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    積體電路結構
    2.
    发明专利
    積體電路結構 审中-公开
    集成电路结构

    公开(公告)号：TW201417238A

    公开(公告)日：2014-05-01

    申请号：TW102137439

    申请日：2013-10-17

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 曾仁洲 ,  TSENG, JEN CHOU ,  林文傑 ,  LIN, WUN JIE

    IPC: H01L25/04 ,  H01L23/52

    CPC classification number: H01L27/0277 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823493 ,  H01L29/1083

    Abstract: 本發明提供一種積體電路結構。上述積體電路結構包括絕緣環，位於基板的頂面。井區，其具有第一導電類型，位於基板的表面部分內。井區包括第一部分，其包括被上述絕緣環包圍的一頂部，以及第二部分，其包括包圍絕緣環的頂部。基極電阻調整環狀物，包括與絕緣環重疊的第一部分。基極電阻調整環狀物位於井區的第一部分和第二部分之間。基極電阻調整環狀物係擇自由具有第一導電類型的環狀物；實質電中性環狀物；以及具有與第一導電類型相反的第二導電類型的環狀物組成的一族群。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括绝缘环，位于基板的顶面。井区，其具有第一导电类型，位于基板的表面部分内。井区包括第一部分，其包括被上述绝缘环包围的一顶部，以及第二部分，其包括包围绝缘环的顶部。基极电阻调整环状物，包括与绝缘环重叠的第一部分。基极电阻调整环状物位于井区的第一部分和第二部分之间。基极电阻调整环状物系择自由具有第一导电类型的环状物；实质电中性环状物；以及具有与第一导电类型相反的第二导电类型的环状物组成的一族群。

    半導體裝置
    3.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201308565A

    公开(公告)日：2013-02-16

    申请号：TW101119284

    申请日：2012-05-30

    Applicant: 半導體元件工業有限責任公司 ,  SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC

    Inventor： 大鶴雄三 ,  OTSURU, YUZO ,  武田安弘 ,  TAKEDA, YASUHIRO ,  杉原茂行 ,  SUGIHARA, SHIGEYUKI ,  井上慎也 ,  INOUE, SHINYA

    IPC: H01L23/60 ,  H01L29/772

    CPC classification number: H01L27/0277 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

    Abstract: 本發明之目的為，即便是在以包圍手指(Finger)形狀之源極電極、與汲極電極連接之各N+型源極層、N+型汲極層之方式構成P+型接觸層的情況下，當施加突波電壓時亦可使各手指部之寄生雙極性電晶體均一地接通。本發明之解決手段為：以包圍相互平行延伸的複數個N+型源極層(9)、N+型汲極層(8)之方式形成P+型接觸層(10)。在N+型源極層(9)上、N+型汲極層(8)上以及朝向與N+型源極層(9)所延伸之方向呈垂直之方向延伸的P+型接觸層(10)上分別形成金屬矽化物層(9a、8a、10a)。透過形成於金屬矽化物層(9a、8a、10a)上所沉積之層間絕緣膜(13)的接觸孔(14)，形成與該各金屬矽化物層連接的手指形狀之源極電極(15)、汲極電極(16)以及包圍該手指形狀之各電極的P+型接觸電極(17)。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的为，即便是在以包围手指(Finger)形状之源极电极、与汲极电极连接之各N+型源极层、N+型汲极层之方式构成P+型接触层的情况下，当施加突波电压时亦可使各手指部之寄生双极性晶体管均一地接通。本发明之解决手段为：以包围相互平行延伸的复数个N+型源极层(9)、N+型汲极层(8)之方式形成P+型接触层(10)。在N+型源极层(9)上、N+型汲极层(8)上以及朝向与N+型源极层(9)所延伸之方向呈垂直之方向延伸的P+型接触层(10)上分别形成金属硅化物层(9a、8a、10a)。透过形成于金属硅化物层(9a、8a、10a)上所沉积之层间绝缘膜(13)的接触孔(14)，形成与该各金属硅化物层连接的手指形状之源极电极(15)、汲极电极(16)以及包围该手指形状之各电极的P+型接触电极(17)。

    半導體靜電放電保護元件
    5.
    发明专利
    半導體靜電放電保護元件 审中-公开
    半导体静电放电保护组件

    公开(公告)号：TW201712844A

    公开(公告)日：2017-04-01

    申请号：TW104131234

    申请日：2015-09-22

    Applicant: 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    Inventor： 黃崇祐 ,  HUANG, CHUNG-YU ,  蘇冠丞 ,  SU, KUAN-CHENG ,  唐天浩 ,  TANG, TIEN-HAO ,  陳秉睿 ,  CHEN, PING-JUI ,  賴博亞 ,  LAI, PO-YA

    IPC: H01L23/60

    CPC classification number: H01L27/0277 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7851

    Abstract: 一種半導體ESD保護元件，包含有一基底、一設置於該基底上之閘極組、分別設置於該閘極組兩側之該基底內之一源極區域與一汲極區域、至少一設置於該源極區域內之第一摻雜區域、以及至少一設置於該汲極區域內之第二摻雜區域。該源極區域、該汲極區域與該第二摻雜區域包含有一第一導電型態，該第一摻雜區域包含有一第二導電型態，且該第二導電型態與該第一導電型態互補。該第二摻雜區域與該第一摻雜區域彼此電性連接。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体ESD保护组件，包含有一基底、一设置于该基底上之闸极组、分别设置于该闸极组两侧之该基底内之一源极区域与一汲极区域、至少一设置于该源极区域内之第一掺杂区域、以及至少一设置于该汲极区域内之第二掺杂区域。该源极区域、该汲极区域与该第二掺杂区域包含有一第一导电型态，该第一掺杂区域包含有一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。该第二掺杂区域与该第一掺杂区域彼此电性连接。

    積體電路之輸出驅動器的共享靜電放電保護 SHARED ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION FOR INTEGRATED CIRCUIT OUTPUT DRIVERS
    9.
    发明专利
    積體電路之輸出驅動器的共享靜電放電保護 SHARED ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION FOR INTEGRATED CIRCUIT OUTPUT DRIVERS 审中-公开
    集成电路之输出驱动器的共享静电放电保护 SHARED ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION FOR INTEGRATED CIRCUIT OUTPUT DRIVERS

    公开(公告)号：TW201110316A

    公开(公告)日：2011-03-16

    申请号：TW099114768

    申请日：2010-05-10

    Applicant: 吉林克斯公司

    Inventor： 李 理查C ,  卡普 詹姆士

    IPC: H01L ,  H02H

    CPC classification number: H01L27/0277

    Abstract: 一種用於保護積體電路(IC)內金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)輸出驅動器免於靜電放電(ESD)傷害的系統,包含一第一MOSFET輸出驅動器及一第二MOSFET輸出驅動器位於一共用IC擴散材料內。該系統包含一接觸環耦接至共用IC擴散材料內並沿著環繞MOSFET輸出驅動器之周圍之外側邊緣安置。每一MOSFET輸出驅動器之形心位置均相同於環繞二MOSFET輸出驅動器之周圍的形心。每一MOSFET輸出驅動器具有一基板電阻値(Rsub),其在ESD事件發生的MOSFET輸出驅動器中起始雙載子驟返。上述之Rsub値取決於自每一MOSFET輸出驅動器的形心至上述接觸環之複合距離。

    Abstract in simplified Chinese: 一种用于保护集成电路(IC)内金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)输出驱动器免于静电放电(ESD)伤害的系统,包含一第一MOSFET输出驱动器及一第二MOSFET输出驱动器位于一共享IC扩散材料内。该系统包含一接触环耦接至共享IC扩散材料内并沿着环绕MOSFET输出驱动器之周围之外侧边缘安置。每一MOSFET输出驱动器之形心位置均相同于环绕二MOSFET输出驱动器之周围的形心。每一MOSFET输出驱动器具有一基板电阻値(Rsub),其在ESD事件发生的MOSFET输出驱动器中起始双载子骤返。上述之Rsub値取决于自每一MOSFET输出驱动器的形心至上述接触环之复合距离。

    電晶體式保護裝置及半導體積體電路 TRANSISTOR-TYPE PROTECTION DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
    10.
    发明专利
    電晶體式保護裝置及半導體積體電路 TRANSISTOR-TYPE PROTECTION DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT 失效
    晶体管式保护设备及半导体集成电路 TRANSISTOR-TYPE PROTECTION DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

    公开(公告)号：TW201030931A

    公开(公告)日：2010-08-16

    申请号：TW098139937

    申请日：2009-11-24

    Applicant: 新力股份有限公司

    Inventor： 井本努 ,  小林敏夫

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L29/8605 ,  H01L27/0277 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本發明提供一種電晶體式保護裝置,其包括:一半導體基板;一具有一第一導電類型之井,其形成於該半導體基板中;一具有一第二導電類型之源極區域,其形成於該井中;一閘電極,其經由在該源極區域之一側處的一閘極絕緣膜形成於該井上;具有一第二導電類型之複數個汲極區域,其彼此隔開地形成,且分別與緊接在閘電極膜下方之一井部分分開一預定距離;及一電阻性連接部分,其以一預定電阻連接於該複數個汲極區域之間。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种晶体管式保护设备,其包括:一半导体基板;一具有一第一导电类型之井,其形成于该半导体基板中;一具有一第二导电类型之源极区域,其形成于该井中;一闸电极,其经由在该源极区域之一侧处的一闸极绝缘膜形成于该井上;具有一第二导电类型之复数个汲极区域,其彼此隔开地形成,且分别与紧接在闸电极膜下方之一井部分分开一预定距离;及一电阻性连接部分,其以一预定电阻连接于该复数个汲极区域之间。

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