公开(公告)号：US5817326A

公开(公告)日：1998-10-06

申请号：US566339

申请日：1995-12-01

申请人： Michael A. Nastasi ,  Timothy E. Levine ,  James W. Mayer ,  Vincent B. Pizziconi

发明人： Michael A. Nastasi ,  Timothy E. Levine ,  James W. Mayer ,  Vincent B. Pizziconi

IPC分类号： A61F2/00 ,  A61F2/30 ,  A61L27/32 ,  C23C14/48 ,  A61F2/28

CPC分类号： A61L27/32 ,  A61F2/30767 ,  C23C14/48 ,  A61F2/3094 ,  A61F2310/00023 ,  A61F2310/00796

摘要： Processing of hydroxylapatite sol-gel films on titanium alloy bone prostheses. A method utilizing non-line-of-sight ion beam implantation and/or rapid thermal processing to provide improved bonding of layers of hydroxylapatite to titanium alloy substrates while encouraging bone ingrowth into the hydroxylapatite layers located away from the substrate, is described for the fabrication of prostheses. The first layer of hydroxylapatite is mixed into the substrate by the ions or rapidly thermally annealed, while subsequent layers are heat treated or densified using ion implantation to form layers of decreasing density and larger crystallization, with the outermost layers being suitable for bone ingrowth.

摘要翻译： 在钛合金骨假体上加工羟基磷灰石溶胶 - 凝胶膜。 描述了一种使用非视距离离子束注入和/或快速热处理来提供羟基磷灰石层与钛合金基底的改进结合，同时鼓励骨向内生长到位于远离基底的羟基磷灰石层中的方法，用于制造 的假肢。 羟基磷灰石的第一层通过离子混合到衬底中或快速热退火，而随后的层通过离子注入进行热处理或致密化，以形成密度降低和结晶较大的层，最外层适用于骨向内生长。

公开(公告)号：US5989999A

公开(公告)日：1999-11-23

申请号：US939914

申请日：1997-09-26

申请人： Timothy E. Levine ,  Ling Chen ,  Mei Chang ,  Roderick C. Mosely ,  Karl A. Littau ,  Ivo Raaijmakers

发明人： Timothy E. Levine ,  Ling Chen ,  Mei Chang ,  Roderick C. Mosely ,  Karl A. Littau ,  Ivo Raaijmakers

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/458 ,  C23C16/48 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56 ,  H01L21/768 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76864 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/481 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862

摘要： The construction of a film on a wafer, which is placed in a processing chamber, may be carried out through the following steps. A layer (film) of tantalum nitride material is deposited on the wafer. Next, the layer of tantalum nitride material is annealed. The deposition and annealing may both be accomplished in the same chamber, without need for removing the wafer from the chamber until both steps are completed.

摘要翻译： 放置在处理室中的晶片上的膜的构造可以通过以下步骤进行。 在晶片上沉积氮化钽材料层（膜）。 接下来，对氮化钽层进行退火。 沉积和退火都可以在相同的室中完成，而不需要从腔室中移除晶片，直到完成两个步骤。