公开(公告)号：TWI426589B

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：TW097137618

申请日：2008-09-30

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED

发明人： 弗蘭茨娃 赫爾伯特 ,  FRANCOIS HEBERT ,  安荷 叭剌 ,  ANUP BHALLA ,  劉凱 ,  KAI LIU ,  孫明 ,  MING SUN

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/40 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/64 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/37099

公开(公告)号：TW201306985A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101125590

申请日：2012-07-16

申请人： 日立電線股份有限公司 ,  HITACHI CABLE, LTD.

发明人： 佐川英之 ,  SAGAWA, HIDEYUKI ,  青山正義 ,  AOYAMA, SEIGI ,  黑田洋光 ,  KURODA, HIROMITSU ,  鷲見亨 ,  SUMI, TORU ,  藤戶啟輔 ,  FUJITO, KEISUKE ,  岡田良平 ,  OKADA, RYOHEI

IPC分类号： B23K35/02 ,  B23K35/30 ,  C22C9/00

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45618 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01016

摘要： 本發明的目的是提供具有高抗拉強度、伸長，並且硬度小的銅銲線。作為解決本發明課題的方法有關一種銅銲線，其特徵在於，由軟質低濃度銅合金材料構成，所述軟質低濃度銅合金材料包含選自由Ti、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn和Cr所組成的群組中的添加元素且其餘部分為銅和不可避免的雜質，所述銅銲線的晶體組織從表面至少向內部直至線徑的20%的深度為止的平均晶粒尺寸為20μm以下。

简体摘要： 本发明的目的是提供具有高抗拉强度、伸长，并且硬度小的铜焊线。作为解决本发明课题的方法有关一种铜焊线，其特征在于，由软质低浓度铜合金材料构成，所述软质低浓度铜合金材料包含选自由Ti、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn和Cr所组成的群组中的添加元素且其余部分为铜和不可避免的杂质，所述铜焊线的晶体组织从表面至少向内部直至线径的20%的深度为止的平均晶粒尺寸为20μm以下。

公开(公告)号：TW201117337A

公开(公告)日：2011-05-16

申请号：TW099120023

申请日：2010-06-18

申请人： 羅姆股份有限公司

发明人： 芳我基治 ,  吉田真悟 ,  糟谷泰正 ,  永原斗一 ,  木村明寬 ,  藤井賢治

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/005 ,  B23K20/10 ,  B23K20/24 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48451 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78303 ,  H01L2224/78307 ,  H01L2224/78309 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/00015

摘要： 本發明之半導體裝置包括：半導體晶片；電極焊墊，其包括含鋁之金屬材料且形成於上述半導體晶片之表面；電極引線，其配置於上述半導體晶片之周圍；接線，其包括呈線狀延伸之本體部、以及形成於上述本體部之兩端且分別與上述電極焊墊及上述電極引線接合之焊墊接合部及引線接合部；以及樹脂封裝體，其密封上述半導體晶片、上述電極引線及上述接線；且上述接線包含銅；整個上述電極焊墊及整個上述焊墊接合部均由不透水膜一體地包覆。

简体摘要： 本发明之半导体设备包括：半导体芯片；电极焊垫，其包括含铝之金属材料且形成于上述半导体芯片之表面；电极引线，其配置于上述半导体芯片之周围；接线，其包括呈线状延伸之本体部、以及形成于上述本体部之两端且分别与上述电极焊垫及上述电极引线接合之焊垫接合部及引线接合部；以及树脂封装体，其密封上述半导体芯片、上述电极引线及上述接线；且上述接线包含铜；整个上述电极焊垫及整个上述焊垫接合部均由不透水膜一体地包覆。

公开(公告)号：TW201036087A

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：TW098136838

申请日：2009-10-30

申请人： 格羅方德美國公司

发明人： 雷爾 馬提絲 ,  科奇媚絲特 法蘭克 ,  賽葛爾 法蘭克

IPC分类号： H01L

CPC分类号： B21C3/02 ,  B21C3/04 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/745 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43847 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/745 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00015

摘要： 用於精密之接合應用的接合線可基於對應的模板裝置而有效率地形成,該模板裝置可基於例如矽之半導體材料並結合例如微影和蝕刻技術之相關的製造技術而形成。所以,任何適當的直徑和截面形狀可以高度準確性和可靠性來獲得。

简体摘要： 用于精密之接合应用的接合线可基于对应的模板设备而有效率地形成,该模板设备可基于例如硅之半导体材料并结合例如微影和蚀刻技术之相关的制造技术而形成。所以,任何适当的直径和截面形状可以高度准确性和可靠性来获得。

公开(公告)号：TWI313921B

公开(公告)日：2009-08-21

申请号：TW092132757

申请日：2003-11-21

申请人： 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 蘇珊H. 多尼 SUSAN H. DOWNEY ,  彼得R. 哈伯 PETER R. HARPER ,  凱文 海斯 KEVIN HESS ,  麥可V. 雷歐尼 MICHAEL V. LEONI ,  圖-安 傳 TU-ANH TRAN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L22/32 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明揭示一種具有第一打線接合區域(202)及第二打線接合區域(204)之接線墊(200)。在一項具體實施例中,該第一打線接合區域(202)延伸至一鈍化物層(18)上。在另一具體實施例中,一接線墊(300)具有一探針區域(302)、一第一打線接合區域(304)及一第二打線接合區域(306)。在一項具體實施例中,該探針區域(302)及該打線接合區域(304)延伸至一鈍化物層(18)上。該等接線墊可具有任何數目的打線接合及探針區域,且可為任何的組態。使該等接線墊具有多個打線接合區域的能力可允許多個打線連接到一個單一接線墊,例如在多晶片包裝中。使該等接線墊可延伸到該鈍化物層之上的能力亦可允許降低積體電路晶粒區域。圖16係配合發明摘要。

简体摘要： 本发明揭示一种具有第一打线接合区域(202)及第二打线接合区域(204)之接线垫(200)。在一项具体实施例中,该第一打线接合区域(202)延伸至一钝化物层(18)上。在另一具体实施例中,一接线垫(300)具有一探针区域(302)、一第一打线接合区域(304)及一第二打线接合区域(306)。在一项具体实施例中,该探针区域(302)及该打线接合区域(304)延伸至一钝化物层(18)上。该等接线垫可具有任何数目的打线接合及探针区域,且可为任何的组态。使该等接线垫具有多个打线接合区域的能力可允许多个打线连接到一个单一接线垫,例如在多芯片包装中。使该等接线垫可延伸到该钝化物层之上的能力亦可允许降低集成电路晶粒区域。图16系配合发明摘要。

公开(公告)号：TW200903674A

公开(公告)日：2009-01-16

申请号：TW096150917

申请日：2007-12-28

申请人： 聯合科技(股份有限)公司 UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD. ,  渥根 約漢尼斯 海茲爾 HETZEL, WOLFGANG JOHANNES ,  華納爾 約賽弗 瑞斯 REISS, WERNER JOSEF ,  佛羅倫 愛米爾 AMMER, FLORIAN

发明人： 黃健庭 ENG, KIAN TENG ,  渥根 約漢尼斯 海茲爾 HETZEL, WOLFGANG JOHANNES ,  華納爾 約賽弗 瑞斯 REISS, WERNER JOSEF ,  佛羅倫 愛米爾 AMMER, FLORIAN ,  許榮泉 KOH, YONG CHUAN ,  吉米歇 SIAT, JIMMY

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明揭示一種半導體封裝及其構造方法,其包括一第一基板、一附著於該第一基板的第一半導體晶片及一第一銅線。該第一基板與該第一半導體晶片之至少一者具有塗布於一表面的至少一部分上之一有機可焊性保護(OSP)材料,而該第一銅線係透過該OSP材料而線結合至該第一基板及該第一半導體晶片。

简体摘要： 本发明揭示一种半导体封装及其构造方法,其包括一第一基板、一附着于该第一基板的第一半导体芯片及一第一铜线。该第一基板与该第一半导体芯片之至少一者具有涂布于一表面的至少一部分上之一有机可焊性保护(OSP)材料,而该第一铜线系透过该OSP材料而线结合至该第一基板及该第一半导体芯片。

公开(公告)号：TWI303855B

公开(公告)日：2008-12-01

申请号：TW095108679

申请日：2006-03-15

申请人： 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD.

发明人： 高井信行 TAKAI, NOBUYUKI ,  鈴木琢也 SUZUKI, TAKUYA ,  塚田雄二 TSUKADA, YUJI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00015

摘要： 本發明係提供一種半導體裝置及其製造方法,係具有由含鋁配線層構成的銲墊,而能達到提升其製造良品率者。
本發明的半導體裝置之製造方法,係包含:以蝕刻去除形成在半導體基板(10)最上層之第2配線層(22)(如;以鋁構成)上的反射防止層(23A)(如;以鈦合金構成)一部分之去除製程;形成覆蓋於反射防止層(23A)及未形成該反射防止層(23A)之第2配線層(22)一部分上,且具有露出第2配線層(22)其他的一部分為開口部(24)鈍化層(passivation)(25A)的形成製程,及藉由切割將半導體基板(10)分離為複數個半導體晶片的製程。由此,得以在開口部(24)內不露出反射防止層(23A),因而,得以抑制習用例之因第2配線層(22)與反射防止層(23A)的電池反應,而溶出第2配線層(22)之現象。

简体摘要： 本发明系提供一种半导体设备及其制造方法,系具有由含铝配线层构成的焊垫,而能达到提升其制造良品率者。 本发明的半导体设备之制造方法,系包含:以蚀刻去除形成在半导体基板(10)最上层之第2配线层(22)(如;以铝构成)上的反射防止层(23A)(如;以钛合金构成)一部分之去除制程;形成覆盖于反射防止层(23A)及未形成该反射防止层(23A)之第2配线层(22)一部分上,且具有露出第2配线层(22)其他的一部分为开口部(24)钝化层(passivation)(25A)的形成制程,及借由切割将半导体基板(10)分离为复数个半导体芯片的制程。由此,得以在开口部(24)内不露出反射防止层(23A),因而,得以抑制习用例之因第2配线层(22)与反射防止层(23A)的电池反应,而溶出第2配线层(22)之现象。

公开(公告)号：TW200816374A

公开(公告)日：2008-04-01

申请号：TW095136115

申请日：2006-09-29

申请人： 米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION

发明人： 林茂雄 LIN, MOU SHIUNG ,  李進源 LEE, JIN YUAN ,  周健康 CHOU, CHIEN KANG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0251 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明係提供一種線路元件結構,其係透過保護層上方的金屬線路或平面,使保護層下方的內部電路將訊號傳送至同一晶片上的數個元件或電路單元,或是透過保護層上方的金屬線路或平面將電源電壓或接地參考電壓分配至同一晶片上的數個元件或電路單元。

简体摘要： 本发明系提供一种线路组件结构,其系透过保护层上方的金属线路或平面,使保护层下方的内部电路将信号发送至同一芯片上的数个组件或电路单元,或是透过保护层上方的金属线路或平面将电源电压或接地参考电压分配至同一芯片上的数个组件或电路单元。

公开(公告)号：TW200807586A

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：TW095146261

申请日：2006-12-11

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 西村隆雄 NISHIMURA, TAKAO ,  成澤良明 NARISAWA, YOSHIAKI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/48487 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49426 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85191 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/4554

摘要： 本發明提供了一個小型、高性能之半導體元件,其防止相鄰導線之間互相接觸,以增加佈線設計之彈性,並提供了用於製造半導體元件的一個有效率方法。半導體元件包括一塊在其表面上配置了一個電極之基板;以及一個在其表面上配置了一個電極且由基板支撐的第一半導體構件,其中有一條第一導線透過第一凸塊接至基板及半導體構件上方的至少其中一個電極(亦即電極21及22之中至少其中一個),並有一條第二導線透過第二凸塊接至導線的一個接合部分。

简体摘要： 本发明提供了一个小型、高性能之半导体组件,其防止相邻导线之间互相接触,以增加布线设计之弹性,并提供了用于制造半导体组件的一个有效率方法。半导体组件包括一块在其表面上配置了一个电极之基板;以及一个在其表面上配置了一个电极且由基板支撑的第一半导体构件,其中有一条第一导线透过第一凸块接至基板及半导体构件上方的至少其中一个电极(亦即电极21及22之中至少其中一个),并有一条第二导线透过第二凸块接至导线的一个接合部分。

公开(公告)号：TW200802830A

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：TW096123300

申请日：2007-06-27

申请人： 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

发明人： 南尾匡紀 MINAMIO, MASANORI ,  丸尾哲正 MARUO, TETSUMASA ,  糸井清一 ITOI, KIYOKAZU ,  福田敏行 FUKUDA, TOSHIYUKI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/16315 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2924/20752

摘要： 本發明旨在提供一種固體攝像裝置,即使在高溫高濕下,也抑制在金引線和鋁電極界面的合金層產生腐蝕。固體攝像裝置(1)具備:陶瓷基板(10),其搭載有固體攝像元件(14);透明部件(11),用於接合陶瓷基板(10)和透明部件(11)的樹脂接著劑(20)的聚合引發劑是以含鹵素芳香族化合物作為陰離子的翁鹽。

简体摘要： 本发明旨在提供一种固体摄像设备,即使在高温高湿下,也抑制在金引线和铝电极界面的合金层产生腐蚀。固体摄像设备(1)具备:陶瓷基板(10),其搭载有固体摄像组件(14);透明部件(11),用于接合陶瓷基板(10)和透明部件(11)的树脂接着剂(20)的聚合引发剂是以含卤素芳香族化合物作为阴离子的翁盐。