公开(公告)号：US09309149B2

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：US14144828

申请日：2013-12-31

Applicant: Intermolecular Inc.

Inventor： Guowen Ding ,  Brent Boyce ,  Jeremy Cheng ,  Jose Ferreira ,  Muhammad Imran ,  Minh Huu Le ,  Daniel Schweigert ,  Yu Wang ,  Yongli Xu ,  Guizhen Zhang

IPC: C03C17/36 ,  C03C17/34 ,  C03C25/22 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/00

CPC classification number: C03C17/366 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3681 ,  C03C25/226 ,  C03C2218/155 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086

Abstract: Disclosed herein are systems, methods, and apparatus for forming a low emissivity panel. In various embodiments, a partially fabricated panel may be provided. The partially fabricated panel may include a substrate, a reflective layer formed over the substrate, and a top dielectric layer formed over the reflective layer such that the reflective layer is formed between the substrate and the top dielectric layer. The top dielectric layer may include tin having an oxidation state of +4. An interface layer may be formed over the top dielectric layer. A top diffusion layer may be formed over the interface layer. The top diffusion layer may be formed in a nitrogen plasma environment. The interface layer may substantially prevent nitrogen from the nitrogen plasma environment from reaching the top dielectric layer and changing the oxidation state of tin included in the top dielectric layer.

Abstract translation: 本文公开了用于形成低发射率面板的系统，方法和装置。 在各种实施例中，可以提供部分制造的面板。 部分制造的面板可以包括衬底，在衬底上形成的反射层，以及形成在反射层上的顶部电介质层，使得反射层形成在衬底和顶部电介质层之间。 顶部电介质层可以包括具有+4的氧化态的锡。 界面层可以形成在顶部介电层上。 可以在界面层上形成顶部扩散层。 顶部扩散层可以在氮等离子体环境中形成。 界面层可以基本上防止来自氮等离子体环境的氮到达顶部电介质层并改变顶部电介质层中包含的锡的氧化态。

公开(公告)号：US20140308528A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：US14144828

申请日：2013-12-31

Applicant: Intermolecular Inc.

Inventor： Guowen Ding ,  Brent Boyce ,  Jeremy Cheng ,  Jose Ferreira ,  Muhammad Imran ,  Minh Huu Le ,  Daniel Schweigert ,  Yu Wang ,  Yongli Xu ,  Guizhen Zhang

IPC: C23C14/10 ,  C03C17/34 ,  C23C14/34

CPC classification number: C03C17/366 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3681 ,  C03C25/226 ,  C03C2218/155 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086

Abstract: Disclosed herein are systems, methods, and apparatus for forming a low emissivity panel. In various embodiments, a partially fabricated panel may be provided. The partially fabricated panel may include a substrate, a reflective layer formed over the substrate, and a top dielectric layer formed over the reflective layer such that the reflective layer is formed between the substrate and the top dielectric layer. The top dielectric layer may include tin having an oxidation state of +4. An interface layer may be formed over the top dielectric layer. A top diffusion layer may be formed over the interface layer. The top diffusion layer may be formed in a nitrogen plasma environment. The interface layer may substantially prevent nitrogen from the nitrogen plasma environment from reaching the top dielectric layer and changing the oxidation state of tin included in the top dielectric layer.

Abstract translation: 本文公开了用于形成低发射率面板的系统，方法和装置。 在各种实施例中，可以提供部分制造的面板。 部分制造的面板可以包括衬底，在衬底上形成的反射层，以及形成在反射层上的顶部电介质层，使得反射层形成在衬底和顶部电介质层之间。 顶部电介质层可以包括具有+4的氧化态的锡。 界面层可以形成在顶部介电层上。 可以在界面层上形成顶部扩散层。 顶部扩散层可以在氮等离子体环境中形成。 界面层可以基本上防止来自氮等离子体环境的氮到达顶部电介质层并改变顶部电介质层中包含的锡的氧化态。