公开(公告)号：TWI628794B

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW105132410

申请日：2014-09-19

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  寇利爾 羅沙 ,  KOTLYAR, ROZA

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TWI623042B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW103137638

申请日：2010-10-12

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  趙 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/15 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI600152B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW105117201

申请日：2014-09-18

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W. ,  賽亞 史蒂芬 ,  CEA, STEPHEN ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/8252

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TW201721871A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW105126112

申请日：2016-08-16

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  馬 子烜 ,  MA, SEAN T. ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  穆爾蒂 阿南德 ,  MURTHY, ANAND S. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/201 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775

摘要： 包括第一半導體材料之通道區域的單晶FET係被設置於基板上方。當遮罩(例如閘極堆疊或犧牲閘極堆疊)正覆蓋著該通道區域時，雜質摻雜的組成上漸變的半導體成長，例如於該通道區域之至少汲極端上，以引入載子阻隔傳導帶偏移及/或較寬的帶隙於該電晶體之該汲極區域內。於一些實施例中，該組成上漸變招致至少0.25eV之載子阻隔帶偏移。該較寬的帶隙及/或帶偏移貢獻至降低的閘極感應汲極漏電(GIDL)。該雜質摻雜的半導體可從逆行的組成在組成上漸變至提供良好歐姆接觸之合適的窄帶隙材料。於一些實施例中，該雜質摻雜的組成上漸變的半導體成長係被集成至閘極最後(gate-last)、源極/汲極再成長finFET製程中。

简体摘要： 包括第一半导体材料之信道区域的单晶FET系被设置于基板上方。当遮罩(例如闸极堆栈或牺牲闸极堆栈)正覆盖着该信道区域时，杂质掺杂的组成上渐变的半导体成长，例如于该信道区域之至少汲极端上，以引入载子阻隔传导带偏移及/或较宽的带隙于该晶体管之该汲极区域内。于一些实施例中，该组成上渐变招致至少0.25eV之载子阻隔带偏移。该较宽的带隙及/或带偏移贡献至降低的闸极感应汲极漏电(GIDL)。该杂质掺杂的半导体可从逆行的组成在组成上渐变至提供良好欧姆接触之合适的窄带隙材料。于一些实施例中，该杂质掺杂的组成上渐变的半导体成长系被集成至闸极最后(gate-last)、源极/汲极再成长finFET制程中。

公开(公告)号：TWI577015B

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW104103725

申请日：2015-02-04

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/335 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201711204A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105116289

申请日：2016-05-25

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  穆爾蒂 阿南德 ,  MURTHY, ANAND S. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66803

摘要： 單晶鰭式場效電晶體包括設置於一第二III-V族化合物半導體上之一第一III-V族化合物半導體材料中之大多數載子通道。當例如一犧牲閘極堆疊之一遮罩覆蓋該通道區域時，一兩性摻雜物之一來源係被沈積於暴露的鰭片側壁上方且擴散至該第一III-V族化合物半導體材料。該兩性摻雜物優先地啟動作為於該第一III-V族材料內之一施體及於該第二III-V族材料內之一受體，提供電晶體尖端摻雜一p-n接面於該第一與第二III-V族材料間。一側向間隔件係被沈積以覆蓋該鰭片之該尖端部份。於該鰭片未由該遮罩或間隔件所覆蓋之區域中的源極/汲極區域透過該尖端區域電性地耦接至該通道。該通道遮罩係以一閘極堆疊取代。

简体摘要： 单晶鳍式场效应管包括设置于一第二III-V族化合物半导体上之一第一III-V族化合物半导体材料中之大多数载子信道。当例如一牺牲闸极堆栈之一遮罩覆盖该信道区域时，一两性掺杂物之一来源系被沉积于暴露的鳍片侧壁上方且扩散至该第一III-V族化合物半导体材料。该两性掺杂物优先地启动作为于该第一III-V族材料内之一施体及于该第二III-V族材料内之一受体，提供晶体管尖端掺杂一p-n接面于该第一与第二III-V族材料间。一侧向间隔件系被沉积以覆盖该鳍片之该尖端部份。于该鳍片未由该遮罩或间隔件所覆盖之区域中的源极/汲极区域透过该尖端区域电性地耦接至该信道。该信道遮罩系以一闸极堆栈取代。

公开(公告)号：TW201711104A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105116136

申请日：2016-05-24

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  羅伊斯 瑞菲爾 ,  RIOS, RAFAEL ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  克蘭德寧 史考特 ,  CLENDENNING, SCOTT B. ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T.

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

摘要： 一種設備，其包含積體電路裝置，其包含至少一種低密度狀態金屬/半導體材料介面，其中該至少一種低密度狀態金屬係被量化的。一種設備，其包含積體電路裝置，其包含至少一種低密度狀態金屬和半導體材料的介面，其中在該介面的該金屬的接觸區域係漸變的。一種方法，其包含局限半導體材料的接觸區域；以及在該接觸區域中形成金屬接點。

简体摘要： 一种设备，其包含集成电路设备，其包含至少一种低密度状态金属/半导体材料界面，其中该至少一种低密度状态金属系被量化的。一种设备，其包含集成电路设备，其包含至少一种低密度状态金属和半导体材料的界面，其中在该界面的该金属的接触区域系渐变的。一种方法，其包含局限半导体材料的接触区域；以及在该接触区域中形成金属接点。

公开(公告)号：TW201709527A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105115539

申请日：2016-05-19

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  葛雷斯 葛蘭 ,  GLASS, GLENN

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

摘要： 單片式FET包含於安置於基板之上之第一高載子遷移率半導體材料中的大部分載子通道。在一遮罩(諸如閘極堆疊或犧牲閘極堆疊)覆蓋一橫向通道區域的同時，一高載子遷移率半導體材料之一間隔物會過度生長，例如，包覆一介電質橫向間隔物，以增加在該電晶體源極及汲極之間的有效間隔而不會伴隨電晶體佔據面積的增加。源極/汲極區域經由該高遷移率半導體間隔物(其可大致上未摻雜(亦即，本質))電耦合至該橫向通道區域。藉由增加針對一給定橫向閘極尺寸的有效通道長度，例如可降低針對一給定關閉狀態漏電之電晶體佔據面積或可降低針對一給定電晶體佔據面積之關閉狀態源極/汲極漏電。

简体摘要： 单片式FET包含于安置于基板之上之第一高载子迁移率半导体材料中的大部分载子信道。在一遮罩(诸如闸极堆栈或牺牲闸极堆栈)覆盖一横向信道区域的同时，一高载子迁移率半导体材料之一间隔物会过度生长，例如，包覆一介电质横向间隔物，以增加在该晶体管源极及汲极之间的有效间隔而不会伴随晶体管占据面积的增加。源极/汲极区域经由该高迁移率半导体间隔物(其可大致上未掺杂(亦即，本质))电耦合至该横向信道区域。借由增加针对一给定横向闸极尺寸的有效信道长度，例如可降低针对一给定关闭状态漏电之晶体管占据面积或可降低针对一给定晶体管占据面积之关闭状态源极/汲极漏电。

公开(公告)号：TW201705484A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105112306

申请日：2016-04-20

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  葛雷斯 葛蘭 ,  GLASS, GLENN ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L29/78609 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

摘要： 電晶體裝置可以被形成具有活動通道和基板之間的緩衝器，其中該活動通道與該緩衝器的一部分形成閘控區。該活動通道可以包含在子結構上的低帶隙材料，例如，介於該活動通道和該基板之間的該緩衝器。該子結構可以包含具有所希望的導電帶偏移的高帶隙材料，以使漏電可以被限制而不顯著影響在活動通道內的電子流動性。在實施例中，該活動通道和該子結構可在窄溝槽中被形成，以使由於該活動通道和該子結構之間的晶格失配的缺陷在該子結構中被終止。

简体摘要： 晶体管设备可以被形成具有活动信道和基板之间的缓冲器，其中该活动信道与该缓冲器的一部分形成闸控区。该活动信道可以包含在子结构上的低带隙材料，例如，介于该活动信道和该基板之间的该缓冲器。该子结构可以包含具有所希望的导电带偏移的高带隙材料，以使漏电可以被限制而不显着影响在活动信道内的电子流动性。在实施例中，该活动信道和该子结构可在窄沟槽中被形成，以使由于该活动信道和该子结构之间的晶格失配的缺陷在该子结构中被终止。

公开(公告)号：TWI564938B

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW103133279

申请日：2014-09-25

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  薛力格 南西 ,  ZELICK, NANCY M. ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0245 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785