公开(公告)号：US07435354B2

公开(公告)日：2008-10-14

申请号：US11031824

申请日：2005-01-06

申请人： Kao-Su Huang

发明人： Kao-Su Huang

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/405 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139

摘要： A treatment method for a surface of a photoresist layer is provided. After forming a patterned photoresist layer over a wafer, a surface treatment step is performed to the photoresist layer by using at least one reaction gas comprising hydrogen bromide or hydrogen iodide to form a hardened layer over the surface of the photoresist layer. Wherein, the surface treatment step and the etching step are in-situ performed.

摘要翻译： 提供了光致抗蚀剂层表面的处理方法。 在晶片上形成图案化的光致抗蚀剂层之后，通过使用包含溴化氢或碘化氢的至少一种反应气体在光致抗蚀剂层的表面上形成硬化层，对光致抗蚀剂层进行表面处理步骤。 其中，表面处理步骤和蚀刻步骤被原位执行。

公开(公告)号：US07226798B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US10794528

申请日：2004-03-05

申请人： Wei-Shiau Chen ,  Kao-Su Huang

发明人： Wei-Shiau Chen ,  Kao-Su Huang

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/56

CPC分类号： G02F1/13394 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/13454

摘要： A fabrication method for a multi-layered thin film protective layer, which is applicable on a substrate having a peripheral circuit area and a pixel cell area, is described. Metal layers and pixel cells are formed on the peripheral circuit area and the pixel cell area, respectively. A first oxide layer, a silicon nitride layer and a second oxide layer are sequentially formed on the pixel cells and the metal layers. The second oxide layer is then patterned to define a pre-determined position of a pad spacer in the pixel cell area and the peripheral circuit area. The silicon nitride layer and the first oxide layer are further defined to form a first protective layer in the peripheral circuit area and to from a pad spacer in the pixel cell area exposing the pixel cells. A second protective layer is then formed on the exposed pixel cells.

摘要翻译： 描述了可应用于具有外围电路区域和像素单元面积的基板的多层薄膜保护层的制造方法。 金属层和像素单元分别形成在外围电路区域和像素单元区域上。 第一氧化物层，氮化硅层和第二氧化物层依次形成在像素单元和金属层上。 然后将第二氧化物层图案化以限定像素单元区域和外围电路区域中的衬垫间隔物的预定位置。 进一步限定氮化硅层和第一氧化物层，以在外围电路区域中形成第一保护层，并且从暴露像素单元的像素单元区域中的衬垫间隔件形成第一保护层。 然后在曝光的像素单元上形成第二保护层。

公开(公告)号：US20070123049A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11164278

申请日：2005-11-17

申请人： Kao-Su Huang ,  Ying-Ming Tseng ,  Chia-Hsun Yu ,  Chih-Hung Lin

发明人： Kao-Su Huang ,  Ying-Ming Tseng ,  Chia-Hsun Yu ,  Chih-Hung Lin

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/461 ,  C03C15/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/28035 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32137

摘要： A semiconductor process is provided. A substrate is provided and then a to-be-etched layer is formed on the substrate. A patterned photoresist layer is formed on the to-be-etched layer. The to-be-etching layer is etched using a gaseous etchant to form a patterned layer. In the meantime, some of the gaseous etchant is condensed on the patterned photoresist layer and above the substrate after the etching process. Thereafter, a heat treatment process is performed to remove the condensed gaseous etchant. An ion implanting process is performed to form a doped region in the substrate. After the ion implanting process, the patterned photoresist layer is removed.

摘要翻译： 提供半导体工艺。 提供衬底，然后在衬底上形成被蚀刻层。 在被蚀刻层上形成图案化的光致抗蚀剂层。 使用气体蚀刻剂蚀刻待蚀刻层以形成图案化层。 同时，在刻蚀工艺之后，一些气体蚀刻剂在图案化的光致抗蚀剂层上和基板之上被冷凝。 此后，进行热处理工艺以除去冷凝的气态蚀刻剂。 执行离子注入工艺以在衬底中形成掺杂区域。 在离子注入工艺之后，去除图案化的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US08377829B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US11871166

申请日：2007-10-12

申请人： Ta-Chuan Yeh ,  Ni-Min Chung ,  Kao-Su Huang ,  Yung-Chang Lin ,  Ruey-Chyr Lee ,  Chien-Kuo Wang

发明人： Ta-Chuan Yeh ,  Ni-Min Chung ,  Kao-Su Huang ,  Yung-Chang Lin ,  Ruey-Chyr Lee ,  Chien-Kuo Wang

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L21/76205

摘要： A substrate is provided having an oxide layer, a first nitride-silicon, a STI, and a second nitride-silicon. A pattern poly-silicon layer on the second nitride-silicon layer is etched to form a deep trench opening. Etching the pattern poly-silicon layer also deepens the deep trench opening. Then, a conductive layer is filled in the deep trench opening.

摘要翻译： 提供了具有氧化物层，第一氮化硅 - 硅，STI和第二氮化硅 - 硅的衬底。 蚀刻第二氮化硅 - 硅层上的图案多晶硅层以形成深沟槽开口。 蚀刻图案多晶硅层也加深了深沟槽开口。 然后，在深沟槽开口中填充导电层。

公开(公告)号：US20060110891A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10997507

申请日：2004-11-24

申请人： Kao-Su Huang

发明人： Kao-Su Huang

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76232

摘要： A method for rounding the bottom corners of a trench is described. In the method, an etching process is performed using a fluorocarbon compound with at least two carbon atoms, He and O2 as an etching gas to round the bottom corners of the trench.

摘要翻译： 描述了用于使沟槽的底角倒圆的方法。 在该方法中，使用具有至少两个碳原子的碳氟化合物He和O 2 2作为蚀刻气体进行蚀刻处理，以使沟槽的底角圆弧。