公开(公告)号：TWI610438B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW102122338

申请日：2013-06-24

申请人： 三胞半導體公司 ,  TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 紹尼爾 保羅 ,  SAUNIER, PAUL ,  畢姆三世 愛德華A ,  BEAM III, EDWARD A.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2006 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

公开(公告)号：TW201644009A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW104126433

申请日：2015-08-13

申请人： 東芝股份有限公司 ,  TOSHIBA CORPORATION

发明人： 楊 隆 ,  YANG, LONG

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2006 ,  H01L29/205 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本發明係關於一種用於與第III-V族材料系統一起使用之介電材料之新穎結構及製造此類結構之方法。更具體而言，本發明描述形成於III-V材料之頂表面上之新穎介電層，其中該介電層包含與該III-V結晶材料之頂表面接觸的第一區域，及鄰接該第一區域且處於該介電層之上面的第二區域。該介電層具有不同於傳統介電層之材料特性，因為其由結晶及無定形結構二者構成。結晶結構位於與III-V材料(諸如AlGaN或GaN)之界面，但逐漸過渡至無定形結構，兩者在同一層內且二者包含相同材料。

简体摘要： 本发明系关于一种用于与第III-V族材料系统一起使用之介电材料之新颖结构及制造此类结构之方法。更具体而言，本发明描述形成于III-V材料之顶表面上之新颖介电层，其中该介电层包含与该III-V结晶材料之顶表面接触的第一区域，及邻接该第一区域且处于该介电层之上面的第二区域。该介电层具有不同于传统介电层之材料特性，因为其由结晶及无定形结构二者构成。结晶结构位于与III-V材料(诸如AlGaN或GaN)之界面，但逐渐过渡至无定形结构，两者在同一层内且二者包含相同材料。

公开(公告)号：TWI599000B

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：TW104126433

申请日：2015-08-13

申请人： 東芝股份有限公司 ,  TOSHIBA CORPORATION

发明人： 楊 隆 ,  YANG, LONG

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2006 ,  H01L29/205 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

公开(公告)号：TW201513365A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW103129786

申请日：2014-08-29

申请人： 獨立行政法人科學技術振興機構 ,  JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY

发明人： 藤岡洋 ,  FUJIOKA, HIROSHI ,  小林篤 ,  KOBAYASHI, ATSUSHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/78681 ,  H01L29/04 ,  H01L29/2006 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78696

摘要： 試作出以氮化物半導體層作為通道的電晶體。氮化物半導體層均藉由濺鍍法形成。將沉積溫度設為小於600℃，作成多結晶或非晶質的InxGayAlzN層。當以一般式InxGayAlzN(其中，x+y+z=1.0)表記時的組成在0.3≦x≦1.0且0≦z

简体摘要： 试作出以氮化物半导体层作为信道的晶体管。氮化物半导体层均借由溅镀法形成。将沉积温度设为小于600℃，作成多结晶或非晶质的InxGayAlzN层。当以一般式InxGayAlzN(其中，x+y+z=1.0)表记时的组成在0.3≦x≦1.0且0≦z<0.4的范围时，可获得on/off比呈现102以上的晶体管1a。亦即，不论是多结晶或非晶质的膜，均呈现与单结晶同等的电气特性。因此，可提供一种能大幅解除制造条件的限制，而且，价格便宜且具备具有优良电气特性之InGaAlN系氮化物半导体层作为信道的半导体组件。

公开(公告)号：TW201513346A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW103129787

申请日：2014-08-29

申请人： 獨立行政法人科學技術振興機構 ,  JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY

发明人： 藤岡洋 ,  FUJIOKA, HIROSHI ,  小林篤 ,  KOBAYASHI, ATSUSHI

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/78681 ,  H01L29/04 ,  H01L29/2006 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78696

摘要： 電晶體(1a)具備：基板(2a)、第1絕緣層(3a)、氮化物半導體層(4a)、第2絕緣層(5a)、源極電極(61)、汲極電極(62)、閘極電極(63)。第1絕緣層(3a)具有作為氮化物半導體層(4a)的基底層之功能，係例如1nm~20nm左右的厚度的HfO2層。氮化物半導體層(4a)係設置於基板(2a)上的InN層，係1nm以上10nm以下之膜厚的多結晶或非晶質的膜。此範圍之膜厚的InN層不論是多結晶或非晶質的膜，均呈現與單結晶同等的電氣特性。因此，可提供一種能大幅解除製造條件的限制，而且，價格便宜且具備具有優良電氣特性之InN層作為通道的半導體元件。

简体摘要： 晶体管(1a)具备：基板(2a)、第1绝缘层(3a)、氮化物半导体层(4a)、第2绝缘层(5a)、源极电极(61)、汲极电极(62)、闸极电极(63)。第1绝缘层(3a)具有作为氮化物半导体层(4a)的基底层之功能，系例如1nm~20nm左右的厚度的HfO2层。氮化物半导体层(4a)系设置于基板(2a)上的InN层，系1nm以上10nm以下之膜厚的多结晶或非晶质的膜。此范围之膜厚的InN层不论是多结晶或非晶质的膜，均呈现与单结晶同等的电气特性。因此，可提供一种能大幅解除制造条件的限制，而且，价格便宜且具备具有优良电气特性之InN层作为信道的半导体组件。

公开(公告)号：TW201405823A

公开(公告)日：2014-02-01

申请号：TW102122338

申请日：2013-06-24

申请人： 三胞半導體公司 ,  TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 紹尼爾 保羅 ,  SAUNIER, PAUL ,  畢姆三世 愛德華A ,  BEAM III, EDWARD A.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2006 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

摘要： 本發明之實施例描述積體電路(IC)元件之裝置、方法以及系統。該IC元件可包含配置在基板上之緩衝層，該緩衝層包含鎵(Ga)和氮(N)；配置在該緩衝層上之阻障層，該阻障層包含鋁(Al)和氮(N)；配置在該阻障層上並且與該阻障層磊晶地耦合的再成長結構，該再成長結構包含氮(N)以及鋁(Al)或鎵(Ga)中之至少一者並且在低於或等於600℃之溫度下磊晶地沉積；以及配置在該阻障層中之閘極端，其中該再成長結構被配置在該閘極端和該緩衝層之間。其他實施例可被描述或是主張。

简体摘要： 本发明之实施例描述集成电路(IC)组件之设备、方法以及系统。该IC组件可包含配置在基板上之缓冲层，该缓冲层包含镓(Ga)和氮(N)；配置在该缓冲层上之阻障层，该阻障层包含铝(Al)和氮(N)；配置在该阻障层上并且与该阻障层磊晶地耦合的再成长结构，该再成长结构包含氮(N)以及铝(Al)或镓(Ga)中之至少一者并且在低于或等于600℃之温度下磊晶地沉积；以及配置在该阻障层中之闸极端，其中该再成长结构被配置在该闸极端和该缓冲层之间。其他实施例可被描述或是主张。