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公开(公告)号：TWI580661B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102144012
申请日：2013-12-02
发明人： 奈良淳史 , NARA, ATSUSHI
IPC分类号： C04B35/00 , C04B35/453 , C04B35/553 , C23C14/04 , C23C14/34 , H01B5/14
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/117 , C04B35/453 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/38 , C04B2235/42 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C23C14/3414
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公开(公告)号：TWI551571B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW103117406
申请日：2011-11-30
发明人： 魁克夏科 大衛 鮑伊 , CRUICKSHANK, DAVID BOWIE , 希爾 麥克D , HILL, MICHAEL D.
IPC分类号： C04B35/505 , C04B35/622
CPC分类号： H01F10/24 , C04B35/26 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/764 , C30B29/28
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公开(公告)号：TW201606814A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104108740
申请日：2015-03-19
申请人： 日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人： 山崎哲 , YAMAZAKI, SATOSHI , 早瀬徹 , HAYASE, TORU , 森本健司 , MORIMOTO, KENJI , 川崎真司 , KAWASAKI, SHINJI , 武內幸久 , TAKEUCHI, YUKIHISA
IPC分类号： H01C7/112 , H01C17/00 , C04B35/453
CPC分类号： H01C7/112 , C04B35/453 , C04B35/62695 , C04B37/005 , C04B37/006 , C04B2235/3217 , C04B2235/322 , C04B2235/3267 , C04B2235/3277 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/443 , C04B2235/5436 , C04B2235/5454 , C04B2235/658 , C04B2235/6586 , C04B2235/661 , C04B2235/96 , C04B2237/06 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/34 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , H01C7/10 , H01C7/1006 , H01C7/102 , H01C7/12 , H01C7/18 , H01C17/00 , Y10T29/49082
摘要： 於氧化鋅系的電壓非線性電阻元件中，將高電流區域 的限制電壓抑制為低。 電壓非線性電阻元件10包括電阻體14以及一對 的電極16、18，前述電阻體14具有1個以氧化鋅為主成分且體積電阻率為1.0×10-1Ωcm以下的氧化鋅陶瓷層12a與以氧化鉍為主成分的氧化鉍層12b所接合的接合體12，前述電極16、18以導電通路橫穿前述氧化鋅陶瓷層12a與前述氧化鉍層12b的q接合面之方式形成於前述電阻體14上。此元件10的接合體12的氧化鋅陶瓷層12a，使用比以往的體積電阻率為低者。因此，高電流區域的限制電壓能夠抑制的比以往為低。
简体摘要： 于氧化锌系的电压非线性电阻组件中，将高电流区域 的限制电压抑制为低。 电压非线性电阻组件10包括电阻体14以及一对 的电极16、18，前述电阻体14具有1个以氧化锌为主成分且体积电阻率为1.0×10-1Ωcm以下的氧化锌陶瓷层12a与以氧化铋为主成分的氧化铋层12b所接合的接合体12，前述电极16、18以导电通路横穿前述氧化锌陶瓷层12a与前述氧化铋层12b的q接合面之方式形成于前述电阻体14上。此组件10的接合体12的氧化锌陶瓷层12a，使用比以往的体积电阻率为低者。因此，高电流区域的限制电压能够抑制的比以往为低。
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公开(公告)号：TWI487805B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW102103078
申请日：2013-01-28
发明人： 奈良淳史 , NARA, ATSUSHI , 佐藤和幸 , SATOH, KAZUYUKI
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622
CPC分类号： C04B35/645 , C04B35/453 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/447 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/3414
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公开(公告)号：TW201507992A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102148677
申请日：2013-12-27
发明人： 奈良淳史 , NARA, ATSUSHI
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要： 本發明之課題在於提供一種燒結體，該燒結體可得到能夠維持良好之可見光透射率與導電性的透明導電膜，尤其是低折射率的非晶質膜。此薄膜由於透射率高，且機械特性優異，故適用於顯示器之透明導電膜或光碟之保護膜。其目的在於藉此提升光元件之特性，降低設備成本，大幅改善成膜之特性。
简体摘要： 本发明之课题在于提供一种烧结体，该烧结体可得到能够维持良好之可见光透射率与导电性的透明导电膜，尤其是低折射率的非晶质膜。此薄膜由于透射率高，且机械特性优异，故适用于显示器之透明导电膜或光盘之保护膜。其目的在于借此提升光组件之特性，降低设备成本，大幅改善成膜之特性。
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公开(公告)号：TWI470653B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW100112183
申请日：2011-04-08
申请人： 日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人： 島田武司 , SHIMADA, TAKESHI , 豬野健太郎 , INO, KENTARO , 木田年紀 , KIDA, TOSHIKI
IPC分类号： H01C7/02 , C04B35/468 , H01B3/12
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/4686 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3255 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , H01C7/025
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公开(公告)号：TW201433560A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW103117406
申请日：2011-11-30
发明人： 魁克夏科 大衛 鮑伊 , CRUICKSHANK, DAVID BOWIE , 希爾 麥克D , HILL, MICHAEL D.
IPC分类号： C04B35/505 , C04B35/622
CPC分类号： H01F10/24 , C04B35/26 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/764 , C30B29/28
摘要： 本文所揭示的實施例包含改質用於RF應用之合成石榴石以減少或消除石榴石中釔或其它稀土金屬而對材料磁特性無負面影響之方法。一些實施例包含以鉍取代十二面體位點上之部份釔及將一或多個高價離子引至八面體與四面體位點。亦可將鈣加至十二面體位點以用於高價離子造成的價補償，其可有效置換微波器件石榴石中全部或大部份釔(Y)。含有經取代釔(Y)之改質之合成石榴石可用於多種微波磁器件，例如循環器、隔離器及諧振器。
简体摘要： 本文所揭示的实施例包含改质用于RF应用之合成石榴石以减少或消除石榴石中钇或其它稀土金属而对材料磁特性无负面影响之方法。一些实施例包含以铋取代十二面体位点上之部份钇及将一或多个高价离子引至八面体与四面体位点。亦可将钙加至十二面体位点以用于高价离子造成的价补偿，其可有效置换微波器件石榴石中全部或大部份钇(Y)。含有经取代钇(Y)之改质之合成石榴石可用于多种微波磁器件，例如循环器、隔离器及谐振器。
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公开(公告)号：TWI422701B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW100107064
申请日：2011-03-03
发明人： 溝淵裕昭 , MIZOBUCHI, HIROAKI , 矢野智泰 , YANO, TOMOYASU
CPC分类号： C23C14/08 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3244 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/40 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C23C14/3414
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公开(公告)号：TWI400214B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW096117573
申请日：2007-05-17
申请人： 艾普可斯股份有限公司 , EPCOS AG
发明人： 帕佛杜德塞 , DUDESEK, PAVOL , 克里斯丁霍夫曼 , HOFFMANN, CHRISTIAN , 丹尼羅蘇佛洛夫 , SUVOROV, DANILO , 馬查茲瓦蘭特 , VALANT, MATJAZ
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/495 , C04B35/64 , H01G4/12
CPC分类号： H01G4/1263 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B2235/32 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , H01G4/1254 , H01G4/30 , H01G4/35 , H01G4/40 , H05K1/0306 , Y10T428/24926 , Y10T428/252
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公开(公告)号：TW201307244A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101123963
申请日：2012-07-04
发明人： 曾我部健太郎 , SOGABE, KENTARO , 小澤誠 , OZAWA, MAKOTO
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6585 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/787 , C04B2235/96 , C23C14/3414
摘要： 本發明之目的在於提供一種作為濺鍍標靶或蒸鍍用錠利用，且於成膜中難以產生裂紋等之Zn-Sn-O系氧化物燒結體，此氧化物燒結體之特徵為，含有Sn/(Zn+Sn)的原子數比為0.01~0.6的錫，燒結體中的平均結晶粒徑為4.5μm以下，且在將基於使用CuKα線的X光繞射之Zn2SnO4相中的(222)面、(400)面之積分強度分別設為I(222)、I(400)時，由I(222)/[I(222)+I(400)]所表示的配向度為0.52以上。
简体摘要： 本发明之目的在于提供一种作为溅镀标靶或蒸镀用锭利用，且于成膜中难以产生裂纹等之Zn-Sn-O系氧化物烧结体，此氧化物烧结体之特征为，含有Sn/(Zn+Sn)的原子数比为0.01~0.6的锡，烧结体中的平均结晶粒径为4.5μm以下，且在将基于使用CuKα线的X光绕射之Zn2SnO4相中的(222)面、(400)面之积分强度分别设为I(222)、I(400)时，由I(222)/[I(222)+I(400)]所表示的配向度为0.52以上。
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