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    Semiconductor phase-change memory device
    2.
    发明授权
    Semiconductor phase-change memory device 有权
    半导体相变存储器件

    公开(公告)号：US08143610B2

    公开(公告)日：2012-03-27

    申请号：US12653428

    申请日：2009-12-14

    申请人： Jae-Hyun Park ,  Jae-Hee Oh ,  Sung-Ho Eun

    发明人： Jae-Hyun Park ,  Jae-Hee Oh ,  Sung-Ho Eun

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/00 ,  H01L29/06 ,  G11C13/00 ,  G11C11/34

    CPC分类号： H01L45/124 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1691

    摘要： A semiconductor phase-change memory device comprises a data line disposed on a semiconductor substrate and a data storage structure disposed under the data line and having a concave portion extending in a direction along the data line. A data contact structure is configured to contact the data storage structure, and having a lower portion filling the concave portion of the data storage structure and an upper portion surrounding at least a lower portion of the data line. Each of sidewalls of the data storage structure is disposed at substantially the same plane as a corresponding one of sidewalls of the upper portion of the data contact structure.

    摘要翻译： 半导体相变存储器件包括设置在半导体衬底上的数据线和设置在数据线下方并具有沿着数据线的方向延伸的凹部的数据存储结构。 数据接触结构被配置为接触数据存储结构，并且具有填充数据存储结构的凹部的下部和围绕数据线的至少下部的上部。 数据存储结构的每个侧壁设置在与数据接触结构的上部的相应侧壁相同的平面上。

    Semiconductor phase-change memory device
    3.
    发明申请
    Semiconductor phase-change memory device 有权
    半导体相变存储器件

    公开(公告)号：US20100171090A1

    公开(公告)日：2010-07-08

    申请号：US12653428

    申请日：2009-12-14

    申请人： Jae-Hyun Park ,  Jae-Hee Oh ,  Sung-Ho Eun

    发明人： Jae-Hyun Park ,  Jae-Hee Oh ,  Sung-Ho Eun

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/124 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1691

    摘要： A semiconductor phase-change memory device comprises a data line disposed on a semiconductor substrate and a data storage structure disposed under the data line and having a concave portion extending in a direction along the data line. A data contact structure is configured to contact the data storage structure, and having a lower portion filling the concave portion of the data storage structure and an upper portion surrounding at least a lower portion of the data line. Each of sidewalls of the data storage structure is disposed at substantially the same plane as a corresponding one of sidewalls of the upper portion of the data contact structure.

    摘要翻译： 半导体相变存储器件包括设置在半导体衬底上的数据线和设置在数据线下方并具有沿着数据线的方向延伸的凹部的数据存储结构。 数据接触结构被配置为接触数据存储结构，并且具有填充数据存储结构的凹部的下部和围绕数据线的至少下部的上部。 数据存储结构的每个侧壁设置在与数据接触结构的上部的相应侧壁相同的平面上。

    Variable resistance memory devices having reduced reset current
    4.
    发明授权
    Variable resistance memory devices having reduced reset current 有权
    可变电阻存储器件具有降低的复位电流

    公开(公告)号：US08748884B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US13081168

    申请日：2011-04-06

    申请人： Ji-Hyun Jeong ,  JaeHee Oh ,  Heung Jin Joo ,  Sung-Ho Eun

    发明人： Ji-Hyun Jeong ,  JaeHee Oh ,  Heung Jin Joo ,  Sung-Ho Eun

    IPC分类号： H01L29/12

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144

    摘要： A nonvolatile memory device includes a substrate and a first insulating layer on the substrate. The first insulating layer includes a first opening therein. A lower electrode is provided in the first opening and protrudes from a surface of the first insulating layer outside the first opening. An electrode passivation pattern is provided on a sidewall of the lower electrode that protrudes from the surface of the first insulating layer. A second insulating layer is provided on the first insulating layer and includes a second opening therein at least partially exposing the lower electrode. A variable resistance material layer extends into the second opening to contact the lower electrode. The electrode passivation layer electrically separates the sidewall of the lower electrode from the variable resistance material layer. The electrode passivation pattern is formed of a material having an etching selectivity to that of the second insulating layer. Related fabrication methods are also discussed.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括衬底和衬底上的第一绝缘层。 第一绝缘层包括其中的第一开口。 下电极设置在第一开口中并从第一开口外侧的第一绝缘层的表面突出。 电极钝化图案设置在从第一绝缘层的表面突出的下电极的侧壁上。 第二绝缘层设置在第一绝缘层上，并且包括其中至少部分地暴露下电极的第二开口。 可变电阻材料层延伸到第二开口中以接触下电极。 电极钝化层将下电极的侧壁与可变电阻材料层电隔离。 电极钝化图案由具有对第二绝缘层的蚀刻选择性的蚀刻选择性的材料形成。 还讨论了相关的制造方法。

    VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
    6.
    发明申请
    VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME 有权
    可变电阻记忆体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20110248235A1

    公开(公告)日：2011-10-13

    申请号：US13081168

    申请日：2011-04-06

    申请人： Ji-Hyun Jeong ,  JaeHee Oh ,  Heung Jin Joo ,  Sung-Ho Eun

    发明人： Ji-Hyun Jeong ,  JaeHee Oh ,  Heung Jin Joo ,  Sung-Ho Eun

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144

    摘要： A nonvolatile memory device includes a substrate and a first insulating layer on the substrate. The first insulating layer includes a first opening therein. A lower electrode is provided in the first opening and protrudes from a surface of the first insulating layer outside the first opening. An electrode passivation pattern is provided on a sidewall of the lower electrode that protrudes from the surface of the first insulating layer. A second insulating layer is provided on the first insulating layer and includes a second opening therein at least partially exposing the lower electrode. A variable resistance material layer extends into the second opening to contact the lower electrode. The electrode passivation layer electrically separates the sidewall of the lower electrode from the variable resistance material layer. The electrode passivation pattern is formed of a material having an etching selectivity to that of the second insulating layer. Related fabrication methods are also discussed.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括衬底和衬底上的第一绝缘层。 第一绝缘层包括其中的第一开口。 下电极设置在第一开口中并从第一开口外侧的第一绝缘层的表面突出。 电极钝化图案设置在从第一绝缘层的表面突出的下电极的侧壁上。 第二绝缘层设置在第一绝缘层上，并且包括其中至少部分地暴露下电极的第二开口。 可变电阻材料层延伸到第二开口中以接触下电极。 电极钝化层将下电极的侧壁与可变电阻材料层电隔离。 电极钝化图案由具有对第二绝缘层的蚀刻选择性的蚀刻选择性的材料形成。 还讨论了相关的制造方法。