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    Copper nucleation in interconnects having ruthenium layers
    11.
    发明申请
    Copper nucleation in interconnects having ruthenium layers 审中-公开
    具有钌层的互连中的铜成核

    公开(公告)号：US20080296768A1

    公开(公告)日：2008-12-04

    申请号：US11639636

    申请日：2006-12-14

    申请人： Ramanan V. Chebiam ,  Valery M. Dubin

    发明人： Ramanan V. Chebiam ,  Valery M. Dubin

    IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76873 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L2221/1089

    摘要： A method for fabrication a metal interconnect that includes a ruthenium layer and minimizes void formation comprises forming a barrier layer on a substrate having a trench, depositing a ruthenium layer on the barrier layer, depositing an alloy-seed layer on the ruthenium layer, using an electroless plating process to deposit a copper seed layer on the alloy-seed layer, and using an electroplating process to deposit a bulk metal layer on the copper seed layer. The alloy-seed layer inhibits void formation issues at the ruthenium-copper interface and improves electromigration issues. The electroless copper seed layer inhibits the alloy-seed layer from dissolving into the electroplating bath and reduces electrical resistance across the substrate during the electroplating process.

    摘要翻译： 一种用于制造包括钌层并且使空隙形成最小化的金属互连的方法包括在具有沟槽的衬底上形成阻挡层，在阻挡层上沉积钌层，在钌层上沉积合金种子层，使用 化学镀处理以在合金种子层上沉积铜籽晶层，并使用电镀工艺在铜籽晶层上沉积体金属层。 合金种子层抑制钌 - 铜界面处的空隙形成问题，并改善电迁移问题。 化学镀铜种子层抑制合金种子层溶解到电镀浴中，并且在电镀过程期间降低跨衬底的电阻。