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    熱處理方法及熱處理裝置
    1.
    发明专利
    熱處理方法及熱處理裝置 审中-公开
    热处理方法及热处理设备

    公开(公告)号：TW201726949A

    公开(公告)日：2017-08-01

    申请号：TW105134068

    申请日：2016-10-21

    申请人： 斯庫林集團股份有限公司 ,  SCREEN HOLDINGS CO., LTD.

    发明人： 小野行雄 ,  ONO, YUKIO

    IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/48 ,  H01L21/225 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

    CPC分类号： H01L22/20 ,  C23C14/02 ,  C23C14/48 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

    摘要： 提供一種能省略仿真運轉之熱處理方法及熱處理裝置。在成為處理對象之批次的最初的半導體晶圓W被搬入至腔室6之前，藉由來自鹵素燈HL的光線照射預熱承載體74。承載體74的溫度係藉由放射溫度計27予以測量。控制部3係依據放射溫度計27所測量的承載體74的溫度之測量結果，以承載體74的溫度到達穩定溫度之方式控制鹵素燈HL的輸出。所謂承載體74的穩定溫度係指：無須加熱承載體74，而是在腔室6內對複數個半導體晶圓W連續地進行光線照射加熱，藉此使承載體74的溫度上升並成為一定時的該承載體74的溫度。

    简体摘要： 提供一种能省略仿真运转之热处理方法及热处理设备。在成为处理对象之批次的最初的半导体晶圆W被搬入至腔室6之前，借由来自卤素灯HL的光线照射预热承载体74。承载体74的温度系借由放射温度计27予以测量。控制部3系依据放射温度计27所测量的承载体74的温度之测量结果，以承载体74的温度到达稳定温度之方式控制卤素灯HL的输出。所谓承载体74的稳定温度系指：无须加热承载体74，而是在腔室6内对复数个半导体晶圆W连续地进行光线照射加热，借此使承载体74的温度上升并成为一定时的该承载体74的温度。

    半導體除氣溫度的穩定方法
    4.
    发明专利
    半導體除氣溫度的穩定方法 失效
    半导体除气温度的稳定方法

    公开(公告)号：TW424265B

    公开(公告)日：2001-03-01

    申请号：TW088117348

    申请日：1999-10-06

    申请人： 台灣茂矽電子股份有限公司

    发明人： 鄧敦和 ,  陳達德 ,  束智宏 ,  何銓斌

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L21/67248 ,  C23C14/02 ,  C23C14/541

    摘要： 本發明的目的在於提供一種穩定半導體製造裝置中除氣室(degas chamber)內晶片溫度的方法，此方法是改良習知的除氣室之溫度控制程式，以降低第一片晶片效應，使第一片晶片完成除氣處理後的溫度，容易達到設定值。同時，透過此改良的程式以減低累溫效應，使整批晶片完成除氣處理後，各晶片間的溫度偏差縮小，以利於進行接下來的濺鍍處理。

    简体摘要： 本发明的目的在于提供一种稳定半导体制造设备中除气室(degas chamber)内芯片温度的方法，此方法是改良习知的除气室之温度控制进程，以降低第一片芯片效应，使第一片芯片完成除气处理后的温度，容易达到设置值。同时，透过此改良的进程以减低累温效应，使整批芯片完成除气处理后，各芯片间的温度偏差缩小，以利于进行接下来的溅镀处理。

    在真空處理系統中用以預處理與後處理晶圓之單一晶圓負載室
    5.
    发明专利
    在真空處理系統中用以預處理與後處理晶圓之單一晶圓負載室 失效
    在真空处理系统中用以预处理与后处理晶圆之单一晶圆负载室

    公开(公告)号：TW423030B

    公开(公告)日：2001-02-21

    申请号：TW087120882

    申请日：1998-12-15

    申请人： 應用材料股份有限公司

    发明人： 麥克瑞金 ,  伊達卡克隆尤絲基

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C14/02 ,  C23C14/56 ,  C23C14/566 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67745 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/136 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/139

    摘要： 一種真空處理系統具有一負載室用以轉移晶圓於一大氣環境壓力與一轉換室真空壓力之間，該負載室具有兩片晶圓之支撐架，但於壓力轉換過程中僅含有一片晶圓，該負載室更具有一處理元件，因此該負載室執行一預處理製程或後處理製程於該晶圓。該處理元件可為一晶圓加熱器，因此該負載室可於該系統執行一主要製程之前或之後加熱該晶圓。該處理元件可為一晶圓冷卻器，因此該負載室可於該主要製程過程中或之後冷卻已於之前被加熱之晶圓。負載室可具有一晶圓加熱器或一晶圓冷卻器或兩者均有。

    简体摘要： 一种真空处理系统具有一负载室用以转移晶圆于一大气环境压力与一转换室真空压力之间，该负载室具有两片晶圆之支撑架，但于压力转换过程中仅含有一片晶圆，该负载室更具有一处理组件，因此该负载室运行一预处理制程或后处理制程于该晶圆。该处理组件可为一晶圆加热器，因此该负载室可于该系统运行一主要制程之前或之后加热该晶圆。该处理组件可为一晶圆冷却器，因此该负载室可于该主要制程过程中或之后冷却已于之前被加热之晶圆。负载室可具有一晶圆加热器或一晶圆冷却器或两者均有。

    基板洗淨裝置
    7.
    发明专利
    基板洗淨裝置 审中-公开
    基板洗净设备

    公开(公告)号：TW201735134A

    公开(公告)日：2017-10-01

    申请号：TW105140110

    申请日：2016-12-05

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 齋藤幸正 ,  SAITO, YUKIMASA ,  日向寿樹 ,  HINATA, TOSHIKI ,  土橋和也 ,  DOBASHI, KAZUYA ,  池田恭子 ,  IKEDA, KYOKO ,  守谷修司 ,  MORIYA, SHUJI

    IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/304

    CPC分类号： C23C14/02 ,  C23C16/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

    摘要： 藉由對晶圓(W)照射氣體團簇的方式，洗淨晶圓(W)的基板洗淨裝置(100)，係具有：腔室(1)，收容晶圓(W)；旋轉台(4)，在腔室(1)內，可旋轉地支撐晶圓(W)；噴嘴部(13)，對支撐於旋轉台(4)的晶圓(W)照射氣體團簇；噴嘴移動構件(10)，掃描晶圓(W)上之氣體團簇的照射位置；排氣口(32)，用以對腔室(1)進行排氣；及控制機構(50)，以控制旋轉台(4)所致之晶圓(W)的旋轉方向與氣體團簇之照射位置的掃描方向而抑制微粒再附著於晶圓(W)的方式，控制微粒的飛散方向。

    简体摘要： 借由对晶圆(W)照射气体团簇的方式，洗净晶圆(W)的基板洗净设备(100)，系具有：腔室(1)，收容晶圆(W)；旋转台(4)，在腔室(1)内，可旋转地支撑晶圆(W)；喷嘴部(13)，对支撑于旋转台(4)的晶圆(W)照射气体团簇；喷嘴移动构件(10)，扫描晶圆(W)上之气体团簇的照射位置；排气口(32)，用以对腔室(1)进行排气；及控制机构(50)，以控制旋转台(4)所致之晶圆(W)的旋转方向与气体团簇之照射位置的扫描方向而抑制微粒再附着于晶圆(W)的方式，控制微粒的飞散方向。

    帶電處理裝置及帶電處理方法
    9.
    发明专利
    帶電處理裝置及帶電處理方法 审中-公开
    带电处理设备及带电处理方法

    公开(公告)号：TW201626484A

    公开(公告)日：2016-07-16

    申请号：TW104130150

    申请日：2015-09-11

    申请人： 濱松赫德尼古斯股份有限公司 ,  HAMAMATSU PHOTONICS K. K.

    发明人： 松浦恵樹 ,  MATSUURA, SHIGEKI ,  石原良俊 ,  ISHIHARA, YOSHITOSHI ,  渥美明 ,  ATSUMI, AKIRA

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/30

    CPC分类号： B01J19/08 ,  C23C14/02 ,  H01J37/32

    摘要： 帶電處理裝置(C1)為使處理對象物PO帶電成所期待之電位。帶電處理裝置(C1)具備：框體部(1)，其係具有：收容使產生電子的電子產生源的電子源部(3)；和與上述電子源部(3)連通，並且在包含帶電粒子形成用氣體之特定的壓力氛圍下，包圍處理對象物(PO)之處理部(20)；和網格狀之電極部(40)，其係以區隔電子源部(3)和處理部(20)之方式被配置在電子源部(3)和處理部(20)之間。在電子源部(3)內形成使利用電子產生源(5)所產生之電子朝向電極部(40)加速的加速電場。處理部(20)及電極部(40)之電位被設為上述所期待的電位。

    简体摘要： 带电处理设备(C1)为使处理对象物PO带电成所期待之电位。带电处理设备(C1)具备：框体部(1)，其系具有：收容使产生电子的电子产生源的电子源部(3)；和与上述电子源部(3)连通，并且在包含带电粒子形成用气体之特定的压力氛围下，包围处理对象物(PO)之处理部(20)；和网格状之电极部(40)，其系以区隔电子源部(3)和处理部(20)之方式被配置在电子源部(3)和处理部(20)之间。在电子源部(3)内形成使利用电子产生源(5)所产生之电子朝向电极部(40)加速的加速电场。处理部(20)及电极部(40)之电位被设为上述所期待的电位。