公开(公告)号：US20120295419A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13470768

申请日：2012-05-14

申请人： SUKTI CHATTERJEE ,  ANNAMALAI LAKSHMANAN ,  JOE GRIFFITH CRUZ ,  PRAVIN K. NARWANKAR

发明人： SUKTI CHATTERJEE ,  ANNAMALAI LAKSHMANAN ,  JOE GRIFFITH CRUZ ,  PRAVIN K. NARWANKAR

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0237 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： Methods for depositing a material atop a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of depositing a material atop a substrate may include exposing a substrate to a silicon containing gas and a reducing gas; increasing a flow rate of the silicon containing gas while decreasing a flow rate of the reducing gas to form a first layer; and depositing a second layer atop the first layer.

摘要翻译： 本文提供了在基板上沉积材料的方法。 在一些实施例中，在衬底上沉积材料的方法可以包括将衬底暴露于含硅气体和还原气体; 增加含硅气体的流量，同时降低还原气体的流速以形成第一层; 以及在所述第一层顶上沉积第二层。

公开(公告)号：US20070281083A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11756358

申请日：2007-05-31

申请人： ANNAMALAI LAKSHMANAN ,  Ganesh Balasubramanian ,  Francimar Schmitt ,  Bok Hoen Kim

发明人： ANNAMALAI LAKSHMANAN ,  Ganesh Balasubramanian ,  Francimar Schmitt ,  Bok Hoen Kim

IPC分类号： C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/401 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862

摘要： The present invention generally provides an apparatus and method for eliminating the “first wafer effect” for plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). One embodiment of the present invention provides a method for preparing a chamber after the chamber being idle for a period of time. The method comprises a cleaning step followed by a season step and a heating step adapted to the length of the idle time.

摘要翻译： 本发明通常提供一种用于消除等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的“第一晶圆效应”的装置和方法。 本发明的一个实施例提供一种在腔室闲置一段时间之后制备腔室的方法。 该方法包括清洁步骤，随后是季节步骤和适应空闲时间长度的加热步骤。