公开(公告)号：TW201717267A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105122229

申请日：2016-07-14

申请人： 迪思科股份有限公司 ,  DISCO CORPORATION

发明人： 本志 ,  HAIMOTO, TAKASHI ,  小清水秀輝 ,  KOSHIMIZU, HIDEKI ,  荒谷侑里香 ,  ARAYA, YURIKA ,  杉谷哲一 ,  SUGIYA, TETSUKAZU

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/364 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834

摘要： 本發明的課題是在於提供一種對於採用先切割的情況的半導體裝置的背面，不使生產性惡化，對於各個的裝置敷設黏晶(die bond)用樹脂之晶圓的加工方法。其解決手段為：複數的裝置藉由分割預定線來區劃而形成於表面之晶圓的加工方法，其特徵為具備：保護構件配設工程，其係於被分割成各個的裝置晶片之晶圓的表面配設保護該表面的保護構件；樹脂敷設工程，其係將液狀的黏晶用樹脂塗佈於晶圓的背面而使固化，藉此將黏晶用的樹脂敷設於各個的裝置晶片的背面；及分離工程，其係從晶圓分離在背面敷設有該樹脂的該裝置晶片。

简体摘要： 本发明的课题是在于提供一种对于采用先切割的情况的半导体设备的背面，不使生产性恶化，对于各个的设备敷设黏晶(die bond)用树脂之晶圆的加工方法。其解决手段为：复数的设备借由分割预定线来区划而形成于表面之晶圆的加工方法，其特征为具备：保护构件配设工程，其系于被分割成各个的设备芯片之晶圆的表面配设保护该表面的保护构件；树脂敷设工程，其系将液状的黏晶用树脂涂布于晶圆的背面而使固化，借此将黏晶用的树脂敷设于各个的设备芯片的背面；及分离工程，其系从晶圆分离在背面敷设有该树脂的该设备芯片。

公开(公告)号：TWI571922B

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：TW103104582

申请日：2014-02-12

申请人： 迪思科股份有限公司 ,  DISCO CORPORATION

发明人： 中村勝 ,  NAKAMURA, MASARU

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0063 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386

公开(公告)号：TW201613436A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104116806

申请日：2015-05-26

申请人： 迪思科股份有限公司 ,  DISCO CORPORATION

发明人： 服部篤 ,  HATTORI, ATSUSHI ,  植木篤 ,  UEKI, ATSUSHI

IPC分类号： H05K3/30

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68336

摘要： 本發明之課題在於提供一種可抑制在將晶片的間隔維持在已擴張的狀態時的晶片的污染之晶片間隔維持裝置。解決手段為一種晶片間隔維持裝置，其是用以將貼附於擴張片之被加工物分割而形成之複數個晶片的間隔維持在已擴張的狀態，並做成包括遠紅外線照射手段與空氣層形成手段之構成，該遠紅外線照射手段可朝向在被加工物的外周緣與環狀框架的內周之間的已擴張的擴張片照射遠紅外線，而使擴張片收縮，該空氣層形成手段與遠紅外線照射手段相鄰而配置，且具有於將遠紅外線照射手段朝向擴張片照射遠紅外線時對被加工物噴射氣體之噴射口，並在被加工物之上方形成空氣層。

简体摘要： 本发明之课题在于提供一种可抑制在将芯片的间隔维持在已扩张的状态时的芯片的污染之芯片间隔维持设备。解决手段为一种芯片间隔维持设备，其是用以将贴附于扩张片之被加工物分割而形成之复数个芯片的间隔维持在已扩张的状态，并做成包括远红外线照射手段与空气层形成手段之构成，该远红外线照射手段可朝向在被加工物的外周缘与环状框架的内周之间的已扩张的扩张片照射远红外线，而使扩张片收缩，该空气层形成手段与远红外线照射手段相邻而配置，且具有于将远红外线照射手段朝向扩张片照射远红外线时对被加工物喷射气体之喷射口，并在被加工物之上方形成空气层。

公开(公告)号：TW201608636A

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW104118529

申请日：2015-06-08

申请人： 聯測總部私人有限公司 ,  UTAC HEADQUARTERS PTE. LTD.

发明人： 撒切黃桑 納撒尼爾 ,  SUTHIWONGSUNTHORN, NATHAPONG ,  狄瑪諾 安東尼歐 二世 班巴藍 ,  DIMAANO, ANTONIO JR. BAMBALAN ,  黃銳 ,  HUANG, RUI ,  陳 華峰 ,  TAN, HUA HONG ,  李 潤基 ,  LE, KRIANGSAK SAE ,  何 明永 ,  HO, BENG YEUNG ,  德 維拉 尼爾森 艾比斯吉 ,  DE VERA, NELSON AGBISIT ,  羅柏斯 羅伊 艾達維 ,  ROBLES, ROEL ADEVA ,  米可拉 瓦達尼 霖山根 ,  MICLA, WEDANNI LINSANGAN

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/3135 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 半導體封裝及形成半導體封裝之方法被公開。該方法包含提供具有第一主表面及第二主表面之晶圓。該晶圓製備有安置在該晶圓之該第一主表面上之多個晶粒及多個外部電觸點。該方法包含處理晶圓。處理該晶圓包含將該晶圓分成多個單個晶粒。單個晶粒包含第一主表面及第二主表面以及第一側壁及第二側壁，及該等外部電觸點形成於該晶粒之該第一主表面上。包封材料被形成。該包封材料覆蓋該晶粒之該第一側壁及該第二側壁的至少一部分。

简体摘要： 半导体封装及形成半导体封装之方法被公开。该方法包含提供具有第一主表面及第二主表面之晶圆。该晶圆制备有安置在该晶圆之该第一主表面上之多个晶粒及多个外部电触点。该方法包含处理晶圆。处理该晶圆包含将该晶圆分成多个单个晶粒。单个晶粒包含第一主表面及第二主表面以及第一侧壁及第二侧壁，及该等外部电触点形成于该晶粒之该第一主表面上。包封材料被形成。该包封材料覆盖该晶粒之该第一侧壁及该第二侧壁的至少一部分。

公开(公告)号：TWI520269B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW102106190

申请日：2003-09-10

申请人： 濱松赫德尼古斯股份有限公司 ,  HAMAMATSU PHOTONICS K.K.

发明人： 福世文嗣 ,  FUKUYO, FUMITSUGU ,  福満憲志 ,  FUKUMITSU, KENSHI ,  內山直己 ,  UCHIYAMA, NAOKI ,  杉浦隆二 ,  SUGIURA, RYUJI

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： H01L21/2633 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  B28D1/221 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI518824B

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：TW101128231

申请日：2012-08-06

申请人： 捷進科技有限公司 ,  FASFORD TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： 中島宜久 ,  NAKAJIMA, NOBUHISA ,  田中深志 ,  TANAKA, FUKASHI ,  牧浩 ,  MAKI, HIROSHI

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/67132 ,  H01L24/75 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68386

公开(公告)号：TW201600312A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104119571

申请日：2015-06-17

申请人： 綜合製造科技有限公司 ,  MANUFACTURING INTEGRATION TECHNOLOGY LTD

发明人： 鄺 金文 ,  KWONG, KIM MONE ,  林 國耀 ,  LIM, KOK YEOW ,  毛 志強 ,  MAO, ZHI QIANG

IPC分类号： B29C63/00 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6838 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68386 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1983

摘要： 本發明揭露一種使用多階射出器自膠帶剝離半導體晶片之系統及方法。在該多階射出器中之殼體容納複數組膠帶移除觸點。將拾取與置放單元緩慢地移動以與該晶片接觸。利用真空源來產生真空，以便吸附該膠帶。諸如內部觸點、中間觸點及外部觸點之複數個觸點組藉由利用其相應致動機構，在各種階段獨立地或一起地在該膠帶之下移動。控制器可獨立地控制每個觸點之移動，以有效地自該晶片上移除或鬆脫該膠帶。拾取與置放單元可因此容易拾取該晶片而不對晶片造成任何損壞。

简体摘要： 本发明揭露一种使用多阶射出器自胶带剥离半导体芯片之系统及方法。在该多阶射出器中之壳体容纳复数组胶带移除触点。将十取与置放单元缓慢地移动以与该芯片接触。利用真空源来产生真空，以便吸附该胶带。诸如内部触点、中间触点及外部触点之复数个触点组借由利用其相应致动机构，在各种阶段独立地或一起地在该胶带之下移动。控制器可独立地控制每个触点之移动，以有效地自该芯片上移除或松脱该胶带。十取与置放单元可因此容易十取该芯片而不对芯片造成任何损坏。

公开(公告)号：TW201540149A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW104110596

申请日：2015-04-01

申请人： 普羅科技有限公司 ,  PROTEC CO., LTD.

发明人： 高允成 ,  KO, YOUN SUNG

IPC分类号： H05K13/02

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/68336 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1983

摘要： 本發明提供用於分離晶片的設備和方法，其中分離附接到膠帶的半導體晶片以便將所述半導體晶片供應以及安裝在封裝或電路板上。因此，可以有效地使半導體晶片與膠帶分離同時使傳遞到半導體晶片的撞擊最小化

简体摘要： 本发明提供用于分离芯片的设备和方法，其中分离附接到胶带的半导体芯片以便将所述半导体芯片供应以及安装在封装或电路板上。因此，可以有效地使半导体芯片与胶带分离同时使传递到半导体芯片的撞击最小化

公开(公告)号：TW201536888A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103133443

申请日：2014-09-26

申请人： 琳得科股份有限公司 ,  LINTEC CORPORATION

发明人： 佐伯尙哉 ,  SAIKI, NAOYA ,  稲男洋一 ,  INAO, YOUICHI ,  山本大輔 ,  YAMAMOTO, DAISUKE ,  米山裕之 ,  YONEYAMA, HIROYUKI

IPC分类号： C09J7/02

CPC分类号： H01L21/6836 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/53 ,  B32B27/08 ,  B32B27/16 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/548 ,  B32B2457/14 ,  C08J7/042 ,  C08J2333/10 ,  C08J2363/00 ,  C08J2363/04 ,  C09D133/10 ,  C09D163/00 ,  C09D163/04 ,  C09J7/29 ,  C09J133/10 ,  C09J163/00 ,  C09J163/04 ,  C09J2201/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377

摘要： 本發明提供一種保護膜形成膜、保護膜形成用片及加工物的製造方法。本發明的保護膜形成膜(1)，其中，保護膜形成膜(1)及由保護膜形成膜(1)形成之保護膜中的至少一方，在測定溫度0℃下測定之斷裂應力(MPa)與在測定溫度0℃下測定之斷裂應變(單位：%)之積為1MPa．%以上250MPa．%以下。依該種保護膜形成膜(1)，在對工件進行分割加工而得到加工物時對工件進行之擴展製程中，能夠適當地分割該保護膜形成膜(1)或由保護膜形成膜(1)形成之保護膜。

简体摘要： 本发明提供一种保护膜形成膜、保护膜形成用片及加工物的制造方法。本发明的保护膜形成膜(1)，其中，保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成之保护膜中的至少一方，在测定温度0℃下测定之断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定之断裂应变(单位：%)之积为1MPa．%以上250MPa．%以下。依该种保护膜形成膜(1)，在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行之扩展制程中，能够适当地分割该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成之保护膜。

公开(公告)号：TW201529780A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103144041

申请日：2014-12-17

申请人： LG化學股份有限公司 ,  LG CHEM, LTD.

发明人： 金榮國 ,  KIM, YOUNG KOOK ,  金熹正 ,  KIM, HEE JUNG ,  金思拉 ,  KIM, SE RA ,  曺正鎬 ,  JO, JUNG HO ,  金丁鶴 ,  KIM, JUNG HAK ,  南承希 ,  NAM, SEUNG HEE ,  李光珠 ,  LEE, KWANG JOO

IPC分类号： C09J133/16 ,  C09J7/00 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09J11/08 ,  C09J5/00 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/83

摘要： 本發明提供一種切割膜黏著層形成用組成物，包含：包含至少一種由含有(甲基)丙烯酸酯系官能基及非極性官能基之聚合物、含有至少一個氟之(甲基)丙烯酸酯系聚合物以及含有反應性官能基之矽改質之(甲基)丙烯酸酯系聚合物所構成的族群中選出之聚合物的聚合物添加劑；黏著黏合劑；以及光起始劑，其中所述聚合物添加劑與所述黏著黏合劑之重量比為0.01%至4.5%；一種包含黏著層之切割膜，所述黏著層包含所述組成物；一種包含所述切割膜之切割晶片接合膜；以及一種使用所述切割晶片接合膜切割半導體晶圓之方法。

简体摘要： 本发明提供一种切割膜黏着层形成用组成物，包含：包含至少一种由含有(甲基)丙烯酸酯系官能基及非极性官能基之聚合物、含有至少一个氟之(甲基)丙烯酸酯系聚合物以及含有反应性官能基之硅改质之(甲基)丙烯酸酯系聚合物所构成的族群中选出之聚合物的聚合物添加剂；黏着黏合剂；以及光起始剂，其中所述聚合物添加剂与所述黏着黏合剂之重量比为0.01%至4.5%；一种包含黏着层之切割膜，所述黏着层包含所述组成物；一种包含所述切割膜之切割芯片接合膜；以及一种使用所述切割芯片接合膜切割半导体晶圆之方法。