-
公开(公告)号：TW201505162A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103117958
申请日：2014-05-22
申请人： 無限傳感有限公司 , SENSORS UNLIMITED, INC.
发明人： 迪克森 彼得E , DIXON, PETER E.
CPC分类号： H01L27/14625 , H01L27/14621 , H01L27/14649 , H01L27/1465 , H01L27/14694 , H01L31/1876 , H01L2924/351
摘要： 本發明提供一種焦平面陣列，其包括一光偵測器陣列，其中每一光偵測器與一讀出積體電路之一電極之一相應者電連通。該光偵測器陣列包括一絕緣層、包括至少一盲孔之一阻擋層，及形成在該絕緣層與該阻擋層之間之一主動層。該阻擋層之一第一部分透射具有一第一波長之輻射且反射低於該第一波長之輻射之具有第二波長的輻射。選擇該至少一盲孔之一直徑以允許該第二波長之輻射通過該至少一盲孔。
简体摘要： 本发明提供一种焦平面数组，其包括一光侦测器数组，其中每一光侦测器与一读出集成电路之一电极之一相应者电连通。该光侦测器数组包括一绝缘层、包括至少一盲孔之一阻挡层，及形成在该绝缘层与该阻挡层之间之一主动层。该阻挡层之一第一部分透射具有一第一波长之辐射且反射低于该第一波长之辐射之具有第二波长的辐射。选择该至少一盲孔之一直径以允许该第二波长之辐射通过该至少一盲孔。
-
公开(公告)号：TW201351607A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102118830
申请日：2013-05-28
申请人： 新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人： 淺山豪 , ASAYAMA, GO , 夏馬 安普 , SHARMA, ANUP
IPC分类号： H01L25/00
CPC分类号： H01L25/167 , H01L27/14609 , H01L27/1465 , H01L2924/0002 , H04N5/378 , H01L2924/00
摘要： 本發明揭示一種半導體裝置，其包括：一第一基板，其具有偵測預定資訊之一感測部分；一第二基板，其具有處理自該感測部分供應至其之資料之一第一處理部分；及一第三基板，其具有處理自該第一基板或自該第二基板供應至其之資料之一第二處理部分。
简体摘要： 本发明揭示一种半导体设备，其包括：一第一基板，其具有侦测预定信息之一传感部分；一第二基板，其具有处理自该传感部分供应至其之数据之一第一处理部分；及一第三基板，其具有处理自该第一基板或自该第二基板供应至其之数据之一第二处理部分。
-
公开(公告)号：TWI599015B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW102118830
申请日：2013-05-28
申请人： 新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人： 淺山豪 , ASAYAMA, GO , 夏馬 安普 , SHARMA, ANUP
IPC分类号： H01L25/00
CPC分类号： H01L25/167 , H01L27/14609 , H01L27/1465 , H01L2924/0002 , H04N5/378 , H01L2924/00
-
公开(公告)号：TW201721232A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105131618
申请日：2016-09-30
申请人： 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人： 沈 虹 , SHEN, HONG , 王 亮 , WANG, LIANG , 高 桂蓮 , GAO, GUILIAN , 西塔朗 亞卡爾古德R , SITARAM, ARKALGUD R.
IPC分类号： G02B27/01 , G06T1/20 , H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H04N5/33 , H04N5/374 , H04N9/04 , H04N9/097 , H04N9/43 , H04N9/76
CPC分类号： H04N9/43 , G02B27/1013 , G06T1/20 , H01L27/1462 , H01L27/14634 , H01L27/14645 , H01L27/1465 , H01L27/14685 , H01L27/1469 , H01L31/02322 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H04N5/332 , H04N5/374 , H04N9/045 , H04N9/097 , H04N9/76
摘要： 本發明提供使用整合在3D封裝中的單色CMOS影像感測器的HD彩色視頻。用於彩色視頻的範例3DIC包括分束器，以將接收到的影像流的光分成多個光輸出。多個單色CMOS影像感測器是每一者被耦合至多個光輸出中的一者，以用接收到的光的各自成分波長感測單色影像流。每一個單色CMOS影像感測器是被特別地建構、摻雜、控制以及調整以符合其各自波長的光。平行處理的積分器或中介件晶片將各自的單色影像流非均勻地合併成全頻譜彩色視頻流，包括紅外線或紫外線流的平行處理。單色影像流的平行處理提供在低光位準下HD或4K HD彩色視頻的重建。一個中介件晶片的平行處理亦提升速度、空間分辨率、感測性、低光效能和色彩重建。
简体摘要： 本发明提供使用集成在3D封装中的单色CMOS影像传感器的HD彩色视频。用于彩色视频的范例3DIC包括分束器，以将接收到的影像流的光分成多个光输出。多个单色CMOS影像传感器是每一者被耦合至多个光输出中的一者，以用接收到的光的各自成分波长传感单色影像流。每一个单色CMOS影像传感器是被特别地建构、掺杂、控制以及调整以符合其各自波长的光。平行处理的积分器或中介件芯片将各自的单色影像流非均匀地合并成全频谱彩色视频流，包括红外线或紫外线流的平行处理。单色影像流的平行处理提供在低光位准下HD或4K HD彩色视频的重建。一个中介件芯片的平行处理亦提升速度、空间分辨率、传感性、低光性能和色彩重建。
-
公开(公告)号：TWI619237B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW104132615
申请日：2015-10-02
发明人： 韋伯斯特 艾瑞克A G , WEBSTER, ERIC A. G.
IPC分类号： H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H01L31/1075 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/1465 , H01L31/02027 , H01L31/02327 , H02S40/44 , H04N5/332 , H04N5/369
-
公开(公告)号：TW201727881A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105124853
申请日：2016-08-04
申请人： 光澄科技股份有限公司 , ARTILUX INC.
发明人： 那允中 , NA, YUN-CHUNG , 鄭斯璘 , CHENG, SZU-LIN , 陳書履 , CHEN, SHU-LU , 劉漢鼎 , LIU, HAN-DIN , 陳慧文 , CHEN, HUI-WEN , 梁哲夫 , LIANG, CHE-FU
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/028 , H01L31/0312 , H04N5/378
CPC分类号： H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/1465 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L27/14698 , H01L31/02327 , H01L31/0312 , H01L31/09 , H01L31/1812 , H01L31/1876 , H01L31/1892
摘要： 一種影像感測陣列包含一承載基板、一第一群光電二極體及一第二群光電二極體。第一群光電二極體耦合於承載基板並包含一第一光電二極體，第一光電二極體包含一半導體層；半導體層用以吸收介於可見光波段的光子，並以所吸收之介於可見光波段的光子產生光載子。第二群光電二極體耦合於承載基板並包含一第二光電二極體，第二光電二極體包含一鍺矽區。﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽；鍺矽區製造於半導體基板上方，並用以吸收介於紅外光或近紅外波段的光子，再以所吸收到之介於紅外光或近紅外光波段的光子產生光載子。
简体摘要： 一种影像传感数组包含一承载基板、一第一群光电二极管及一第二群光电二极管。第一群光电二极管耦合于承载基板并包含一第一光电二极管，第一光电二极管包含一半导体层；半导体层用以吸收介于可见光波段的光子，并以所吸收之介于可见光波段的光子产生光载子。第二群光电二极管耦合于承载基板并包含一第二光电二极管，第二光电二极管包含一锗硅区。﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽；锗硅区制造于半导体基板上方，并用以吸收介于红外光或近红外波段的光子，再以所吸收到之介于红外光或近红外光波段的光子产生光载子。
-
公开(公告)号：TW201637104A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104142344
申请日：2015-12-16
申请人： 無限傳感有限公司 , SENSORS UNLIMITED, INC.
发明人： 佛斯特 約翰T , FOSTER, JOHN T. , 泰戈 約翰 , TAGLE, JOHN , 茲林斯基 迪米屈 , ZHILINSKY, DMITRY , 立蘭 麥可A , LILAND, MICHAEL A. , 寇維克斯 拉札羅 , KOVACS, LASZLO , 剛扎雷斯 李奧納多C , GONZALES, LEONARDO C.
CPC分类号： H04N5/378 , G06T5/40 , G06T2207/10116 , H01L23/291 , H01L23/295 , H01L23/556 , H01L23/57 , H01L23/573 , H01L27/14618 , H01L27/1465 , H04N5/32 , H04N5/33
摘要： 本文揭示一種對抗電子設備之逆向工程的多層方法。可基於對X射線檢測大致上不透明來選擇與光學感測器一起使用的密封劑。以此方式，獲取競爭情報的可見公眾檢測可減少且電子設備之操作可保持不受影響。另外，剛好嵌在該密封劑表面下方的薄細絲可回應於被切斷及/或被該逆向工程強溶劑及酸溶解而用作電子絆網。
简体摘要： 本文揭示一种对抗电子设备之逆向工程的多层方法。可基于对X射线检测大致上不透明来选择与光学传感器一起使用的密封剂。以此方式，获取竞争情报的可见公众检测可减少且电子设备之操作可保持不受影响。另外，刚好嵌在该密封剂表面下方的薄细丝可回应于被切断及/或被该逆向工程强溶剂及酸溶解而用作电子绊网。
-
公开(公告)号：TW417389B
公开(公告)日：2001-01-01
申请号：TW088110664
申请日：1999-07-13
申请人： 英特爾公司
发明人： 貝沃雷克.艾德華J. , 柯諾利.凱文M.
IPC分类号： H04N
CPC分类号： H04N5/332 , G02B5/208 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14645 , H01L27/1465 , H01L27/14831 , H04N9/045
摘要： 一種影像感測器之像素結構，提供一種用於回應投射光以輸出感應器信號之像素結構。此像素結構包含光選擇元件，這些具有預定厚度之光選擇元件只吸收具有對應光譜可見區波長之光。
简体摘要： 一种影像传感器之像素结构，提供一种用于回应投射光以输出感应器信号之像素结构。此像素结构包含光选择组件，这些具有预定厚度之光选择组件只吸收具有对应光谱可见区波长之光。
-
公开(公告)号：TWI615953B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103117958
申请日：2014-05-22
申请人： 無限傳感有限公司 , SENSORS UNLIMITED, INC.
发明人： 迪克森 彼得E , DIXON, PETER E.
CPC分类号： H01L27/14625 , H01L27/14621 , H01L27/14649 , H01L27/1465 , H01L27/14694 , H01L31/1876 , H01L2924/351
-
10.发明专利氧化物半導體薄膜、及於前述氧化物半導體薄膜的表面具有保護膜的積層體的品質評價方法、及氧化物半導體薄膜的品質管理方法 有权氧化物半导体薄膜、及于前述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的积层体的品质评价方法、及氧化物半导体薄膜的品质管理方法
公开(公告)号：TWI552233B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104122850
申请日：2015-07-15
发明人： 川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI , 林和志 , HAYASHI, KAZUSHI , 釘宮敏洋 , KUGIMIYA, TOSHIHIRO , 越智元隆 , OCHI, MOTOTAKA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/66 , H01L29/786
CPC分类号： H01L22/12 , G01R31/2656 , H01L22/14 , H01L27/14649 , H01L27/1465 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.018 秒)
