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    Phase change memory cell including multiple phase change material portions
    5.
    发明授权
    Phase change memory cell including multiple phase change material portions 有权
    相变存储单元包括多个相变材料部分

    公开(公告)号：US07973384B2

    公开(公告)日：2011-07-05

    申请号：US11265377

    申请日：2005-11-02

    申请人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    发明人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1608 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144

    摘要： A memory cell includes a first electrode, a second electrode, and a first portion of phase-change material contacting the first electrode. The memory cell includes a second portion of phase-change material contacting the second electrode and a third portion of phase-change material between the first portion and the second portion. A phase-change material composition of the third portion and the second portion gradually transitions from the third portion to the second portion.

    摘要翻译： 存储单元包括第一电极，第二电极和与第一电极接触的相变材料的第一部分。 存储单元包括在第一部分和第二部分之间接触第二电极的相变材料的第二部分和相变材料的第三部分。 第三部分和第二部分的相变材料组合物从第三部分逐渐过渡到第二部分。

    Integrated circuit for programming a memory cell
    6.
    发明授权
    Integrated circuit for programming a memory cell 有权
    用于编程存储单元的集成电路

    公开(公告)号：US07876606B2

    公开(公告)日：2011-01-25

    申请号：US12166755

    申请日：2008-07-02

    申请人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

    发明人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2029/0411

    摘要： An integrated circuit includes an array of resistance changing memory cells. The array includes a first portion. The integrated circuit includes a circuit configured to apply a set pulse having a first pulse width to a first memory cell in the first portion to set the first memory cell. The first pulse width is based on a predetermined error percentage for the first portion.

    摘要翻译： 集成电路包括电阻变化存储单元阵列。 阵列包括第一部分。 集成电路包括被配置为将第一脉冲宽度的设置脉冲施加到第一部分中的第一存储器单元以设置第一存储单元的电路。 第一脉冲宽度基于第一部分的预定误差百分比。

    METHOD OF OPERATING AN INTEGRATED CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT AND MEMORY MODULE
    9.
    发明申请
    METHOD OF OPERATING AN INTEGRATED CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT AND MEMORY MODULE 有权
    集成电路，集成电路和存储器模块的运行方法

    公开(公告)号：US20100293350A1

    公开(公告)日：2010-11-18

    申请号：US12687951

    申请日：2010-01-15

    申请人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    发明人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    IPC分类号： G06F12/16 ,  G06F12/00 ,  G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/0069

    摘要： According to one embodiment of the present invention, a method of operating an integrated circuit including a plurality of resistance changing memory cells grouped into physical memory units is provided. The method includes: Monitoring writing access numbers assigned to the physical memory units, each writing access number reflecting the number of writing accesses to the physical memory unit to which the writing access number is assigned; if the value of a writing access number assigned to a first physical memory unit exceeds a writing access threshold value, a data exchange process is carried out during which the data content stored within the first physical memory unit is exchanged with the data content of a second physical memory unit having a writing access number of a lower value.

    摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，提供了一种操作集成电路的方法，该集成电路包括分组成物理存储器单元的多个电阻变化存储器单元。 该方法包括：监视分配给物理存储器单元的写入访问号码，每个写入访问号码反映写入访问次数到写入访问号码的物理存储单元; 如果分配给第一物理存储器单元的写访问号码的值超过写访问阈值，则执行数据交换处理，在该数据交换处理期间，存储在第一物理存储单元内的数据内容与第二物理存储单元的数据内容交换 物理存储单元具有较低值的写入访问号。