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1.发明专利包括限制邏輯閘階層布局架構中之交叉耦合電晶體配置的積體電路、及用以產生其布局的方法、及包括用以產生其布局之指令的資料儲存裝置 审中-公开包括限制逻辑门阶层布局架构中之交叉耦合晶体管配置的集成电路、及用以产生其布局的方法、及包括用以产生其布局之指令的数据存储设备
公开(公告)号：TW201735325A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106120691
申请日：2009-03-13
申请人： 泰拉創新股份有限公司 , TELA INNOVATIONS, INC.
发明人： 貝克史考特 T , BECKER,SCOTT T.
CPC分类号： H01L27/11807 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G11C5/06 , G11C11/412 , H01L21/823475 , H01L23/49844 , H01L23/528 , H01L23/5386 , H01L27/0207 , H01L27/0218 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1052 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L2027/11853 , H01L2027/11875 , H01L2027/11887 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 以第一與第二閘極各自定義第一P通道（P channel）電晶體與第一N通道（N channel）電晶體。該第二閘極與該第一閘極係電氣相連。以第三與第四閘極各自定義第二P通道電晶體與第二N通道電晶體。該第四閘極與該第三閘極係電氣相連。第一P通道電晶體、第一N通道電晶體、第二P通道電晶體、與第二N通道電晶體中每一者具有與共用節點電氣相連的各自擴散端。第一、第二、第三、與第四閘極中每一者係定義成沿著若干平行指向的閘極軌道中任一個而延伸，不實質接觸與毗鄰的閘極軌道相關之任一邏輯閘階層特徵部布局通道內所定義的邏輯閘階層特徵部。
简体摘要： 以第一与第二闸极各自定义第一P信道（P channel）晶体管与第一N信道（N channel）晶体管。该第二闸极与该第一闸极系电气相连。以第三与第四闸极各自定义第二P信道晶体管与第二N信道晶体管。该第四闸极与该第三闸极系电气相连。第一P信道晶体管、第一N信道晶体管、第二P信道晶体管、与第二N信道晶体管中每一者具有与共享节点电气相连的各自扩散端。第一、第二、第三、与第四闸极中每一者系定义成沿着若干平行指向的闸极轨道中任一个而延伸，不实质接触与毗邻的闸极轨道相关之任一逻辑门阶层特征部布局信道内所定义的逻辑门阶层特征部。
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2.发明专利包括限制邏輯閘階層布局架構中之交叉耦合電晶體配置的積體電路、及用以產生其布局的方法、及包括用以產生其布局之指令的資料儲存裝置 审中-公开包括限制逻辑门阶层布局架构中之交叉耦合晶体管配置的集成电路、及用以产生其布局的方法、及包括用以产生其布局之指令的数据存储设备
公开(公告)号：TW201631742A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105116633
申请日：2009-03-13
申请人： 泰拉創新股份有限公司 , TELA INNOVATIONS, INC.
发明人： 貝克史考特 T , BECKER,SCOTT T.
CPC分类号： H01L27/11807 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G11C5/06 , G11C11/412 , H01L21/823475 , H01L23/49844 , H01L23/528 , H01L23/5386 , H01L27/0207 , H01L27/0218 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1052 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L2027/11853 , H01L2027/11875 , H01L2027/11887 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 以第一與第二閘極各自定義第一P通道（P channel）電晶體與第一N通道（N channel）電晶體。該第二閘極與該第一閘極係電氣相連。以第三與第四閘極各自定義第二P通道電晶體與第二N通道電晶體。該第四閘極與該第三閘極係電氣相連。第一P通道電晶體、第一N通道電晶體、第二P通道電晶體、與第二N通道電晶體中每一者具有與共用節點電氣相連的各自擴散端。第一、第二、第三、與第四閘極中每一者係定義成沿著若干平行指向的閘極軌道中任一個而延伸，不實質接觸與毗鄰的閘極軌道相關之任一邏輯閘階層特徵部布局通道內所定義的邏輯閘階層特徵部。
简体摘要： 以第一与第二闸极各自定义第一P信道（P channel）晶体管与第一N信道（N channel）晶体管。该第二闸极与该第一闸极系电气相连。以第三与第四闸极各自定义第二P信道晶体管与第二N信道晶体管。该第四闸极与该第三闸极系电气相连。第一P信道晶体管、第一N信道晶体管、第二P信道晶体管、与第二N信道晶体管中每一者具有与共享节点电气相连的各自扩散端。第一、第二、第三、与第四闸极中每一者系定义成沿着若干平行指向的闸极轨道中任一个而延伸，不实质接触与毗邻的闸极轨道相关之任一逻辑门阶层特征部布局信道内所定义的逻辑门阶层特征部。
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3.发明专利限制邏輯閘階層布局架構中之交叉耦合電晶體布局 CROSS-COUPLED TRANSISTOR LAYOUTS IN RESTRICTED GATE LEVEL LAYOUT ARCHITECTURE 审中-公开限制逻辑门阶层布局架构中之交叉耦合晶体管布局 CROSS-COUPLED TRANSISTOR LAYOUTS IN RESTRICTED GATE LEVEL LAYOUT ARCHITECTURE
公开(公告)号：TW200950064A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098108259
申请日：2009-03-13
申请人： 泰拉創新股份有限公司
发明人： 貝克 史考特T
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11807 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G11C5/06 , G11C11/412 , H01L21/823475 , H01L23/49844 , H01L23/528 , H01L23/5386 , H01L27/0207 , H01L27/0218 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1052 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L2027/11853 , H01L2027/11875 , H01L2027/11887 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 以第一與第二閘極各自定義第一P通道（P channel）電晶體與第一N通道（N channel）電晶體。該第二閘極與該第一閘極係電氣相連。以第三與第四閘極各自定義第二P通道電晶體與第二N通道電晶體。該第四閘極與該第三閘極係電氣相連。第一P通道電晶體、第一N通道電晶體、第二P通道電晶體、與第二N通道電晶體中每一者具有與共用節點電氣相連的各自擴散端。第一、第二、第三、與第四閘極中每一者係定義成沿著若干平行指向的閘極軌道中任一個而延伸，不實質接觸與毗鄰的閘極軌道相關之任一邏輯閘階層特徵部布局通道內所定義的邏輯閘階層特徵部。
简体摘要： 以第一与第二闸极各自定义第一P信道（P channel）晶体管与第一N信道（N channel）晶体管。该第二闸极与该第一闸极系电气相连。以第三与第四闸极各自定义第二P信道晶体管与第二N信道晶体管。该第四闸极与该第三闸极系电气相连。第一P信道晶体管、第一N信道晶体管、第二P信道晶体管、与第二N信道晶体管中每一者具有与共享节点电气相连的各自扩散端。第一、第二、第三、与第四闸极中每一者系定义成沿着若干平行指向的闸极轨道中任一个而延伸，不实质接触与毗邻的闸极轨道相关之任一逻辑门阶层特征部布局信道内所定义的逻辑门阶层特征部。
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公开(公告)号：TWI565018B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104115775
申请日：2015-05-18
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 艾爾沙 拉尼 , ELSAYED, RANY T. , 高爾 尼堤 , GOEL, NITI , 鮑格薩 席維歐 , BOU-GHAZALE, SILVIO E. , 亞克沙米 藍迪 , AKSAMIT, RANDY J.
CPC分类号： H01L27/0207 , G06F17/5068 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/823475 , H01L27/11 , H01L27/11807 , H01L29/16 , H01L2027/11853 , H01L2027/11866 , H01L2027/11875 , H03K19/00
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5.发明专利包括限制邏輯閘階層布局架構中之交叉耦合電晶體配置的積體電路、及用以產生其布局的方法、及包括用以產生其布局之指令的資料儲存裝置 审中-公开包括限制逻辑门阶层布局架构中之交叉耦合晶体管配置的集成电路、及用以产生其布局的方法、及包括用以产生其布局之指令的数据存储设备
公开(公告)号：TW201545317A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104128178
申请日：2009-03-13
申请人： 泰拉創新股份有限公司 , TELA INNOVATIONS, INC.
发明人： 貝克 史考特T , BECKER, SCOTT T.
CPC分类号： H01L27/11807 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G11C5/06 , G11C11/412 , H01L21/823475 , H01L23/49844 , H01L23/528 , H01L23/5386 , H01L27/0207 , H01L27/0218 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1052 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L2027/11853 , H01L2027/11875 , H01L2027/11887 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 以第一與第二閘極各自定義第一P通道(P channel)電晶體與第一N通道(N channel)電晶體。該第二閘極與該第一閘極係電氣相連。以第三與第四閘極各自定義第二P通道電晶體與第二N通道電晶體。該第四閘極與該第三閘極係電氣相連。第一P通道電晶體、第一N通道電晶體、第二P通道電晶體、與第二N通道電晶體中每一者具有與共用節點電氣相連的各自擴散端。第一、第二、第三、與第四閘極中每一者係定義成沿著若干平行指向的閘極軌道中任一個而延伸，不實質接觸與毗鄰的閘極軌道相關之任一邏輯閘階層特徵部布局通道內所定義的邏輯閘階層特徵部。
简体摘要： 以第一与第二闸极各自定义第一P信道(P channel)晶体管与第一N信道(N channel)晶体管。该第二闸极与该第一闸极系电气相连。以第三与第四闸极各自定义第二P信道晶体管与第二N信道晶体管。该第四闸极与该第三闸极系电气相连。第一P信道晶体管、第一N信道晶体管、第二P信道晶体管、与第二N信道晶体管中每一者具有与共享节点电气相连的各自扩散端。第一、第二、第三、与第四闸极中每一者系定义成沿着若干平行指向的闸极轨道中任一个而延伸，不实质接触与毗邻的闸极轨道相关之任一逻辑门阶层特征部布局信道内所定义的逻辑门阶层特征部。
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公开(公告)号：TWI416710B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW098108259
申请日：2009-03-13
申请人： 泰拉創新股份有限公司 , TELA INNOVATIONS, INC.
发明人： 貝克 史考特T , BECKER, SCOTT T.
CPC分类号： H01L27/11807 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G11C5/06 , G11C11/412 , H01L21/823475 , H01L23/49844 , H01L23/528 , H01L23/5386 , H01L27/0207 , H01L27/0218 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1052 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L2027/11853 , H01L2027/11875 , H01L2027/11887 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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7.发明专利包括限制邏輯閘階層布局架構中之交叉耦合電晶體配置的積體電路、及用以產生其布局的方法、及包括用以產生其布局之指令的資料儲存裝置 有权包括限制逻辑门阶层布局架构中之交叉耦合晶体管配置的集成电路、及用以产生其布局的方法、及包括用以产生其布局之指令的数据存储设备
公开(公告)号：TWI599019B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105116633
申请日：2009-03-13
申请人： 泰拉創新股份有限公司 , TELA INNOVATIONS, INC.
发明人： 貝克史考特 T , BECKER,SCOTT T.
CPC分类号： H01L27/11807 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G11C5/06 , G11C11/412 , H01L21/823475 , H01L23/49844 , H01L23/528 , H01L23/5386 , H01L27/0207 , H01L27/0218 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1052 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L2027/11853 , H01L2027/11875 , H01L2027/11887 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201715732A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105133095
申请日：2016-10-13
发明人： 江國誠 , CHING, KUO CHENG , 蔡慶威 , TSAI, CHING WEI , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/11807 , H01L21/31116 , H01L21/31155 , H01L21/32135 , H01L21/32155 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L29/0847 , H01L29/66545 , H01L29/66803 , H01L29/7851 , H01L2027/11853 , H01L2027/11864
摘要： 一種半導體裝置包含第一鰭式場效電晶體及第二鰭式場效電晶體。第一鰭式場效電晶體包含第一閘極、第一源極及第一汲極，且具有源極/汲極間之第一距離。第二場鰭式效電晶體包含第二閘極、第二源極及第二汲極，且具有小於第一鰭式場效電晶體源極/汲極間距離之第二距離。在一些實施例中，第一鰭式場效電晶體裝置為一種輸入/輸出裝置，而第二鰭式場效電晶體裝置為諸如一核心裝置之非輸入/輸出裝置。在一些實施例中，第一鰭式場效電晶體源極/汲極之間具有較大的距離，是因為第一鰭式場效電晶體裝置的一附加間隔層而第二鰭式場效電晶體裝置沒有。
简体摘要： 一种半导体设备包含第一鳍式场效应管及第二鳍式场效应管。第一鳍式场效应管包含第一闸极、第一源极及第一汲极，且具有源极/汲极间之第一距离。第二场鳍式效晶体管包含第二闸极、第二源极及第二汲极，且具有小于第一鳍式场效应管源极/汲极间距离之第二距离。在一些实施例中，第一鳍式场效应管设备为一种输入/输出设备，而第二鳍式场效应管设备为诸如一内核设备之非输入/输出设备。在一些实施例中，第一鳍式场效应管源极/汲极之间具有较大的距离，是因为第一鳍式场效应管设备的一附加间隔层而第二鳍式场效应管设备没有。
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公开(公告)号：TW201611223A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104115775
申请日：2015-05-18
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 艾爾沙 拉尼 , ELSAYED, RANY T. , 高爾 尼堤 , GOEL, NITI , 鮑格薩 席維歐 , BOU-GHAZALE, SILVIO E. , 亞克沙米 藍迪 , AKSAMIT, RANDY J.
CPC分类号： H01L27/0207 , G06F17/5068 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/823475 , H01L27/11 , H01L27/11807 , H01L29/16 , H01L2027/11853 , H01L2027/11866 , H01L2027/11875 , H03K19/00
摘要： 用於形成功能單元之緊湊陣列的技術係被揭露，其使用下一代微影(NGL)製程，諸如電子束直接寫入(EBDW)以及極紫外光微影(EUVL)，用以在陣列中形成該等單元的邊界。該單元的緊湊陣列可被使用於以邏輯單元來組態的現場可程式化閘陣列(FPGA)結構、以位元單元來組態的靜態隨機存取記憶體(SRAM)結構、或具有以單元為主之結構的其他記憶體或邏輯裝置。因為相較於習知193nm光微影，NGL製程容許該等單元邊界更高的準確度與更靠近的切割，所以該等技術可被使用來得到例如該功能單元陣列之10至50個百分點的面積縮減。此外，使用NGL製程來形成該等單元的邊界亦可減少微影所導致的變異，該等變異則存在於習知193nm光微影。
简体摘要： 用于形成功能单元之紧凑数组的技术系被揭露，其使用下一代微影(NGL)制程，诸如电子束直接写入(EBDW)以及极紫外光微影(EUVL)，用以在数组中形成该等单元的边界。该单元的紧凑数组可被使用于以逻辑单元来组态的现场可进程化闸数组(FPGA)结构、以比特单元来组态的静态随机存取内存(SRAM)结构、或具有以单元为主之结构的其他内存或逻辑设备。因为相较于习知193nm光微影，NGL制程容许该等单元边界更高的准确度与更靠近的切割，所以该等技术可被使用来得到例如该功能单元数组之10至50个百分点的面积缩减。此外，使用NGL制程来形成该等单元的边界亦可减少微影所导致的变异，该等变异则存在于习知193nm光微影。
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10.发明专利包括限制邏輯閘階層布局架構中之交叉耦合電晶體配置的積體電路、及用以產生其布局的方法、及包括用以產生其布局之指令的資料儲存裝置 有权包括限制逻辑门阶层布局架构中之交叉耦合晶体管配置的集成电路、及用以产生其布局的方法、及包括用以产生其布局之指令的数据存储设备
公开(公告)号：TWI546939B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW104128178
申请日：2009-03-13
申请人： 泰拉創新股份有限公司 , TELA INNOVATIONS, INC.
发明人： 貝克 史考特T , BECKER, SCOTT T.
CPC分类号： H01L27/11807 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G11C5/06 , G11C11/412 , H01L21/823475 , H01L23/49844 , H01L23/528 , H01L23/5386 , H01L27/0207 , H01L27/0218 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1052 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L2027/11853 , H01L2027/11875 , H01L2027/11887 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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