公开(公告)号：US20120161176A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13073522

申请日：2011-03-28

申请人： Min Chan HEO ,  Sang Ki JIN ,  Jong Kyu KIM ,  Jin Cheol SHIN ,  So Ra LEE ,  Sum Geun LEE

发明人： Min Chan HEO ,  Sang Ki JIN ,  Jong Kyu KIM ,  Jin Cheol SHIN ,  So Ra LEE ,  Sum Geun LEE

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Exemplary embodiments of the present invention provide light emitting diode (LED) chips and a method of fabricating the same. An LED chip according to an exemplary embodiment includes a substrate; a light emitting structure arranged on the substrate, and an alternating lamination bottom structure arranged under the substrate. The alternating lamination bottom structure includes a plurality of dielectric pairs, each of the dielectric pairs including a first material layer having a first refractive index and a second material layer having a second refractive index, the first refractive index being greater than the second refractive index.

摘要翻译： 本发明的示例性实施例提供了发光二极管（LED）芯片及其制造方法。 根据示例性实施例的LED芯片包括基板; 布置在基板上的发光结构，以及布置在基板下方的交替叠层底部结构。 所述交替叠层底部结构包括多个电介质对，所述电介质对中的每一个包括具有第一折射率的第一材料层和具有第二折射率的第二材料层，所述第一折射率大于所述第二折射率。