公开(公告)号：TWI632105B

公开(公告)日：2018-08-11

申请号：TW105133746

申请日：2016-10-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 程世偉 ,  CHENG, SHYH WEI ,  王誌佑 ,  WANG, CHIH YU ,  許希丞 ,  HSU, HSI CHENG ,  陳信宇 ,  CHEN, HSIN YU ,  蔣季宏 ,  CHIANG, JI HONG ,  翁睿均 ,  WENG, JUI CHUN ,  吳威鼎 ,  WU, WEI DING

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

公开(公告)号：TW201714818A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105120340

申请日：2016-06-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 程世偉 ,  CHENG, SHYH WEI ,  王誌佑 ,  WANG, CHIH YU ,  許希丞 ,  HSU, HSI CHENG ,  蔣季宏 ,  CHIANG, JI HONG ,  翁睿均 ,  WENG, JUI CHUN ,  林炫政 ,  LIN, SHIUAN JENG ,  吳威鼎 ,  WU, WEI DING ,  胡景翔 ,  HU, CHING HSIANG

IPC: B81B7/02 ,  H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/0792

Abstract: 微機電系統封裝包含互補式金屬氧化物半導體基板、微機電系統基板以及一或多個導電多晶矽通孔。互補式金屬氧化物半導體基板具有配置於半導體主體中的一或多個半導體元件。微機電系統基板具有動態元件，其中微機電系統基板係藉由導電連接結構而連接於互補式金屬氧化物半導體基板，此導電連接結構配置於微機電系統基板的前側上，且位於自動態元件橫向偏移的位置。一或多個導電多晶矽通孔延伸通過微機電系統基板至導電連接結構。

Abstract in simplified Chinese: 微机电系统封装包含互补式金属氧化物半导体基板、微机电系统基板以及一或多个导电多晶硅通孔。互补式金属氧化物半导体基板具有配置于半导体主体中的一或多个半导体组件。微机电系统基板具有动态组件，其中微机电系统基板系借由导电连接结构而连接于互补式金属氧化物半导体基板，此导电连接结构配置于微机电系统基板的前侧上，且位于自动态组件横向偏移的位置。一或多个导电多晶硅通孔延伸通过微机电系统基板至导电连接结构。

公开(公告)号：TWI669268B

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：TW105120340

申请日：2016-06-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 程世偉 ,  CHENG, SHYH WEI ,  王誌佑 ,  WANG, CHIH YU ,  許希丞 ,  HSU, HSI CHENG ,  蔣季宏 ,  CHIANG, JI HONG ,  翁睿均 ,  WENG, JUI CHUN ,  林炫政 ,  LIN, SHIUAN JENG ,  吳威鼎 ,  WU, WEI DING ,  胡景翔 ,  HU, CHING HSIANG

IPC: B81B7/02 ,  H01L23/50 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TW201725168A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105133746

申请日：2016-10-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 程世偉 ,  CHENG, SHYH WEI ,  王誌佑 ,  WANG, CHIH YU ,  許希丞 ,  HSU, HSI CHENG ,  陳信宇 ,  CHEN, HSIN YU ,  蔣季宏 ,  CHIANG, JI HONG ,  翁睿均 ,  WENG, JUI CHUN ,  吳威鼎 ,  WU, WEI DING

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/038 ,  B81C2203/0735 ,  H01L28/20

Abstract: 微機電系統封裝，具有加熱元件用以透過引導排氣進入腔體來調整氣密密封腔內的壓力，與相關的方法。微機電系統封裝具有互補式金氧半導體基板，互補式金氧半導體基板具有設置於半導體本體內的一或多個半導體裝置。微機電系統結構連接至互補式金氧半導體基板且具有微機電系統裝置。互補式金氧半導體基板與微機電系統結構形成緊靠微機電系統裝置的氣密密封腔。加熱元件電性耦合至一或多個半導體裝置且與氣密密封腔被沿著氣密密封腔的內表面設置的排氣層隔開。透過操作加熱元件使排氣層排放氣體，在氣密密封腔形成後，氣密密封腔的壓力可調整。

Abstract in simplified Chinese: 微机电系统封装，具有加热组件用以透过引导排气进入腔体来调整气密密封腔内的压力，与相关的方法。微机电系统封装具有互补式金属氧化物半导体基板，互补式金属氧化物半导体基板具有设置于半导体本体内的一或多个半导体设备。微机电系统结构连接至互补式金属氧化物半导体基板且具有微机电系统设备。互补式金属氧化物半导体基板与微机电系统结构形成紧靠微机电系统设备的气密密封腔。加热组件电性耦合至一或多个半导体设备且与气密密封腔被沿着气密密封腔的内表面设置的排气层隔开。透过操作加热组件使排气层排放气体，在气密密封腔形成后，气密密封腔的压力可调整。