公开(公告)号：TW201447942A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103107767

申请日：2014-03-06

申请人： 村田製作所股份有限公司 ,  MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 岡本貴史 ,  OKAMOTO, TAKAFUMI ,  鈴木祥一郎 ,  SUZUKI, SHOICHIRO

IPC分类号： H01G4/12 ,  C04B35/46 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/1245 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/012 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30

摘要： 本發明提供一種高溫負荷可靠性優異之積層陶瓷電容。本發明之積層陶瓷電容之介電陶瓷層3包含作為元素之Ba、Re(La、Ce、Pr、Nd、Sm中至少1種)、Ti、Zr、M(Mg、Al、Mn、V中至少1種)、Si、及任意之Sr，且包含作為化合物之鈣鈦礦型化合物，該鈣鈦礦型化合物在構成上係包含Ba、Re、Ti、Zr、及任意之Sr，以莫耳份表示元素之量之情形時，將Ti之量及Zr之量之合計設為100時，使Sr之量a滿足0≦a≦20.0之條件、Re之量b滿足0.5≦b≦10.0之條件、Zr之量c滿足46≦c≦90之條件、M之量d滿足0.5≦d≦10.0之條件、Si之量e滿足0.5≦e≦5.0之條件、以及Ba之量及Sr之量及Re之量之合計相對於Ti之量及Zr之量之合計的比m滿足0.990≦m≦1.050之條件。

简体摘要： 本发明提供一种高温负荷可靠性优异之积层陶瓷电容。本发明之积层陶瓷电容之介电陶瓷层3包含作为元素之Ba、Re(La、Ce、Pr、Nd、Sm中至少1种)、Ti、Zr、M(Mg、Al、Mn、V中至少1种)、Si、及任意之Sr，且包含作为化合物之钙钛矿型化合物，该钙钛矿型化合物在构成上系包含Ba、Re、Ti、Zr、及任意之Sr，以莫耳份表示元素之量之情形时，将Ti之量及Zr之量之合计设为100时，使Sr之量a满足0≦a≦20.0之条件、Re之量b满足0.5≦b≦10.0之条件、Zr之量c满足46≦c≦90之条件、M之量d满足0.5≦d≦10.0之条件、Si之量e满足0.5≦e≦5.0之条件、以及Ba之量及Sr之量及Re之量之合计相对于Ti之量及Zr之量之合计的比m满足0.990≦m≦1.050之条件。

公开(公告)号：TW201232575A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：TW100142436

申请日：2011-11-18

申请人： 村田製作所股份有限公司

发明人： 和田博之 ,  平田陽介 ,  平松隆 ,  齊藤義人 ,  十英昭 ,  鵜飼洋行

IPC分类号： H01G

CPC分类号： H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218

摘要： 本發明提供一種難以產生分層或龜裂且能較高地維持靜電電容之積層陶瓷電容器。本發明之積層陶瓷電容器(11)包含具有經積層之複數個陶瓷層(13)及位於陶瓷層(13)間之內部電極(14、15)的積層體(12),於內部電極(14、15)中,形成有由陶瓷構成之複數個柱狀物(22、23),該等複數個柱狀物(22、23)自陶瓷層(13)與內部電極(14、15)之界面(20、21)向內部電極(14、15)中突出,但並未貫通於內部電極(14、15)之厚度方向。

简体摘要： 本发明提供一种难以产生分层或龟裂且能较高地维持静电电容之积层陶瓷电容器。本发明之积层陶瓷电容器(11)包含具有经积层之复数个陶瓷层(13)及位于陶瓷层(13)间之内部电极(14、15)的积层体(12),于内部电极(14、15)中,形成有由陶瓷构成之复数个柱状物(22、23),该等复数个柱状物(22、23)自陶瓷层(13)与内部电极(14、15)之界面(20、21)向内部电极(14、15)中突出,但并未贯通于内部电极(14、15)之厚度方向。

公开(公告)号：TW201042681A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：TW099112063

申请日：2010-04-16

申请人： 尖端科技材料股份有限公司

发明人： 羅伊德傑佛里F ,  漢迪克斯布萊恩C ,  比洛德歐史帝芬M ,  史道夫葛列格里T ,  陳天牛 ,  卡麥容湯瑪仕M ,  蘇中因

IPC分类号： H01G ,  C23C ,  H01L

CPC分类号： H01G4/1209 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/6325 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3142 ,  H01L28/40 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/1284

摘要： 一種複合介電材料，其包含一種前期過渡金屬或前期過渡金屬氧化物之基底材料以及一種摻雜、共沉積、合金化或層疊用的第二材料，該第二材料選自於鈮(Nb)、鍺(Ge)、鉭(Ta)、鑭(La)、釔(Y)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈣(Ca)、鎂(Mg)及該些金屬之氧化物及氧化鋁之群組中，以做為摻雜或合金化之第二材料。可利用氣相沉積製程，例如原子層沉積(ALD)，並使用適合的前驅物來形成此複合介電材料，以形成微電子裝置，例如鐵電高介電常數電容器、閘極結構、DRAMs，及其他諸如此類者。

简体摘要： 一种复合介电材料，其包含一种前期过渡金属或前期过渡金属氧化物之基底材料以及一种掺杂、共沉积、合金化或层叠用的第二材料，该第二材料选自于铌(Nb)、锗(Ge)、钽(Ta)、镧(La)、钇(Y)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钆(Gd)、镝(Dy)、锶(Sr)、钡(Ba)、钙(Ca)、镁(Mg)及该些金属之氧化物及氧化铝之群组中，以做为掺杂或合金化之第二材料。可利用气相沉积制程，例如原子层沉积(ALD)，并使用适合的前驱物来形成此复合介电材料，以形成微电子设备，例如铁电高介电常数电容器、闸极结构、DRAMs，及其他诸如此类者。

公开(公告)号：TWI310343B

公开(公告)日：2009-06-01

申请号：TW094116278

申请日：2005-05-19

申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

发明人： 小林央始 HISASHI KOBAYASHI ,  佐藤茂樹 SHIGEKI SATOU

IPC分类号： B32B ,  H01G ,  C04B

CPC分类号： H01G4/12 ,  B28B3/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30

摘要： 一種生胚薄片之製造方法係具有:準備含有陶瓷粉體和黏合劑樹脂之壓縮前生胚薄片之製程;以及壓縮前述之壓縮前生胚薄片而得到壓縮後生胚薄片之製程。本發明,其特徵在於:係將前述之壓縮前生胚薄片之壓縮前薄片密度(���g1)和前述之壓縮後生胚薄片之壓縮後薄片密度(���g2)間之差異(������g),表示成為������g=���g2-���g1,使得作為該差異(������g)相對於前述之壓縮前薄片密度(���g1)之比値之薄片收縮率(������g/���g1),成為1%以上。

简体摘要： 一种生胚薄片之制造方法系具有:准备含有陶瓷粉体和黏合剂树脂之压缩前生胚薄片之制程;以及压缩前述之压缩前生胚薄片而得到压缩后生胚薄片之制程。本发明,其特征在于:系将前述之压缩前生胚薄片之压缩前薄片密度(���g1)和前述之压缩后生胚薄片之压缩后薄片密度(���g2)间之差异(������g),表示成为������g=���g2-���g1,使得作为该差异(������g)相对于前述之压缩前薄片密度(���g1)之比値之薄片收缩率(������g/���g1),成为1%以上。

公开(公告)号：TW200834821A

公开(公告)日：2008-08-16

申请号：TW096143559

申请日：2007-11-16

申请人： 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 巴哈斯卡 斯田尼法珊 SRINIVASAN, BHASKAR ,  約翰A 史密斯 SMYTHE, JOHN A.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01L27/10852 ,  Y10T29/417

摘要： 本發明揭示一種形成一諸如層之介電結構之方法。該方法包括自一高k材料之複數個部分形成一高k結構。該高k材料之該複數個部分中之每一者係藉由沈積該高k材料之複數個單層及退火該高k材料而形成。該高k材料可為一鈣鈦礦型材料,其包含(但不限於)鈦酸鍶。亦揭示一介電結構、一併入一介電結構之電容器及一形成一電容器之方法。

简体摘要： 本发明揭示一种形成一诸如层之介电结构之方法。该方法包括自一高k材料之复数个部分形成一高k结构。该高k材料之该复数个部分中之每一者系借由沉积该高k材料之复数个单层及退火该高k材料而形成。该高k材料可为一钙钛矿型材料,其包含(但不限于)钛酸锶。亦揭示一介电结构、一并入一介电结构之电容器及一形成一电容器之方法。

公开(公告)号：TW200642987A

公开(公告)日：2006-12-16

申请号：TW095107818

申请日：2006-03-08

申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

发明人： 藤川佳則 FUJIKAWA, YOSHINORI ,  上田智子 UEDA, SATOKO ,  時田浩司 TOKITA, KOUJI

IPC分类号： C04B ,  H01B ,  H01G

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62821 ,  C04B35/62886 ,  C04B38/009 ,  C04B2111/00405 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/96 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2991 ,  C04B35/468 ,  C04B41/5041 ,  C04B35/48 ,  C04B35/495

摘要： 本發明之目的係為了能夠獲得一種可於低溫下燒成且燒成後之殼部厚度均一之芯–殼構造之粉末，而於粉末燒成前，預先形成粒子之內部與表面具有不同組成之芯–殼構造。又，本發明之目的亦在於提供一種壽命較長之積層陶瓷電容器，其藉由使用於燒成前粒子之內部與表面具有不同組成之芯–殼構造之粉末，以製作積層陶瓷電容器而實現。本發明之粉末之製造方法，係於包含原料之液體中合成粒子，其特徵在於，將作為上述粒子成分所取入之組合物添加至上述液體，使合成過程中上述液體之組成連續或間斷地變化，以獲得至少粒子之內部與表面具有不同組成之粒子。

简体摘要： 本发明之目的系为了能够获得一种可于低温下烧成且烧成后之壳部厚度均一之芯–壳构造之粉末，而于粉末烧成前，预先形成粒子之内部与表面具有不同组成之芯–壳构造。又，本发明之目的亦在于提供一种寿命较长之积层陶瓷电容器，其借由使用于烧成前粒子之内部与表面具有不同组成之芯–壳构造之粉末，以制作积层陶瓷电容器而实现。本发明之粉末之制造方法，系于包含原料之液体中合成粒子，其特征在于，将作为上述粒子成分所取入之组合物添加至上述液体，使合成过程中上述液体之组成连续或间断地变化，以获得至少粒子之内部与表面具有不同组成之粒子。

公开(公告)号：TWI265917B

公开(公告)日：2006-11-11

申请号：TW093130166

申请日：2004-10-05

申请人： 國巨股份有限公司 YAGEO CORPORATION

发明人： 李文熙 LEE, WEN HSI ,  蘇哲儀 WU, CHE YI ,  楊義豐 YANG, YI FENG

IPC分类号： C04B

CPC分类号： H01G4/1218 ,  B32B2311/08 ,  B32B2311/12 ,  C01G23/002 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/86 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/462 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/408

摘要： 本發明關於一種新穎之鈦酸鋅(ZnTiO3)系統之介電材料，其組成具如下通式：(Zn1-aMga)(Ti1-b-cMnbDc)dO3，其中， D係為五價以上之元素，0≦a≦0.5，c≦b≦0.1，0≦c≦0.1，1≦d≦1.5，其具超低溫燒結、高品質因子、高可靠度及高耐壓特性，並可用於製造具有高絕緣電阻值之低電容之積層陶瓷電容器。本發明另關於該新穎鈦酸鋅系統之介電材料之製備方法。

简体摘要： 本发明关于一种新颖之钛酸锌(ZnTiO3)系统之介电材料，其组成具如下通式：(Zn1-aMga)(Ti1-b-cMnbDc)dO3，其中， D系为五价以上之元素，0≦a≦0.5，c≦b≦0.1，0≦c≦0.1，1≦d≦1.5，其具超低温烧结、高品质因子、高可靠度及高耐压特性，并可用于制造具有高绝缘电阻值之低电容之积层陶瓷电容器。本发明另关于该新颖钛酸锌系统之介电材料之制备方法。

公开(公告)号：TW200620345A

公开(公告)日：2006-06-16

申请号：TW093138090

申请日：2004-12-09

申请人： 達方電子股份有限公司 DARFON ELECTRONICS CORP.

发明人： 簡廷安 T. A. JAIN ,  裴修祥 H. H. PEI

IPC分类号： H01G

CPC分类号： H01G4/1218 ,  B32B2311/12 ,  C04B35/49 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/77 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/407 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30

摘要： 本發明揭示一種陶瓷粉體組合物、陶瓷材料、及其所製成的積層陶瓷電容器，上述組合物包含：原料陶瓷粉末，含量為80～90wt％，其組成如下：(SrxCa1–x)TiyZr1–yO3，其中0≦x≦1、0≦y≦0.1；以及；助燒結劑，含量為10～20wt％，係擇自M^a2O、M^bO、M^c2O3、與M^dO2之氧化物所組成的族群，其中元素M^a為鋰、鈉、鉀、或上述之組合，元素M^b為鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、或上述之組合，元素M^c為硼、鋁、鎵、或上述之組合，元素M^d為矽、鍺、或上述之組合。

简体摘要： 本发明揭示一种陶瓷粉体组合物、陶瓷材料、及其所制成的积层陶瓷电容器，上述组合物包含：原料陶瓷粉末，含量为80～90wt％，其组成如下：(SrxCa1–x)TiyZr1–yO3，其中0≦x≦1、0≦y≦0.1；以及；助烧结剂，含量为10～20wt％，系择自M^a2O、M^bO、M^c2O3、与M^dO2之氧化物所组成的族群，其中元素M^a为锂、钠、钾、或上述之组合，元素M^b为铍、镁、钙、锶、钡、或上述之组合，元素M^c为硼、铝、镓、或上述之组合，元素M^d为硅、锗、或上述之组合。

公开(公告)号：TW200528580A

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：TW094104355

申请日：2005-02-15

申请人： 日立化成工業股份有限公司 HITACHI CHEMICAL CO., LTD.

发明人： 近藤裕介 KONDOU, YUUSUKE ,  平田善毅 HIRATA, YOSHITAKA ,  島田靖 SHIMADA, YASUSHI ,  神代恭 KUMASHIRO, YASUSHI

IPC分类号： C23C ,  H05K ,  H01G ,  B32B

CPC分类号： H01G4/1218 ,  H01G4/33 ,  H05K1/162 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0315

摘要： 本發明係以提供與電鍍法形成的金屬層密著性優異且難以被電鍍藥液侵蝕的金屬氧化物薄膜複合材料為目的，提供一種薄膜複合材料，於附有金屬薄膜的銅箔上之金屬薄膜表面，至少設置具有含Ti為構成元素的非晶系金屬氧化物薄膜層作為其構成的最外層之介電體薄膜層，以達成上述目的。

简体摘要： 本发明系以提供与电镀法形成的金属层密着性优异且难以被电镀药液侵蚀的金属氧化物薄膜复合材料为目的，提供一种薄膜复合材料，于附有金属薄膜的铜箔上之金属薄膜表面，至少设置具有含Ti为构成元素的非晶系金属氧化物薄膜层作为其构成的最外层之介电体薄膜层，以达成上述目的。

公开(公告)号：TW200425181A

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：TW093104465

申请日：2004-02-23

申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

发明人： 下幸雄 SAKASHITA, YUKIO

IPC分类号： H01G

CPC分类号： H01G4/1218 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/02 ,  C01P2002/04 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/33 ,  H01L28/55

摘要： 本發明係關於一種薄膜電容元件以及含有其之電子電路及電子機器；也就是說，本發明之薄膜電容元件係具有藉由化學計量組成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–所表示之組成(m係正整數，A係由鈉、鉀、鉛、鋇、鍶、鈣及鉍所構成之群組而選出之至少1種元素，B係由鐵、鈷、鉻、鎵、鈦、鈮、鉭、銻、錳、釩、鉬及鎢所構成之群組而選出之至少1種元素。)，使得藉由包含比起化學計量比還過剩地含有鉍(Bi)並且以鉍換算而使得鉍之過剩含有量成為0＜Bi＜0.5×m莫爾範圍之鉍層狀化合物之介電質材料所形成之介電質層，具備在第1電極層和第2電極層之間。這樣構成之薄膜電容元件係能夠進行薄層化，並且，可以容易製作，具有良好之溫度補償特性。

简体摘要： 本发明系关于一种薄膜电容组件以及含有其之电子电路及电子机器；也就是说，本发明之薄膜电容组件系具有借由化学计量组成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–所表示之组成(m系正整数，A系由钠、钾、铅、钡、锶、钙及铋所构成之群组而选出之至少1种元素，B系由铁、钴、铬、镓、钛、铌、钽、锑、锰、钒、钼及钨所构成之群组而选出之至少1种元素。)，使得借由包含比起化学计量比还过剩地含有铋(Bi)并且以铋换算而使得铋之过剩含有量成为0＜Bi＜0.5×m莫尔范围之铋层状化合物之介电质材料所形成之介电质层，具备在第1电极层和第2电极层之间。这样构成之薄膜电容组件系能够进行薄层化，并且，可以容易制作，具有良好之温度补偿特性。