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公开(公告)号：TWI599728B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW104141211
申请日：2015-12-08
发明人： 王祥賓 , WANG, HSIANG-PIN , 簡國諭 , CHIEN, KUO-YU , 許富銓 , HSU, FU-CHUAN
CPC分类号： B32B3/26 , B23K15/0086 , B23K26/342 , B32B1/08 , B32B3/266 , B32B15/08 , B32B15/092 , B32B15/18 , B32B15/20 , B32B27/06 , B32B27/281 , B32B27/38 , B32B2250/02 , B32B2307/724 , B32B2307/732 , B32B2457/00 , B32B2597/00 , B33Y10/00 , B33Y80/00
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公开(公告)号：TW201609431A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104123247
申请日：2015-07-17
发明人： 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 沙布藍尼安納薩K , SUBRAMANI, ANANTHA K. , 克利許南卡錫拉曼 , KRISHNAN, KASIRAMAN , 孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 伯瑞羅斯基湯瑪斯B , BREZOCZKY, THOMAS B. , 羅蘭德克里斯托弗A , ROWLAND, CHRISTOPHER A. , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 史林尼法森史瓦米奈森 , SRINIVASAN, SWAMINATHAN , 亞維格賽蒙 , YAVELBERG, SIMON , 葉怡利 , YIEH, ELLIE Y. , 黃福T , NG, HOU T.
CPC分类号： B22F3/1055 , B22F1/0088 , B22F2003/1056 , B22F2003/1057 , B23K26/1464 , B23K26/342 , B23K26/702 , B28B1/001 , B28B17/0081 , B29C64/153 , B29C64/20 , B29C64/386 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y40/00 , B33Y50/02 , Y02P10/295
摘要： 積層製造系統包含：一平台；一供給材料分配器設備，該供給材料分配器設備經配置以輸送一層供給材料至該平台上；一雷射來源，該雷射來源經配置以在使用該積層製造系統期間產生一雷射光束；一控制器，該控制器經配置以引導該雷射光束至平台上一電腦輔助設計程式所規定的位置處以造成該供給材料熔融；一氣體來源，該氣體來源經配置以供應氣體；及一噴嘴，該噴嘴經配置以加速及引導該氣體至該平台上與該雷射光束實質相同的位置。
简体摘要： 积层制造系统包含：一平台；一供给材料分配器设备，该供给材料分配器设备经配置以输送一层供给材料至该平台上；一激光来源，该激光来源经配置以在使用该积层制造系统期间产生一激光光束；一控制器，该控制器经配置以引导该激光光束至平台上一电脑辅助设计进程所规定的位置处以造成该供给材料熔融；一气体来源，该气体来源经配置以供应气体；及一喷嘴，该喷嘴经配置以加速及引导该气体至该平台上与该激光光束实质相同的位置。
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公开(公告)号：TWI492888B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101115309
申请日：2012-04-27
申请人： 伊登公司 , EATON CORPORATION
发明人： 齊里安 麥可 李 , KILLIAN, MICHAEL LEE , 特魯布洛斯基 約翰 , TRUBLOWSKI, JOHN , 洛 克里斯多夫S , RAU, CHRISTOPHER S. , 泰嵐 德瑞克R , THELEN, DEREK R.
CPC分类号： B01D35/30 , B23K26/0823 , B23K26/144 , B23K26/32 , B23K26/342 , B23K31/02 , B23K35/0244 , B23K35/3033 , B23K35/3046 , B23K35/32 , B23K2201/06 , B23K2201/34 , B23K2201/35 , B23K2203/02 , B23K2203/04 , B23K2203/05 , B23K2203/06 , B23K2203/08 , B23K2203/18 , B23K2203/26 , B23K2203/50
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公开(公告)号：TWI472427B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW101102390
申请日：2012-01-20
发明人： 莊傳勝 , ZHUANG, CHUAN SHENG , 林敬智 , LIN, CHING CHIH , 林得耀 , LIN, STEVEN , 戴維倫 , TAI, WEI LUN , 曾文鵬 , TSENG, WENG PENG , 洪基彬 , HORNG, JI BIN
IPC分类号： B32B19/00
CPC分类号： B05C19/005 , B05C19/008 , B05C19/06 , B22F1/0003 , B22F3/1055 , B22F2003/1056 , B23K26/342 , B23K26/702 , B29C64/153 , B29C64/20 , B33Y30/00 , B33Y40/00 , Y02P10/295
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公开(公告)号：TW201331026A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101102390
申请日：2012-01-20
发明人： 莊傳勝 , ZHUANG, CHUAN SHENG , 林敬智 , LIN, CHING CHIH , 林得耀 , LIN, STEVEN , 戴維倫 , TAI, WEI LUN , 曾文鵬 , TSENG, WENG PENG , 洪基彬 , HORNG, JI BIN
IPC分类号： B32B19/00
CPC分类号： B05C19/005 , B05C19/008 , B05C19/06 , B22F1/0003 , B22F3/1055 , B22F2003/1056 , B23K26/342 , B23K26/702 , B29C64/153 , B29C64/20 , B33Y30/00 , B33Y40/00 , Y02P10/295
摘要： 本發明提供一種粉體鋪層裝置與方法及其積層製造方法，其係可以將不同粒徑或不同種類粉體裝載於一盛料容器內。該盛料容器藉由旋轉運動將粉體均勻混合，再透過旋轉運動與橫向位移運動與將該粉體鋪層。在另一實施例中，該盛料容器內更具有加熱元件，以對粉體進行加熱。本發明之積層製造之鋪層裝置與方法不但可以讓粉體均勻混合以減小熱變形與緻密鋪層，更可依需求在每一鋪層面，鋪上不同成份或不同粒徑組成之粉體，以增加積層製造應用領域多元性。
简体摘要： 本发明提供一种粉体铺层设备与方法及其积层制造方法，其系可以将不同粒径或不同种类粉体装载于一盛料容器内。该盛料容器借由旋转运动将粉体均匀混合，再透过旋转运动与横向位移运动与将该粉体铺层。在另一实施例中，该盛料容器内更具有加热组件，以对粉体进行加热。本发明之积层制造之铺层设备与方法不但可以让粉体均匀混合以减小热变形与致密铺层，更可依需求在每一铺层面，铺上不同成份或不同粒径组成之粉体，以增加积层制造应用领域多元性。
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公开(公告)号：TW326009B
公开(公告)日：1998-02-01
申请号：TW085107333
申请日：1996-06-18
申请人： 聯合工藝公司
发明人： 雷蒙德.P.蘭格文
CPC分类号： B23P6/007 , B23K26/32 , B23K26/342 , B23K2201/001 , B23K2203/26 , B23K2203/50 , F01D5/005
摘要： 本發明包括於可排除裂縫之特定條件下將一填充材料熔入一有缺陷之金屬基板中。在本發明之一實施例中，一雷射光束以相對而言低的功率密度及相對而言大的光束直徑操作一段延伸之時間長度，以製得具低縱橫比之熔融池。
简体摘要： 本发明包括于可排除裂缝之特定条件下将一填充材料熔入一有缺陷之金属基板中。在本发明之一实施例中，一激光光束以相对而言低的功率密度及相对而言大的光束直径操作一段延伸之时间长度，以制得具低纵横比之熔融池。
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公开(公告)号：TW201800591A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119326
申请日：2016-06-20
发明人： 黃吉川 , HUANG, CHI CHUAN , 楊鎭遠 , YANG, CHANE YUAN , 林子翔 , LIN, TZU HSIANG
CPC分类号： B23K26/34 , B23K26/0619 , B23K26/342 , C23C24/10
摘要： 一種沉積設備與沉積方法。此沉積設備包含承裝件、複數個雷射器以及承載體。承裝件配置以裝載材料。雷射器設於承載件之周圍，且配置以同時對此材料發射複數個雷射光束來將此材料熔化成沉積液。承載體設於承裝件與雷射器之下方，且配置以承接沉積液。
简体摘要： 一种沉积设备与沉积方法。此沉积设备包含承装件、复数个激光器以及承载体。承装件配置以装载材料。激光器设于承载件之周围，且配置以同时对此材料发射复数个激光光束来将此材料熔化成沉积液。承载体设于承装件与激光器之下方，且配置以承接沉积液。
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公开(公告)号：TWI600485B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW104110108
申请日：2015-03-27
发明人： 吉村仁 , YOSHIMURA, HITOSHI
IPC分类号： B22F3/105 , B23K26/064 , B23K26/082 , B23K26/144 , B29C67/00
CPC分类号： B23K26/342 , B22F3/1055 , B22F3/16 , B22F2003/1056 , B22F2003/1057 , B22F2301/052 , B22F2301/10 , B22F2301/205 , B22F2301/35 , B22F2998/10 , B23K26/0093 , B23K26/034 , B23K26/0342 , B23K26/04 , B23K26/0608 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/082 , B23K26/127 , B23K26/144 , B23K26/1476 , B23K2203/02 , B23K2203/10 , B23K2203/12 , B23K2203/14 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , Y02P10/295
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公开(公告)号：TW201734270A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105134406
申请日：2016-10-25
申请人： 荷巴特兄弟公司 , HOBART BROTHERS COMPANY
发明人： 肖 志剛 , XIAO, ZHIGANG
IPC分类号： C30B13/06 , C30B13/16 , C30B13/24 , C30B13/32 , C30B19/08 , C30B29/52 , C30B29/68 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y70/00
CPC分类号： C30B13/24 , B22F3/1028 , B22F3/1055 , B22F2003/1056 , B22F2999/00 , B23K9/044 , B23K26/0604 , B23K26/0734 , B23K26/342 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , C30B13/06 , C30B13/16 , C30B13/32 , C30B19/08 , C30B29/52 , C30B29/68 , Y02P10/295 , B22F2203/11 , B22F2202/07 , B22F3/1017
摘要： 本實施例包括：積層製造工具，經配置以接收金屬材料並向在部件的工作區域處的部件供應複數個液滴，其中複數個液滴的每一液滴包含金屬材料；及加熱系統，包含：主要雷射系統，經配置以產生主要雷射束，以加熱部件之基板的熔融區域；及次要雷射系統，經配置以產生次要雷射束，以加熱部件之基板的過渡區域，其中熔融區域和工作區域共同定位，且其中過渡區域繞熔融區域而設置。
简体摘要： 本实施例包括：积层制造工具，经配置以接收金属材料并向在部件的工作区域处的部件供应复数个液滴，其中复数个液滴的每一液滴包含金属材料；及加热系统，包含：主要激光系统，经配置以产生主要激光束，以加热部件之基板的熔融区域；及次要激光系统，经配置以产生次要激光束，以加热部件之基板的过渡区域，其中熔融区域和工作区域共同定位，且其中过渡区域绕熔融区域而设置。
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公开(公告)号：TW201721033A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW104141211
申请日：2015-12-08
发明人： 王祥賓 , WANG, HSIANG-PIN , 簡國諭 , CHIEN, KUO-YU , 許富銓 , HSU, FU-CHUAN
CPC分类号： B32B3/26 , B23K15/0086 , B23K26/342 , B32B1/08 , B32B3/266 , B32B15/08 , B32B15/092 , B32B15/18 , B32B15/20 , B32B27/06 , B32B27/281 , B32B27/38 , B32B2250/02 , B32B2307/724 , B32B2307/732 , B32B2457/00 , B32B2597/00 , B33Y10/00 , B33Y80/00
摘要： 一種多孔質氣靜壓載體，包含有一多孔質本體及一封孔層，該多孔質本體以一積層製造方法製造形成，該多孔質本體具有一第一通氣部及一第二通氣部，該第一通氣部的一第一孔隙率大於該第二通氣部的一第二孔隙率，藉由該積層製造方法製造控制該第一通氣部與該第二通氣部的孔隙的孔徑尺寸及孔隙率，以使通過該多孔質氣靜壓載體的流體壓力均勻。
简体摘要： 一种多孔质气静压载体，包含有一多孔质本体及一封孔层，该多孔质本体以一积层制造方法制造形成，该多孔质本体具有一第一通气部及一第二通气部，该第一通气部的一第一孔隙率大于该第二通气部的一第二孔隙率，借由该积层制造方法制造控制该第一通气部与该第二通气部的孔隙的孔径尺寸及孔隙率，以使通过该多孔质气静压载体的流体压力均匀。
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