公开(公告)号：TW201515187A

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：TW103121357

申请日：2014-06-20

申请人： PS4盧克斯科公司 ,  PS4 LUXCO S. A. R. L.

发明人： 辻大輔 ,  TSUJI, DAISUKE

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 本發明之半導體裝置，係將分別具備有複數之凸塊電極的複數之半導體晶片作層積，前述複數之半導體晶片，係具備有被形成於各別之側面處的辨識部，在前述半導體晶片之各者處，前述複數之凸塊電極係被同樣地作配置，前述辨識部，係以使其與前述複數之凸塊電極中的被設置在既定之場所處之作為基準的凸塊電極之間的位置關係會成為相等的方式來形成，前述複數之半導體晶片，係將被設置於各半導體晶片處之凸塊電極以半導體晶片之層積順序來作電性連接，並且以使被形成有前述辨識部之側面會朝向相同方向的方式而被層積。

简体摘要： 本发明之半导体设备，系将分别具备有复数之凸块电极的复数之半导体芯片作层积，前述复数之半导体芯片，系具备有被形成于各别之侧面处的辨识部，在前述半导体芯片之各者处，前述复数之凸块电极系被同样地作配置，前述辨识部，系以使其与前述复数之凸块电极中的被设置在既定之场所处之作为基准的凸块电极之间的位置关系会成为相等的方式来形成，前述复数之半导体芯片，系将被设置于各半导体芯片处之凸块电极以半导体芯片之层积顺序来作电性连接，并且以使被形成有前述辨识部之侧面会朝向相同方向的方式而被层积。