIM, TAE JIN
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/50 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , C09K11/7738 , C09K11/7739 , H01L2224/48091 , H01L2224/49113 , H01L2924/07 , H01L2924/1301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201633478A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104138661
申请日：2015-11-20
申请人： 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： 倪 勝錦 , YE, SENG KIM , 黃宏遠 , NG, HONG WAN
CPC分类号： H01L25/0657 , G06F13/1668 , G06F13/1694 , H01L22/14 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/04 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/03 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/13083 , H01L2224/1319 , H01L2224/16225 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/29294 , H01L2224/2939 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/81855 , H01L2224/81856 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/83874 , H01L2224/92227 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/14 , H01L2924/143 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/15184 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/83101 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2224/83
摘要： 本文揭示具有記憶體封裝堆疊下之控制器之記憶體裝置及相關之系統及方法。在一實施例中，一記憶體裝置經組態以耦合至一主機且可包含一基板、記憶體封裝之一堆疊及定位於該堆疊與該基板之間之一控制器。該控制器可基於來自該主機之命令而管理由該等記憶體封裝儲存之資料。
简体摘要： 本文揭示具有内存封装堆栈下之控制器之内存设备及相关之系统及方法。在一实施例中，一内存设备经组态以耦合至一主机且可包含一基板、内存封装之一堆栈及定位于该堆栈与该基板之间之一控制器。该控制器可基于来自该主机之命令而管理由该等内存封装存储之数据。
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