公开(公告)号：US20080054244A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11697230

申请日：2007-04-05

申请人： Jin-Il Lee ,  Ji-Eun Lim ,  Hye-Young Park ,  Sung-Lae Cho ,  Eun-Ae Chung ,  Ki-Vin Im ,  Byoung-Jae Bae ,  Young-Lim Park

发明人： Jin-Il Lee ,  Ji-Eun Lim ,  Hye-Young Park ,  Sung-Lae Cho ,  Eun-Ae Chung ,  Ki-Vin Im ,  Byoung-Jae Bae ,  Young-Lim Park

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/1616 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： In one embodiment, a phase change memory device includes an insulation structure over a substrate. The insulation structure ahs an opening defined therethrough. A first layer pattern is formed on sidewalls and a bottom of the opening. A second layer pattern is formed on the first layer pattern and substantially fills the opening.

摘要翻译： 在一个实施例中，相变存储器件包括在衬底上的绝缘结构。 绝缘结构是通过其限定的开口。 第一层图案形成在开口的侧壁和底部上。 在第一层图案上形成第二层图案并且基本上填充开口。

公开(公告)号：US07727884B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11779885

申请日：2007-07-19

申请人： Byoung-Jae Bae ,  Sung-Lae Cho ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park ,  Ji-Eun Lim ,  Young-Lim Park

发明人： Byoung-Jae Bae ,  Sung-Lae Cho ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park ,  Ji-Eun Lim ,  Young-Lim Park

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： A method includes forming a phase change material layer on a substrate using a deposition process that employs a process gas. The process gas includes a germanium source gas, and the germanium source gas includes at least one of the atomic groups “—N═C═O”, “—N═C═S”, “—N═C═Se”, “—N═C═Te”, “—N═C═Po” and “—C≡N”.

摘要翻译： 一种方法包括使用采用处理气体的沉积工艺在衬底上形成相变材料层。 工艺气体包括锗源气体，锗源气体包括至少一个原子团“-N = C = O”，“-N = C = S”，“-N =C≡Se”，“ -N =C≡Te“，”-N =C≡Po“和”-C≡N“。

公开(公告)号：US20110180774A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US13082557

申请日：2011-04-08

申请人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park

发明人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/144 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45536 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are a phase change memory device and a method for forming the phase change memory device. The method includes forming a phase change material layer by providing reactive radicals to a substrate. The reactive radicals may comprise precursors for a phase change material and nitrogen.

摘要翻译： 提供了一种相变存储器件和用于形成相变存储器件的方法。 该方法包括通过向基底提供反应性基团来形成相变材料层。 反应性基团可以包括相变材料和氮的前体。

公开(公告)号：US20080308785A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12136176

申请日：2008-06-10

申请人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park

发明人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/144 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45536 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are a phase change memory device and a method for forming the phase change memory device. The method includes forming a phase change material layer by providing reactive radicals to a substrate. The reactive radicals may comprise precursors for a phase change material and nitrogen.

摘要翻译： 提供了一种相变存储器件和用于形成相变存储器件的方法。 该方法包括通过向基底提供反应性基团来形成相变材料层。 反应性基团可以包括相变材料和氮的前体。

公开(公告)号：US07943502B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US12136176

申请日：2008-06-10

申请人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park

发明人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/06

CPC分类号： H01L45/144 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45536 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are a phase change memory device and a method for forming the phase change memory device. The method includes forming a phase change material layer by providing reactive radicals to a substrate. The reactive radicals may comprise precursors for a phase change material and nitrogen.

摘要翻译： 提供了一种相变存储器件和用于形成相变存储器件的方法。 该方法包括通过向基底提供反应性基团来形成相变材料层。 反应性基团可以包括用于相变材料和氮的前体。

公开(公告)号：US08263963B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US13082557

申请日：2011-04-08

申请人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park

发明人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L45/144 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45536 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are a phase change memory device and a method for forming the phase change memory device. The method includes forming a phase change material layer by providing reactive radicals to a substrate. The reactive radicals may comprise precursors for a phase change material and nitrogen.

摘要翻译： 提供了一种相变存储器件和形成相变存储器件的方法。 该方法包括通过向基底提供反应性基团来形成相变材料层。 反应性基团可以包括相变材料和氮的前体。

公开(公告)号：US20080272355A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US12110206

申请日：2008-04-25

申请人： Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park ,  Young-Lim Park ,  Rak-Hwan Kim

发明人： Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park ,  Young-Lim Park ,  Rak-Hwan Kim

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

摘要： A memory device using a phase change material and a method for forming the same are disclosed. One embodiment of a memory device includes a first insulating layer provided on a substrate and defining an opening; a first conductor including a first portion and a second portion, the first portion provided on a bottom of the opening, the second portion being continuously provided along a sidewall of the opening; a variable resistor connected to the second portion of the first conductor and provided along the sidewall of the opening; and a second conductor provided on the variable resistor.

摘要翻译： 公开了使用相变材料的记忆装置及其形成方法。 存储器件的一个实施例包括设置在衬底上并限定开口的第一绝缘层; 包括第一部分和第二部分的第一导体，所述第一部分设置在所述开口的底部上，所述第二部分沿着所述开口的侧壁连续设置; 连接到第一导体的第二部分并沿着开口的侧壁设置的可变电阻器; 以及设置在可变电阻器上的第二导体。

公开(公告)号：US20120319069A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13584011

申请日：2012-08-13

申请人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park

发明人： Young-Lim Park ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/144 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45536 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are a phase change memory device and a method for forming the phase change memory device. The method includes forming a phase change material layer by providing reactive radicals to a substrate. The reactive radicals may comprise precursors for a phase change material and nitrogen.

摘要翻译： 提供了一种相变存储器件和形成相变存储器件的方法。 该方法包括通过向基底提供反应性基团来形成相变材料层。 反应性基团可以包括相变材料和氮的前体。

公开(公告)号：US20130101491A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13708914

申请日：2012-12-07

申请人： Byoung-Jae Bae ,  Sung-Lae Cho ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim

发明人： Byoung-Jae Bae ,  Sung-Lae Cho ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim

IPC分类号： C01B19/04

CPC分类号： C01B19/04 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691

摘要： In one aspect, a method of forming a phase change material layer is provided. The method includes supplying a reaction gas including the composition of Formula 1 into a reaction chamber, supplying a first source which includes Ge(II) into the reaction chamber, and supplying a second source into the reaction chamber. Formula 1 is NR1R2R3, where R1, R2 and R3 are each independently at least one selected from the group consisting of H, CH3, C2H5, C3H7, C4H9, Si(CH3)3, NH2, NH(CH3), N(CH3)2, NH(C2H5) and N(C2H5)2.

公开(公告)号：US08034683B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US11785807

申请日：2007-04-20

申请人： Sung-Lae Cho ,  Choong-Man Lee ,  Jin-Il Lee ,  Sang-Wook Lim ,  Hye-Young Park ,  Young-Lim Park

发明人： Sung-Lae Cho ,  Choong-Man Lee ,  Jin-Il Lee ,  Sang-Wook Lim ,  Hye-Young Park ,  Young-Lim Park

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L45/1233 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45523 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming a phase change material layer includes preparing a substrate having an insulator and a conductor, loading the substrate into a process housing, injecting a deposition gas into the process housing to selectively form a phase change material layer on an exposed surface of the conductor, and unloading the substrate from the process housing, wherein a lifetime of the deposition gas in the process housing is shorter than a time the deposition gas takes to react by thermal energy.

摘要翻译： 形成相变材料层的方法包括制备具有绝缘体和导体的衬底，将衬底装载到工艺外壳中，将沉积气体注入工艺外壳中，以选择性地在所述工艺外壳的暴露表面上形成相变材料层 导体，以及从工艺外壳卸载衬底，其中工艺外壳中的沉积气体的寿命短于沉积气体通过热能反应的时间。