公开(公告)号：US20160268230A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：US14656704

申请日：2015-03-12

Applicant: United Microelectronics Corp.

Inventor： Sin-Shien Lin ,  Fei Wang ,  Chien-En Hsu

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80194 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: A stacked semiconductor structure includes a first wafer, a second wafer, a first insulting layer, and a second insulating layer. The first wafer includes a first front surface, a first back surface, and a first interconnection structure. The first interconnection structure includes at least a first top metal layer exposed on the first front surface of the first wafer. The second wafer includes a second front surface, a second back surface, and a second interconnection structure. The second interconnection structure includes at least a second top metal layer exposed on the second front surface of the second wafer. The first insulating layer is formed on the first front surface of the first wafer, and the second insulating layer is formed on the second front surface of the second wafer. The first insulating layer and the second insulating layer contact each other.

Abstract translation: 叠层半导体结构包括第一晶片，第二晶片，第一绝缘层和第二绝缘层。 第一晶片包括第一前表面，第一后表面和第一互连结构。 第一互连结构包括暴露在第一晶片的第一前表面上的至少第一顶金属层。 第二晶片包括第二前表面，第二后表面和第二互连结构。 第二互连结构包括暴露在第二晶片的第二前表面上的至少第二顶金属层。 第一绝缘层形成在第一晶片的第一前表面上，第二绝缘层形成在第二晶片的第二前表面上。 第一绝缘层和第二绝缘层彼此接触。