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    Ethynylene acene polymers and electronic devices generated therefrom
    12.
    发明授权
    Ethynylene acene polymers and electronic devices generated therefrom 有权
    乙炔聚合物和由其生成的电子器件

    公开(公告)号：US07586120B2

    公开(公告)日：2009-09-08

    申请号：US11399169

    申请日：2006-04-06

    申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

    发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

    IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

    CPC分类号： H01L51/0041 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： An electronic device comprising a polymer of Formula (I) wherein at least one of R1 and R2 is a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteroatom containing group, or a halogen; Ar and Ar′ represent an aromatic moiety; x, y, a, b, c, d, e, f, and g represent the number of groups or rings, respectively; and n represents the number of repeating units.

    摘要翻译： 一种包含式（I）的聚合物的电子器件，其中R 1和R 2中的至少一个是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素; Ar和Ar'表示芳族部分; x，y，a，b，c，d，e，f和g分别表示基团或环的数目; n表示重复单元的数量。

    Fabricating zinc oxide semiconductor using hydrolysis
    13.
    发明授权
    Fabricating zinc oxide semiconductor using hydrolysis 有权
    使用水解制备氧化锌半导体

    公开(公告)号：US07491575B2

    公开(公告)日：2009-02-17

    申请号：US11497826

    申请日：2006-08-02

    申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

    发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16

    CPC分类号： H01L29/7869

    摘要： A process for fabricating at least one semiconductor layer of an electronic device including: performing on a composition including a hydrolyzable zinc compound a number of activities including: (a) hydrolyzing at least a portion of the hydrolyzable zinc compound to form zinc oxide; (b) liquid depositing; and (c) optionally heating, wherein the activities (a), (b), and (c) are each accomplished a number of times in any effective arrangement, resulting in the at least one semiconductor layer comprising the zinc oxide.

    摘要翻译： 一种用于制造电子器件的至少一个半导体层的方法，包括：对包含可水解锌化合物的组合物进行多种活性，包括：（a）水解可水解的锌化合物的至少一部分以形成氧化锌; （b）液体沉积; 和（c）可选地加热，其中活性（a），（b）和（c）各自以任何有效布置实现多次，导致至少一个包含氧化锌的半导体层。

    Poly[bis(ethynyl)heteroacene]s and electronic devices generated therefrom
    15.
    发明授权
    Poly[bis(ethynyl)heteroacene]s and electronic devices generated therefrom 有权
    聚[双（乙炔基）异亚丙基]和由其生成的电子器件

    公开(公告)号：US07449715B2

    公开(公告)日：2008-11-11

    申请号：US11399231

    申请日：2006-04-06

    申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

    发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

    IPC分类号： H01L29/08

    CPC分类号： H01L51/0074 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0545

    摘要： An electronic device comprising a polymer of Formula or structure (I) wherein R1 is hydrogen, halogen, a suitable hydrocarbon, or a heteroatom containing group; R2 is hydrogen, a suitable hydrocarbon, a heteroatom containing group, or a halogen; R3 and R4 are independently a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteroatom containing group, or a halogen; Ar is an aromatic component; x, y, a, b, and c represent the number of groups or rings, respectively; Z represents sulfur, oxygen, selenium, or NR wherein R is hydrogen, alkyl, or aryl; and n represents the number of repeating units.

    摘要翻译： 一种包含式或其结构（I）的聚合物的电子器件，其中R 1是氢，卤素，合适的烃或含杂原子的基团; R 2是氢，适合的烃，含杂原子的基团或卤素; R 3和R 4独立地是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素; Ar是芳香族成分; x，y，a，b和c分别表示基团或环的数目; Z表示硫，氧，硒或NR，其中R是氢，烷基或芳基; n表示重复单元的数量。

    Fabricating amorphous zinc oxide semiconductor layer
    17.
    发明申请
    Fabricating amorphous zinc oxide semiconductor layer 有权
    制造无定形氧化锌半导体层

    公开(公告)号：US20080032444A1

    公开(公告)日：2008-02-07

    申请号：US11498031

    申请日：2006-08-02

    申请人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng S. Ong

    发明人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng S. Ong

    IPC分类号： H01L21/16

    CPC分类号： H01L29/7869

    摘要： A process for fabricating a semiconductor layer of an electronic device including: liquid depositing one or more zinc oxide precursor compositions and forming at least one semiconductor layer of the electronic device comprising predominately amorphous zinc oxide from the liquid deposited one or more zinc oxide precursor compositions.

    摘要翻译： 一种用于制造电子器件的半导体层的方法，包括：液体沉积一种或多种氧化锌前体组合物并形成电子器件的至少一个半导体层，所述半导体层包含主要为无定形氧化锌的沉积的一种或多种氧化锌前体组合物。

    Methods to minimize contact resistance
    19.
    发明授权
    Methods to minimize contact resistance 有权
    最小化接触电阻的方法

    公开(公告)号：US07306969B2

    公开(公告)日：2007-12-11

    申请号：US11187552

    申请日：2005-07-22

    申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yuning Li

    发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yuning Li

    IPC分类号： H01L51/40

    CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105 ,  H01L2251/5369

    摘要： A method is disclosed for making a metal electrode which minimizes the contact resistance between it and an organic semiconductor. Acid-stabilized metal nanoparticles are deposited upon a substrate and annealed. This creates a metal electrode and releases acid. Upon deposition of semiconductor and subsequent annealing, the acid diffuses from the electrode into the semiconductor layer and acts as a dopant, minimizing the contact resistance. The use of oleic acid-stabilized silver nanoparticles is demonstrated.

    摘要翻译： 公开了一种用于制造使其与有机半导体之间的接触电阻最小化的金属电极的方法。 将酸稳定的金属纳米颗粒沉积在基底上并退火。 这产生一个金属电极并释放酸。 在沉积半导体和随后的退火时，酸从电极扩散到半导体层中并充当掺杂剂，使接触电阻最小化。 证明了使用油酸稳定的银纳米颗粒。

    Polythiophenes and devices thereof
    20.
    发明授权
    Polythiophenes and devices thereof 有权
    聚噻吩及其装置

    公开(公告)号：US07256418B2

    公开(公告)日：2007-08-14

    申请号：US10231841

    申请日：2002-08-29

    申请人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Yu Qi

    发明人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Yu Qi

    IPC分类号： H01L35/24

    CPC分类号： H01B1/127 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： An electronic device containing a polythiophene derived from a monomer segment or monomer segments containing two 2,5-thienylene segments, (I) and (II), and an optional divalent linkage D wherein A is a side chain; B is hydrogen or a side chain; and D is a divalent linkage, and wherein the number of A-substituted thienylene units (I) in the monomer segments is from about 1 to about 10, the number of B-substituted thienylene units (II) is from 0 to about 5, and the number of divalent linkages D is 0 or 1.

    摘要翻译： 含有衍生自单体链段的聚噻吩的电子装置或含有两个2,5-亚噻吩基链段（I）和（II）的单体链段和任选的二价键D，其中A是侧链; B是氢或侧链; 和D是二价键，其中单体链段中的A取代的亚噻吩基单元（I）的数目为约1至约10，B-取代的亚噻吩基单元（II）的数目为0至约5， 并且二价键D的数目为0或1。