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公开(公告)号：TWI701727B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW104132889
申请日：2015-10-06
发明人： 林加明 , LIN, JIA MING , 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 林俊澤 , LIN, CHUN CHE
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/528
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公开(公告)号：TWI674634B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW106135674
申请日：2017-10-18
发明人： 吳中文 , WU, CHUNG WEN , 邱建文 , CHIU, CHIEN WEN , 陳建全 , CHEN, CHIEN CHUNG , 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO
IPC分类号： H01L21/60
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公开(公告)号：TWI651851B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW106107396
申请日：2017-03-07
发明人： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 余人皓 , YU, REN HAU , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/78 , H01L21/283 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW201701335A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104132889
申请日：2015-10-06
发明人： 林加明 , LIN, JIA MING , 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 林俊澤 , LIN, CHUN CHE
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/528
CPC分类号： H01L21/28568 , H01L21/28088 , H01L21/76843 , H01L21/76879 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要： 一種半導體裝置包含一基板、至少一層、一金屬黏著物以及一金屬結構。層係沈積於基板上。層具有一開口，且開口具有一底表面以至少一側壁。金屬黏著物係設置於開口之底表面上，並且暴露出開口之側壁之至少一部分。金屬結構係設置於開口內並位於金屬黏著物上。
简体摘要： 一种半导体设备包含一基板、至少一层、一金属黏着物以及一金属结构。层系沉积于基板上。层具有一开口，且开口具有一底表面以至少一侧壁。金属黏着物系设置于开口之底表面上，并且暴露出开口之侧壁之至少一部分。金属结构系设置于开口内并位于金属黏着物上。
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公开(公告)号：TWI556429B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103145710
申请日：2014-12-26
发明人： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 王廷君 , WANG, TING CHUN , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
IPC分类号： H01L29/49 , H01L29/66 , H01L21/8232
CPC分类号： H01L29/6659 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/165 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66613 , H01L29/66636 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TWI556427B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104122766
申请日：2015-07-14
发明人： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 劉繼文 , LIU, CHI WEN , 吳志楠 , WU, CHIH NAN , 林俊澤 , LIN, CHUN CHE
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/82345 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L29/66795 , H01L29/785
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公开(公告)号：TWI532159B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW102145312
申请日：2013-12-10
发明人： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 吳志楠 , WU, CHIH NAN , 林俊澤 , LIN, CHUN CHE
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/14623 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
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公开(公告)号：TWI476910B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW101116460
申请日：2012-05-09
发明人： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L27/14623 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L31/022433
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公开(公告)号：TWI463664B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW101103226
申请日：2012-02-01
发明人： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 吳斯安 , WU, SZU AN , 王英郎 , WANG, YING LANG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545
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公开(公告)号：TW201351512A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102116333
申请日：2013-05-08
发明人： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 洪敏皓 , HONG, MIN HAO , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 鄭志成 , JENG, CHIH CHERNG
IPC分类号： H01L21/36 , H01L21/70 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/14612 , H01L27/14616 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L29/16 , H01L31/028 , H01L31/103 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一種影像感測裝置之製造方法，包括：施行一第一磊晶製程，成長具有一第一導電類型之一第一磊晶層；施行一第二磊晶製程，成長一第二磊晶層於該第一磊晶層上，其中該第二磊晶層具有相反於該第一導電特性之一第二導電類型，且其中該第一磊晶層與該第二磊晶層形成了一二極體；形成一閘介電物於該第一磊晶層上；形成一閘電極於該閘介電物上；以及佈植該第一磊晶層與該第二磊晶層之一頂部，形成鄰近該閘介電物之一源極/汲極區。
简体摘要： 一种影像传感设备之制造方法，包括：施行一第一磊晶制程，成长具有一第一导电类型之一第一磊晶层；施行一第二磊晶制程，成长一第二磊晶层于该第一磊晶层上，其中该第二磊晶层具有相反于该第一导电特性之一第二导电类型，且其中该第一磊晶层与该第二磊晶层形成了一二极管；形成一闸介电物于该第一磊晶层上；形成一闸电极于该闸介电物上；以及布植该第一磊晶层与该第二磊晶层之一顶部，形成邻近该闸介电物之一源极/汲极区。
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