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    Fused heterocyclic compounds
    93.
    发明申请
    Fused heterocyclic compounds 审中-公开
    稠合杂环化合物

    公开(公告)号：US20080058365A1

    公开(公告)日：2008-03-06

    申请号：US11881805

    申请日：2007-07-26

    申请人： Xi Chen ,  Xiaoqi Chen ,  Pingchen Fan ,  Juan Jaen ,  Leping Li ,  Jeffrey Mihalic

    发明人： Xi Chen ,  Xiaoqi Chen ,  Pingchen Fan ,  Juan Jaen ,  Leping Li ,  Jeffrey Mihalic

    IPC分类号： A61K31/4353 ,  A61P3/04

    CPC分类号： C07D471/04

    摘要： Compounds, compositions and methods are provided that are useful in the treatment and/or prevention of a condition or disorder mediated by a G-protein coupled receptor. In particular, the compounds of the invention are useful in the treatment and/or prevention of eating disorders, obesity, anxiety disorders and mood disorders.

    摘要翻译： 提供了可用于治疗和/或预防由G蛋白偶联受体介导的病症或病症的化合物，组合物和方法。 特别地，本发明的化合物可用于治疗和/或预防进食障碍，肥胖，焦虑障碍和情绪障碍。

    LXR modulators
    96.
    发明授权
    LXR modulators 失效
    LXR调制剂

    公开(公告)号：US06906069B1

    公开(公告)日：2005-06-14

    申请号：US09479315

    申请日：2000-01-06

    申请人： Leping Li ,  Julio C. Medina ,  Bei Shan

    发明人： Leping Li ,  Julio C. Medina ,  Bei Shan

    IPC分类号： A01N43/58 ,  A61K31/167 ,  A61K31/34 ,  A61K31/443

    CPC分类号： A61K31/167 ,  A61K31/34 ,  A61K31/443 ,  Y02A50/411

    摘要： The invention provides compounds, compositions and methods for modulating the effects of LXRα in a cell. The compounds and compositions are useful both as diagnostic indicators of LXRα function and as pharmacologically active agents. The compounds and compositions find particular use in the treatment of disease states associated with cholesterol metabolism, particularly atherosclerosis and hypercholesterolemia.

    摘要翻译： 本发明提供用于调节细胞中LXRα的作用的化合物，组合物和方法。 化合物和组合物既可用作LXRα功能的诊断指标，也可用作药理活性剂。 化合物和组合物特别用于治疗与胆固醇代谢相关的疾病状态，特别是动脉粥样硬化和高胆固醇血症。

    Endpoint detection by chemical reaction
    98.
    发明授权
    Endpoint detection by chemical reaction 有权
    通过化学反应进行端点检测

    公开(公告)号：US06419785B1

    公开(公告)日：2002-07-16

    申请号：US09678633

    申请日：2000-10-03

    申请人： Leping Li ,  James Albert Gilhooly ,  Clifford Owen Morgan, III ,  Cong Wei ,  Chienfan Yu

    发明人： Leping Li ,  James Albert Gilhooly ,  Clifford Owen Morgan, III ,  Cong Wei ,  Chienfan Yu

    IPC分类号： C23F102

    CPC分类号： B24B37/30 ,  B24B37/013 ,  H01L21/31053

    摘要： Detection of the endpoint for removal of a target film overlying a stopping film by removing the target film with a process that selectively generates a chemical reaction product (for example, ammonia when polishing a wafer with a nitride film in a slurry containing KOH) with either the target or stopping film, and monitoring the level of chemical reaction product as the target film is removed. The reaction product is extracted as a gas from the slurry and monitored using a threshold photoionization mass spectrometer.

    摘要翻译： 通过用选择性地产生化学反应产物的方法（例如，用含有KOH的浆料中的氮化物膜研磨晶片的氨），通过用任一种方法选择性地生成化学反应产物的方法（例如，氨） 目标或停止膜，并且在去除靶膜时监测化学反应产物的水平。 反应产物从浆液中提取为气体，并使用阈值光电离质谱仪进行监测。

    Endpoint detection in chemical-mechanical polishing of cloisonne structures
    99.
    发明授权
    Endpoint detection in chemical-mechanical polishing of cloisonne structures 失效
    化妆机械抛光景泰蓝结构的端点检测

    公开(公告)号：US06291351B1

    公开(公告)日：2001-09-18

    申请号：US09605729

    申请日：2000-06-28

    申请人： Leping Li ,  Steven George Barbee ,  Eric James Lee ,  Francisco A. Martin ,  Cong Wei

    发明人： Leping Li ,  Steven George Barbee ,  Eric James Lee ,  Francisco A. Martin ,  Cong Wei

    IPC分类号： H01L21302

    CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  B24B49/12 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3163

    摘要： A method is described for fabricating a cloisonné structure, in which a top surface of a metal oxide layer is made coplanar with a top surface of a metallic structure formed on a substrate. A nitride layer is deposited on at least the top surface of the metallic structure, and the metal oxide layer is deposited over the metallic structure and the nitride layer. The metal oxide layer is then polished by a chemical-mechanical polishing (CMP) process using a slurry, to expose the nitride layer on the top surface of the metallic structure. Polishing of the nitride layer causes ammonia to be generated in the slurry. The ammonia is extracted as a gas from the slurry, and a signal is generated in accordance with the ammonia concentration. The CMP process is terminated in accordance with a change in the signal. In a preferred embodiment, the metal oxide is aluminum oxide, the nitride is aluminum nitride, and the nitride layer is deposited as a conformal layer on the substrate and the metallic structure.

    摘要翻译： 描述了一种用于制造景泰蓝结构的方法，其中金属氧化物层的顶表面与形成在基底上的金属结构的顶表面共面。 氮化物层沉积在金属结构的至少顶表面上，金属氧化物层沉积在金属结构和氮化物层上。 然后通过使用浆料的化学机械抛光（CMP）工艺来抛光金属氧化物层，以暴露金属结构的顶表面上的氮化物层。 氮化物层的抛光在浆料中产生氨。 从浆液中提取氨作为气体，根据氨浓度产生信号。 CMP过程根据信号的变化而终止。 在优选的实施方案中，金属氧化物是氧化铝，氮化物是氮化铝，氮化物层作为保形层沉积在衬底和金属结构上。

    Real-time control of chemical-mechanical polishing processes using a shaft distortion measurement
    100.
    发明授权
    Real-time control of chemical-mechanical polishing processes using a shaft distortion measurement 失效
    使用轴失真测量实时控制化学机械抛光工艺

    公开(公告)号：US06213846B1

    公开(公告)日：2001-04-10

    申请号：US09351436

    申请日：1999-07-12

    申请人： Leping Li ,  Xinhui Wang

    发明人： Leping Li ,  Xinhui Wang

    IPC分类号： B24B4900

    CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/16

    摘要： A method is provided for detecting the endpoint of a film removal process such as chemical-mechanical polishing (CMP). The process uses a device having a shaft, and friction in the film removal causes torque on the shaft. Two axially displaced reflecting portions are provided on the shaft. Light reflected from these portions generates first and second reflected signals, respectively. A phase difference between the reflected signals is detected, and an output signal is generated in accordance therewith. A change in the output signal indicates a change in deformation of the shaft resulting from change in the torque, thereby indicating the endpoint of the film removal process.

    摘要翻译： 提供了用于检测诸如化学机械抛光（CMP）的膜去除过程的终点的方法。 该方法使用具有轴的装置，并且膜去除中的摩擦导致轴上的扭矩。 两个轴向位移的反射部分设置在轴上。 从这些部分反射的光分别产生第一和第二反射信号。 检测反射信号之间的相位差，并根据其产生输出信号。 输出信号的变化表示由转矩变化引起的轴的变形的变化，由此表示膜去除过程的终点。