公开(公告)号：US20080007986A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11564751

申请日：2006-11-29

申请人： Chang-Wook Jeong ,  Jun-Hyok Kong ,  Hyung-Rok Oh

发明人： Chang-Wook Jeong ,  Jun-Hyok Kong ,  Hyung-Rok Oh

IPC分类号： G11C17/00

CPC分类号： G11C17/16 ,  G11C13/0004 ,  G11C17/165

摘要： A method of programming a one-time programmable device is provided. A switching device disposed in a substrate is turned on and a program current is applied to a fuse electrically connected to the switching device, thereby cutting the fuse. The fuse includes a first electrode electrically connected to the switching device, a second electrode spaced apart from the first electrode, and a chalcogenide pattern disposed between the first and second electrodes. Related one-time programmable devices, phase change memory devices and electronic systems are also disclosed.

摘要翻译： 提供了一种编程一次性可编程器件的方法。 设置在基板中的开关装置导通，并且将编程电流施加到与开关装置电连接的保险丝，从而切断保险丝。 保险丝包括电连接到开关装置的第一电极，与第一电极间隔开的第二电极和设置在第一和第二电极之间的硫族化物图案。 还公开了相关的一次性可编程器件，相变存储器件和电子系统。

公开(公告)号：US20130187119A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13630505

申请日：2012-09-28

申请人： Jung-in Kim ,  Jae-hee Oh ,  Jun-hyok Kong ,  Sung-ho Eun ,  Yong-tae Oh

发明人： Jung-in Kim ,  Jae-hee Oh ,  Jun-hyok Kong ,  Sung-ho Eun ,  Yong-tae Oh

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C5/06 ,  G11C8/10 ,  G11C11/16 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/101 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor memory devices having strapping contacts are provided, the devices include cell regions and strapping regions between adjacent cell regions in a first direction. Active patterns, extending in the first direction throughout the cell regions and strapping regions, are spaced apart from one another in a second direction intersecting the first direction. First interconnection lines, extending in the first direction throughout the cell regions and strapping regions, are spaced apart from one another in the second direction while overlapping with the active patterns. Second interconnection lines, extending in the second direction, intersect the active patterns and first interconnection lines in the cell regions. The second interconnection lines are spaced apart from one another in the first direction. Memory cells are positioned at intersection portions of the first and second interconnection lines in the cell regions. The active patterns contact the first interconnection lines through strapping contacts in the strapping regions.

摘要翻译： 提供了具有捆扎触点的半导体存储器件，器件包括在第一方向上的相邻单元区域之间的单元区域和绑带区域。 在整个单元区域和捆扎区域中沿着第一方向延伸的活动图案在与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开。 在整个单元区域和捆扎区域沿第一方向延伸的第一互连线在第二方向上彼此间隔开，同时与有源图案重叠。 沿第二方向延伸的第二互连线与单元区域中的有源图案和第一互连线相交。 第二互连线在第一方向上彼此间隔开。 存储单元位于单元区域中的第一和第二互连线的交叉部分处。 有源图案通过捆扎区域中的捆扎触头接触第一互连线。

公开(公告)号：US20080280390A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US12045612

申请日：2008-03-10

申请人： Jung-In KIM ,  Jae-Hee OH ,  Jun-Hyok KONG ,  Jae-Hyun PARK ,  Kwang-Woo LEE

发明人： Jung-In KIM ,  Jae-Hee OH ,  Jun-Hyok KONG ,  Jae-Hyun PARK ,  Kwang-Woo LEE

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

摘要： A method of fabricating a semiconductor memory device having a self-aligned electrode is provided. An interlayer insulating layer having a contact hole is formed on a substrate. A phase change pattern partially filling the contact hole is formed. A bit line which includes a bit extension self-aligned to the phase change pattern and crosses over the interlayer insulating layer is formed. The bit extension may extend in the contact hole on the phase change pattern. The bit extension contacts the phase change pattern.

摘要翻译： 提供了一种制造具有自对准电极的半导体存储器件的方法。 在基板上形成具有接触孔的层间绝缘层。 形成部分填充接触孔的相变图案。 形成了包括与相变图案自对准并与层间绝缘层交叉的位扩展的位线。 钻头延伸部可以在相变图案上的接触孔中延伸。 位扩展接触相变模式。