公开(公告)号：US5802096A

公开(公告)日：1998-09-01

申请号：US621946

申请日：1996-03-25

申请人： Tetsuro Okuda

发明人： Tetsuro Okuda

IPC分类号： H01S5/12 ,  H01S3/08 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01S5/12 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/1225

摘要： The present invention provides a grating structure partially provided in a semiconductor laser device having a first facet of a first reflectivity and a second facet of a second reflectivity which is larger than the first reflectivity. The grating structure extends within a half area near the first facet in the semiconductor laser device. The grating structure has a grating length in a cavity direction of not more than one third of a cavity length defined as a distance between the first and second facets. The grating structure has an integrated coupling coefficient value in the range of 0.4-0.6, the integrated coupling coefficient value is obtained by integrating coupling coefficient of the grating structure with positions in the cavity direction.

摘要翻译： 本发明提供一种部分地设置在半导体激光装置中的光栅结构，其具有第一反射率的第一面和比第一反射率大的第二反射率的第二面。 光栅结构在半导体激光器件中的第一刻面附近的半个区域内延伸。 光栅结构具有在空腔方向上的不超过腔长度的三分之一的光栅长度，其被定义为第一和第二面之间的距离。 光栅结构具有在0.4-0.6范围内的积分耦合系数值，通过将光栅结构的耦合系数与空腔方向上的位置相结合获得积分耦合系数值。

公开(公告)号：US08450130B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13527188

申请日：2012-06-19

申请人： Kentaro Tada ,  Kenji Endo ,  Kazuo Fukagai ,  Tetsuro Okuda ,  Masahide Kobayashi

发明人： Kentaro Tada ,  Kenji Endo ,  Kazuo Fukagai ,  Tetsuro Okuda ,  Masahide Kobayashi

IPC分类号： H01L21/223 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

摘要： Provided is a semiconductor laser, wherein (λa−λw)>15 (nm) and Lt

摘要翻译： 提供了一种半导体激光器，其中（λa-lambdaw）> 15（nm）和Lt <25（mum），其中，lambdaw是与设置在距离2内的位置处的有源层的带隙相对应的光的波长 从谐振器方向的一个端面起，λa是对应于设置在等于或大于（3/10）L和@（7）的距离的位置处的有源层的带隙的光的波长 / 10）L，谐振器长度为“L”，“Lt”为有源层的位置与光波长对应的带隙之间的过渡区域的长度 的羔羊+ 2（nm），并且在谐振器方向上具有对应于λa-2（nm）的光波长的带隙的有源层的位置。

公开(公告)号：US06259718B1

公开(公告)日：2001-07-10

申请号：US09199789

申请日：1998-11-25

申请人： Tetsuro Okuda

发明人： Tetsuro Okuda

IPC分类号： H01S308

CPC分类号： H01S5/12 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1206 ,  H01S5/1215

摘要： A distributed feedback laser device comprises an optical waveguide having one end facet serving as a beam emission surface and the other end facet serving as a reflection surface, an active layer formed between the beam emission surface and the reflection surface, and a diffraction grating formed so as to extend along the active layer in the optical waveguide. The active layer has a first region located nearer to the beam emission surface than to the reflection surface and a second region located nearer to the reflection surface than to the beam emission surface. The first region is narrower in width than the second region. The diffraction grating has first and second portions located along the first and the second regions, respectively. The first portion is longer in pitch than the second portion.

摘要翻译： 分布式反馈激光装置包括一个光波导，其具有一个端面用作光束发射表面，另一个端面用作反射表面，形成在光束发射表面和反射表面之间的有源层，以及形成为衍射光栅的衍射光栅 以沿着光波导中的有源层延伸。 有源层具有比反射表面更靠近光束发射表面的第一区域和位于比反射表面更靠近反射表面的第二区域。 第一区域的宽度比第二区域窄。 衍射光栅具有分别沿着第一和第二区域设置的第一和第二部分。 第一部分的间距比第二部分长。

公开(公告)号：US06229836B1

公开(公告)日：2001-05-08

申请号：US09328504

申请日：1999-06-09

申请人： Tetsuro Okuda

发明人： Tetsuro Okuda

IPC分类号： H01S319

CPC分类号： H01S5/227 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2277

摘要： A dopant such as Si is introduced to recombination layers 2. The Si concentration is about 1×1017 to 5×1018 cm−3. Thus, a carrier lifetime in the recombination layers 2 may be reduced to relatively increase a leakage current flowing the recombination layers 2 while relatively reducing a leakage current flowing channels 3.

摘要翻译： 将诸如Si的掺杂剂引入复合层2.Si浓度为约1×10 17至5×10 18 cm -3。 因此，可以减少复合层2中的载流子寿命，以相对地增加流过复合层2的漏电流，同时相对减少流过通道3的漏电流。

公开(公告)号：US5450432A

公开(公告)日：1995-09-12

申请号：US303940

申请日：1994-09-09

申请人： Tetsuro Okuda

发明人： Tetsuro Okuda

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/06 ,  H01S5/0625 ,  H01S3/10

CPC分类号： H01S5/0625 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06258

摘要： A semiconductor distributed feedback laser emitting device has upper electrodes arranged in a longitudinal direction of an oscillator for supplying current to the oscillator, and a separating electrode is provided between the upper electrodes for making the distribution of an electric field strength in the longitudinal direction uniform by changing the current density in the separating electrode with respect to the current density in the upper electrodes, thereby improving a second intermodulation distortion.

摘要翻译： 半导体分布式反馈激光发射装置具有沿振荡器的纵向布置的上电极，用于向振荡器提供电流，并且在上电极之间设置分离电极，用于使纵向电场强度分布均匀通过 相对于上电极中的电流密度改变分离电极中的电流密度，从而改善第二互调失真。