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1.

发明专利
具有貫穿電極之半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THROUGH-ELECTRODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有贯穿电极之半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THROUGH-ELECTRODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

公开(公告)号：TW201117346A

公开(公告)日：2011-05-16

申请号：TW099119134

申请日：2010-06-11

申请人： 東芝股份有限公司

发明人： 早崎裕子 , 萩原健一郎

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14683 , H01L2224/02372 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024

摘要： 半導體裝置係具備：第1絕緣膜，被形成於半導體基板之第1主面上；電極焊墊，被形成於上述第1主面上之上述第1絕緣膜內，上述電極焊墊係由導電膜構成，在該導電膜之至少一部分具有不存在上述導電膜的空區域；外部連接端子，被形成於上述半導體基板之和上述第1主面呈對向的第2主面上；及貫穿電極，被形成於由上述半導體基板之上述第2主面側起被挖空而到達上述電極焊墊的貫穿孔內，上述貫穿電極係用於電連接上述電極焊墊與上述外部連接端子。在上述電極焊墊所具有之上述空區域存在著上述第1絕緣膜，存在於上述空區域的上述第1絕緣膜與上述電極焊墊間之於貫穿電極側之段差為上述電極焊墊之厚度以下。

简体摘要： 半导体设备系具备：第1绝缘膜，被形成于半导体基板之第1主面上；电极焊垫，被形成于上述第1主面上之上述第1绝缘膜内，上述电极焊垫系由导电膜构成，在该导电膜之至少一部分具有不存在上述导电膜的空区域；外部连接端子，被形成于上述半导体基板之和上述第1主面呈对向的第2主面上；及贯穿电极，被形成于由上述半导体基板之上述第2主面侧起被挖空而到达上述电极焊垫的贯穿孔内，上述贯穿电极系用于电连接上述电极焊垫与上述外部连接端子。在上述电极焊垫所具有之上述空区域存在着上述第1绝缘膜，存在于上述空区域的上述第1绝缘膜与上述电极焊垫间之于贯穿电极侧之段差为上述电极焊垫之厚度以下。

2.

发明专利
使用頂部後護層技術及底部結構技術之積體電路晶片 INTEGRATED CIRCUIT CHIP USING TOP POST-PASSIVATION TECHNOLOGY AND BOTTOM STRUCTURE TECHNOLOGY 审中-公开
简体标题：使用顶部后护层技术及底部结构技术之集成电路芯片 INTEGRATED CIRCUIT CHIP USING TOP POST-PASSIVATION TECHNOLOGY AND BOTTOM STRUCTURE TECHNOLOGY

公开(公告)号：TW201108387A

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：TW099107175

申请日：2010-03-11

申请人： 米輯電子股份有限公司

发明人： 林茂雄 , 李進源 , 羅心榮 , 楊秉榮 , 劉德笙

IPC分类号： H01L

CPC分类号： G06F1/16 , G11C5/147 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/60 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/50 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2223/6611 , H01L2223/6666 , H01L2224/02166 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02321 , H01L2224/0233 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/0237 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03612 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05541 , H01L2224/05548 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/11 , H01L2224/11009 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/1191 , H01L2224/13 , H01L2224/13006 , H01L2224/1302 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13311 , H01L2224/13609 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/16265 , H01L2224/17181 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/32105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48111 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2224/48764 , H01L2224/48769 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48864 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2224/4918 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81444 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/83104 , H01L2224/83851 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/92125 , H01L2224/92127 , H01L2224/92147 , H01L2224/92225 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01059 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1421 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48869 , H01L2224/48744 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/0361 , H01L2924/0665 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L24/78 , H01L2224/85 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L2924/0635 , H01L2924/07025 , H01L21/304 , H01L21/76898 , H01L2224/0231

摘要： 本發明係揭示積體電路晶片與晶片封裝,其包括上方護層體系在積體電路晶片之頂部上,與底部體系在積體電路晶片之底部上,使用頂部後護層技術與底部結構技術。此積體電路晶片可經過該上方護層體系或底部體系被連接至外部電路或結構,譬如球格柵陣列(BGA)基板、印刷電路板、半導體晶片、金屬基板、玻璃基板或陶瓷基板。相關製造技術係經描述。

简体摘要： 本发明系揭示集成电路芯片与芯片封装,其包括上方护层体系在集成电路芯片之顶部上,与底部体系在集成电路芯片之底部上,使用顶部后护层技术与底部结构技术。此集成电路芯片可经过该上方护层体系或底部体系被连接至外部电路或结构,譬如球格栅数组(BGA)基板、印刷电路板、半导体芯片、金属基板、玻璃基板或陶瓷基板。相关制造技术系经描述。

3.

发明专利
半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

公开(公告)号：TW200737495A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：TW095133635

申请日：2006-09-12

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 松木浩久 MATSUKI, HIROHISA , 福田淳 FUKUDA, JUN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/12 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L27/11502 , H01L28/57 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05017 , H01L2224/05018 , H01L2224/05073 , H01L2224/05093 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1134 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48477 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/85051 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15183 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 一種可改良一FeRAM之防水性的半導體元件及其製造方法。在使用一墊進行探針測試之後,一金屬膜會被製成來覆蓋在一保護膜之開孔內的該墊及由該墊至保護膜開孔外緣的區域。在該金屬膜上,一金屬凸體會被製成。該金屬膜係被製成具有第一和第二金屬膜的雙層結構。該上下兩層材料主要係分別考量其對該保護膜和金屬凸體的黏性而來選擇。其薄膜形成條件會被設成能提供該各金屬膜所需的品質和厚度。故,由該墊或其周邊進入一鐵電電容器的水氣滲透將會被阻止,因此由於滲入水氣所發生的電位倒轉異常將能被有效地抑止。

简体摘要： 一种可改良一FeRAM之防水性的半导体组件及其制造方法。在使用一垫进行探针测试之后,一金属膜会被制成来覆盖在一保护膜之开孔内的该垫及由该垫至保护膜开孔外缘的区域。在该金属膜上,一金属凸体会被制成。该金属膜系被制成具有第一和第二金属膜的双层结构。该上下两层材料主要系分别考量其对该保护膜和金属凸体的黏性而来选择。其薄膜形成条件会被设成能提供该各金属膜所需的品质和厚度。故,由该垫或其周边进入一铁电电容器的水汽渗透将会被阻止,因此由于渗入水汽所发生的电位倒转异常将能被有效地抑止。

4.

发明专利
半導體裝置、半導體裝置之製造方法、電子零件、電路基板及電子機器 SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC COMPONENT, CIRCUIT BOARD, AND ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备、半导体设备之制造方法、电子零件、电路基板及电子机器 SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC COMPONENT, CIRCUIT BOARD, AND ELECTRONIC DEVICE

公开(公告)号：TW200721418A

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：TW095129010

申请日：2006-08-08

申请人： 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION

发明人： 橋元伸晃 HASHIMOTO, NOBUAKI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3114 , H01L23/525 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/16 , H01L2224/0231 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/85 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01074

摘要： 本發明之半導體裝置,其包含:具有主動面之半導體基板、設置於前述主動面側之第1電極、設置於前述主動面側且與前述第1電極電性連接之外部連接端子、和設置於前述半導體基板之主動面側之連接用端子。

简体摘要： 本发明之半导体设备,其包含:具有主动面之半导体基板、设置于前述主动面侧之第1电极、设置于前述主动面侧且与前述第1电极电性连接之外部连接端子、和设置于前述半导体基板之主动面侧之连接用端子。

5.

发明专利
具有接線墊之半導體裝置及其方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A BOND PAD AND METHOD THEREFOR 审中-公开
简体标题：具有接线垫之半导体设备及其方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A BOND PAD AND METHOD THEREFOR

公开(公告)号：TW200503221A

公开(公告)日：2005-01-16

申请号：TW092132757

申请日：2003-11-21

申请人： 摩托羅拉公司 MOTOROLA INC

发明人： 蘇珊H. 多尼 SUSAN H. DOWNEY , 彼得R. 哈柏 PETER R. HARPER , 凱文海斯 KEVIN HESS , 麥可V. 雷歐尼 MICHAEL V. LEONI , 圖-安傳 TU-ANH TRAN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/05 , H01L22/32 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0657 , H01L2224/02166 , H01L2224/0392 , H01L2224/04042 , H01L2224/05001 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/32145 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/4911 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49431 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06596 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/01007 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本發明揭示一種具有第一打線接合區域(202)及第二打線接合區域(204)之接線墊(200)。在一項具體實施例中，該第一打線接合區域(202)延伸至一鈍化層(18)上。在另一具體實施例中，一接線墊(300)具有一探針區域(302)、一第一打線接合區域(304)及一第二打線接合區域(306)。在一項具體實施例中，該探針區域(302)及該打線接合區域(304)延伸至一鈍化層(18)上。該等接線墊可具有任何數目的打線接合及探針區域，且可為任何的組態。使該等接線墊具有多個打線接合區域的能力可允許多個打線連接到一個單一接線墊，例如在多晶片包裝中。使該等接線墊可延伸到該鈍化層之上的能力亦可允許降低積體電路晶粒區域。

简体摘要： 本发明揭示一种具有第一打线接合区域(202)及第二打线接合区域(204)之接线垫(200)。在一项具体实施例中，该第一打线接合区域(202)延伸至一钝化层(18)上。在另一具体实施例中，一接线垫(300)具有一探针区域(302)、一第一打线接合区域(304)及一第二打线接合区域(306)。在一项具体实施例中，该探针区域(302)及该打线接合区域(304)延伸至一钝化层(18)上。该等接线垫可具有任何数目的打线接合及探针区域，且可为任何的组态。使该等接线垫具有多个打线接合区域的能力可允许多个打线连接到一个单一接线垫，例如在多芯片包装中。使该等接线垫可延伸到该钝化层之上的能力亦可允许降低集成电路晶粒区域。

6.

发明专利
半導體積體電路裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备及其制造方法

公开(公告)号：TW538490B

公开(公告)日：2003-06-21

申请号：TW091105484

申请日：2002-03-21

申请人： 日立製作所股份有限公司

发明人： 宮本俊夫 , 安生一郎 , 西村朝雄 , 山口欣秀

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/5258 , H01L23/3114 , H01L27/10814 , H01L27/10897 , H01L2224/0392 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/16 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/04941 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05147 , H01L2224/05171

摘要： 本發明係能夠於藉由切斷保險絲進行缺陷補救的晶圓級 CSP(晶片尺寸封裝)中，提高再配線的布局之自由度。
本發明係以雷射光束照射保險絲以進行缺陷補救後，於保險絲開孔部11的內部填充有機鈍化膜(感光性聚醯亞胺樹脂膜)5，再於有機鈍化膜5的上部，形成再配線2、凸塊端子2A、頂層保護膜12以及銲錫凸塊14。在缺陷補救進行過後的步驟中，為防止記憶單元的更新時間不一致，故使彈性體層10及頂層保護膜12硬化之烘烤處理，係於260℃以下之溫度進行。

简体摘要： 本发明系能够于借由切断保险丝进行缺陷补救的晶圆级 CSP(芯片尺寸封装)中，提高再配线的布局之自由度。本发明系以激光光束照射保险丝以进行缺陷补救后，于保险丝开孔部11的内部填充有机钝化膜(感光性聚酰亚胺树脂膜)5，再于有机钝化膜5的上部，形成再配线2、凸块端子2A、顶层保护膜12以及焊锡凸块14。在缺陷补救进行过后的步骤中，为防止记忆单元的更新时间不一致，故使弹性体层10及顶层保护膜12硬化之烘烤处理，系于260℃以下之温度进行。