公开(公告)号：TW201702177A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105117340

申请日：2016-06-02

申请人： 伊凡聖斯股份有限公司 ,  INVENSENSE, INC.

发明人： 李大成 ,  LEE, DAESUNG ,  信 裘沃 ,  SHIN, JONGWOO ,  信二世 中 ,  SHIN II, JONG ,  史麥斯 披特 ,  SMEYS, PETER

IPC分类号： B81C3/00

CPC分类号： B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/036 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226

摘要： 本發明涉及一種包括接觸層的CMOS-MEMS集成裝置及製造方法，其是一種用於形成MEMS裝置的方法。該MEMS裝置包括MEMS襯底及底座襯底。該MEMS襯底包括操作層、裝置層及介於之間的絕緣層。本方法包括下列循序步驟：在該裝置層上提供隔絕體；蝕刻貫孔穿過該裝置層及該絕緣層；在該貫孔內提供接觸層，其中，該接觸層在該裝置層與該操作層之間提供電連接；在該隔絕體上提供黏合層；以及將該黏合層黏合至該底座襯底上的接墊。

简体摘要： 本发明涉及一种包括接触层的CMOS-MEMS集成设备及制造方法，其是一种用于形成MEMS设备的方法。该MEMS设备包括MEMS衬底及底座衬底。该MEMS衬底包括操作层、设备层及介于之间的绝缘层。本方法包括下列循序步骤：在该设备层上提供隔绝体；蚀刻贯孔穿过该设备层及该绝缘层；在该贯孔内提供接触层，其中，该接触层在该设备层与该操作层之间提供电连接；在该隔绝体上提供黏合层；以及将该黏合层黏合至该底座衬底上的接垫。

公开(公告)号：TWI556331B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW103104365

申请日：2014-02-11

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 朱家驊 ,  CHU, CHIA HUA ,  鄭鈞文 ,  CHENG, CHUN WEN

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L23/48

CPC分类号： B81C1/00293 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B7/04 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00309 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0118 ,  G01C19/56 ,  G01C19/5769 ,  G01L9/0044 ,  G01L19/0076 ,  G01L19/0092 ,  G01P15/00 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125

公开(公告)号：TW201436586A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW103102061

申请日：2014-01-21

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 彭榮輝 ,  PENG, JUNG HUEI ,  朱家驊 ,  CHU, CHIA HUA ,  黃耀德 ,  HUANG, YAO TE ,  卓晉逸 ,  CHO, CHIN YI ,  洪麗閔 ,  HUNG, LI MIN ,  鄭鈞文 ,  CHENG, CHUN WEN

IPC分类号： H04R19/04 ,  H01L29/84 ,  H04R31/00

CPC分类号： H04R31/003 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/036 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003 ,  H04R2307/027

摘要： 一種整合式麥克風結構，包括一第一矽底材、一氧化矽層、一第二矽底材及一隔膜。第一矽底材係被圖刻做為一第一板。氧化矽層係被成型於第一矽底材之一第一側邊之上。第二矽底材係透過氧化矽層被結合於第一矽底材。氧化矽層係介於第一矽底材與第二矽底材之間。隔膜係被固定於氧化矽層之上，並且係被設置於第一矽底材與第二矽底材之間。第一板及隔膜係形成一電容式麥克風。

简体摘要： 一种集成式麦克风结构，包括一第一硅底材、一氧化硅层、一第二硅底材及一隔膜。第一硅底材系被图刻做为一第一板。氧化硅层系被成型于第一硅底材之一第一侧边之上。第二硅底材系透过氧化硅层被结合于第一硅底材。氧化硅层系介于第一硅底材与第二硅底材之间。隔膜系被固定于氧化硅层之上，并且系被设置于第一硅底材与第二硅底材之间。第一板及隔膜系形成一电容式麦克风。

公开(公告)号：TW201726538A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105134279

申请日：2016-10-24

申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

发明人： 萊賢巴哈 法蘭克 ,  REICHENBACH, FRANK ,  蘭穆斯 猶根 ,  REINMUTH, JOCHEN ,  福雷 顏斯 ,  FREY, JENS ,  雅木托 尤莉亞 ,  AMTHOR, JULIA

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B7/0048 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00325 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0145

摘要： 一種製造微機械元件的方法，該微機械元件具有基板及與該基板連接且與該基板包圍第一空穴的罩蓋，其中在該第一空穴中存在第一壓力且包絡具有第一化學組成的第一氣體混合物，其中- 在第一處理步驟中，在該基板中或該罩蓋中構建將該第一空穴與該微機械元件之周圍環境連接在一起的第一入口，其中- 在第二處理步驟中，調節該第一空穴中的該第一壓力及/或該第一化學組成，其中- 在第三處理步驟中，透過用雷射將能量或熱量輸入該基板或該罩蓋之吸收部分來將該入口封閉，其中- 在第四處理步驟中，在該基板或該罩蓋之背離該第一空穴的表面內，在該入口之區域內構建凹槽，以便容置該基板或該罩蓋之在該第三處理步驟中轉化為液態聚集態的材料區域。

简体摘要： 一种制造微机械组件的方法，该微机械组件具有基板及与该基板连接且与该基板包围第一空穴的罩盖，其中在该第一空穴中存在第一压力且包络具有第一化学组成的第一气体混合物，其中- 在第一处理步骤中，在该基板中或该罩盖中构建将该第一空穴与该微机械组件之周围环境连接在一起的第一入口，其中- 在第二处理步骤中，调节该第一空穴中的该第一压力及/或该第一化学组成，其中- 在第三处理步骤中，透过用激光将能量或热量输入该基板或该罩盖之吸收部分来将该入口封闭，其中- 在第四处理步骤中，在该基板或该罩盖之背离该第一空穴的表面内，在该入口之区域内构建凹槽，以便容置该基板或该罩盖之在该第三处理步骤中转化为液态聚集态的材料区域。

公开(公告)号：TWI549899B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：TW100122287

申请日：2011-06-24

申请人： 萬國商業機器公司 ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 宕汀 ,  DANG, DINH ,  多安泰 ,  DOAN, THAI ,  鄧巴喬治A 三世 ,  DUNBAR III, GEORGE A. ,  黑榕新 ,  HE, ZHONG-XIANG ,  赫林盧希爾T ,  HERRIN, RUSSELL T. ,  詹斯克里斯多夫V ,  JAHNES, CHRISTOPHER V. ,  梅林傑佛瑞C ,  MALING, JEFFREY C. ,  莫菲威廉J ,  MURPHY, WILLIAM J. ,  史丹普安東尼K ,  STAMPER, ANTHONY K. ,  杜柏立約翰G ,  TWOMBLY, JOHN G. ,  懷艾瑞克J ,  WHITE, ERIC J.

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI530449B

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：TW103102894

申请日：2014-01-27

申请人： 立錡科技股份有限公司 ,  RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION

发明人： 康育輔 ,  KANG, YU FU ,  羅炯城 ,  LO, CHIUNG CHENG

IPC分类号： B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/70

CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/02 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0792

公开(公告)号：TW201003741A

公开(公告)日：2010-01-16

申请号：TW098109253

申请日：2009-03-20

申请人： 美光科技公司

发明人： 米爾瓦德 丹B ,  奎克 提摩西

IPC分类号： H01L ,  B81C ,  B82B

CPC分类号： H01L21/76828 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  C08F299/02 ,  C08F299/0492 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

摘要： 本發明提供使用自我組裝嵌段共聚物以製造次微影奈米級微結構之方法、及自該方法形成之膜及裝置。

简体摘要： 本发明提供使用自我组装嵌段共聚物以制造次微影奈米级微结构之方法、及自该方法形成之膜及设备。

公开(公告)号：TW201810430A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106121686

申请日：2017-06-29

申请人： 康寧公司 ,  CORNING INCORPORATED

发明人： 萊維斯克二世 丹尼爾韋恩 ,  LEVESQUE JR., DANIEL WAYNE ,  皮耶希 卡列特安卓 ,  PIECH, GARRETT ANDREW ,  舍利 艾利克布魯斯 ,  SHOREY, ARIC BRUCE

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/48 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/481 ,  B81B7/0006 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2203/031 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49827 ,  H01L2221/68359

摘要： 製程包含接合半導體晶圓與無機晶圓。半導體晶圓不會讓無機晶圓可穿透的光波長穿透。接合後，利用雷射，在無機晶圓中形成破壞軌跡，雷射發射光波長。利用蝕刻擴大無機晶圓的破壞軌跡，以形成貫通無機晶圓的孔。孔終止於半導體晶圓與無機晶圓間的界面。亦提供物件，包含半導體晶圓接合至無機晶圓。半導體晶圓不會讓無機晶圓可穿透的光波長穿透。無機晶圓具有孔形成貫通無機晶圓。孔終止於半導體晶圓與無機晶圓間的界面。

简体摘要： 制程包含接合半导体晶圆与无机晶圆。半导体晶圆不会让无机晶圆可穿透的光波长穿透。接合后，利用激光，在无机晶圆中形成破坏轨迹，激光发射光波长。利用蚀刻扩大无机晶圆的破坏轨迹，以形成贯通无机晶圆的孔。孔终止于半导体晶圆与无机晶圆间的界面。亦提供对象，包含半导体晶圆接合至无机晶圆。半导体晶圆不会让无机晶圆可穿透的光波长穿透。无机晶圆具有孔形成贯通无机晶圆。孔终止于半导体晶圆与无机晶圆间的界面。

公开(公告)号：TWI538873B

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：TW100122300

申请日：2011-06-24

申请人： 萬國商業機器公司 ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 史丹普安東尼K ,  STAMPER, ANTHONY K. ,  鄧巴喬治A 三世 ,  DUNBAR III, GEORGE A. ,  黑榕新 ,  HE, ZHONG-XIANG ,  梅林傑佛 ,  MALING, JEFF ,  莫菲威廉J ,  MURPHY, WILLIAM J.

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI537204B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW100122295

申请日：2011-06-24

申请人： 萬國商業機器公司 ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 史丹普安東尼K ,  STAMPER, ANTHONY K. ,  詹斯克里斯多夫V ,  JAHNES, CHRISTOPHER V. ,  赫林盧希爾T ,  HERRIN, RUSSELL T. ,  懷艾瑞克J ,  WHITE, ERIC J.

IPC分类号： B81B7/02 ,  H01L23/48

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00