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    Phase change memory device including resistant material
    15.
    发明授权
    Phase change memory device including resistant material 失效
    相变记忆装置，包括耐磨材料

    公开(公告)号：US07759667B2

    公开(公告)日：2010-07-20

    申请号：US11762801

    申请日：2007-06-14

    申请人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-il Lee ,  Hye-Young Park ,  Ji-Eun Lim

    发明人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-il Lee ,  Hye-Young Park ,  Ji-Eun Lim

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： H01L45/148 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

    摘要： A phase change memory device includes a lower electrode provided on a substrate, an interlayer insulating layer including a contact hole exposing the lower electrode, and covering the substrate, a resistant material pattern filling the contact hole, a phase change pattern interposed between the resistant material pattern and the interlayer insulating layer, and extending between the resistant material pattern and the lower electrode, wherein the resistant material pattern has a higher resistance than the phase change pattern, and an upper electrode in contact with the phase change pattern, the upper electrode being electrically connected to the lower electrode through the phase change pattern.

    摘要翻译： 相变存储器件包括设置在基板上的下电极，包括暴露下电极的接触孔并覆盖基板的层间绝缘层，填充接触孔的电阻材料图案，插入在电阻材料之间的相变图案 图案和层间绝缘层，并且在电阻材料图案和下电极之间延伸，其中电阻材料图案具有比相变图案更高的电阻，以及与相变图案接触的上电极，上电极为 通过相变图案电连接到下电极。

    Phase-change material layers, methods of forming the same, phase-change memory devices having the same, and methods of forming phase-change memory devices
    19.
    发明授权
    Phase-change material layers, methods of forming the same, phase-change memory devices having the same, and methods of forming phase-change memory devices 失效
    相变材料层，其形成方法，具有该相变材料层的相变存储器件，以及形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US07807497B2

    公开(公告)日：2010-10-05

    申请号：US11826048

    申请日：2007-07-12

    申请人： Jin-II Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Young-Lim Park ,  Hye-Young Park

    发明人： Jin-II Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Young-Lim Park ,  Hye-Young Park

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： Example embodiments may provide phase-change material layers and a method of forming a phase-change material layer and devices using the same by generating a plasma including helium and/or argon in a reaction chamber, forming a first material layer on the object by introducing a first source gas including a first material, forming a first composite material layer on the object by introducing a second source gas including a second material into the reaction chamber, forming a third material layer on the first composite material layer by introducing a third source gas including a third material, and forming a second composite material layer on the first composite material layer by introducing a fourth source gas including a fourth material. Example embodiment phase-change material layers including carbon may be more easily and/or quickly formed at lower temperatures under the helium/argon plasma environment by providing the source gases for various feeding times. Example embodiments may also include memory devices using phase-change memory layers.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供相变材料层以及通过在反应室中产生包括氦和/或氩的等离子体来形成相变材料层的方法和使用该相变材料层的装置，通过引入在物体上形成第一材料层 包括第一材料的第一源气体，通过将包括第二材料的第二源气体引入反应室，在物体上形成第一复合材料层，通过引入第三源气体在第一复合材料层上形成第三材料层 包括第三材料，并且通过引入包括第四材料的第四源气体，在所述第一复合材料层上形成第二复合材料层。 示例性实施例包括碳的相变材料层可以在较低温度下在氦/氩等离子体环境下更容易地和/或快速地形成，方法是提供用于各种进料时间的源气体。 示例性实施例还可以包括使用相变存储器层的存储器件。

    Phase-change material layers, methods of forming the same, phase-change memory devices having the same, and methods of forming phase-change memory devices
    20.
    发明申请
    Phase-change material layers, methods of forming the same, phase-change memory devices having the same, and methods of forming phase-change memory devices 失效
    相变材料层，其形成方法，具有该相变材料层的相变存储器件，以及形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20080017841A1

    公开(公告)日：2008-01-24

    申请号：US11826048

    申请日：2007-07-12

    申请人： Jin-II Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Young-Lim Park ,  Hye-Young Park

    发明人： Jin-II Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Young-Lim Park ,  Hye-Young Park

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L47/00

    CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： Example embodiments may provide phase-change material layers and a method of forming a phase-change material layer and devices using the same by generating a plasma including helium and/or argon in a reaction chamber, forming a first material layer on the object by introducing a first source gas including a first material, forming a first composite material layer on the object by introducing a second source gas including a second material into the reaction chamber, forming a third material layer on the first composite material layer by introducing a third source gas including a third material, and forming a second composite material layer on the first composite material layer by introducing a fourth source gas including a fourth material. Example embodiment phase-change material layers including carbon may be more easily and/or quickly formed at lower temperatures under the helium/argon plasma environment by providing the source gases for various feeding times. Example embodiments may also include memory devices using phase-change memory layers.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供相变材料层以及通过在反应室中产生包括氦和/或氩的等离子体来形成相变材料层的方法和使用该相变材料层的装置，通过引入在物体上形成第一材料层 包括第一材料的第一源气体，通过将包括第二材料的第二源气体引入反应室，在物体上形成第一复合材料层，通过引入第三源气体在第一复合材料层上形成第三材料层 包括第三材料，并且通过引入包括第四材料的第四源气体，在所述第一复合材料层上形成第二复合材料层。 示例性实施例包括碳的相变材料层可以在较低温度下在氦/氩等离子体环境下更容易地和/或快速地形成，方法是提供用于各种进料时间的源气体。 示例性实施例还可以包括使用相变存储器层的存储器件。