公开(公告)号：US20090230465A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12404909

申请日：2009-03-16

申请人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

发明人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A field effect transistor includes a body region of a first conductivity type over a semiconductor region of a second conductivity type. A gate trench extends through the body region and terminates within the semiconductor region. At least one conductive shield electrode is disposed in the gate trench. A gate electrode is disposed in the gate trench over but insulated from the at least one conductive shield electrode. A shield dielectric layer insulates the at lease one conductive shield electrode from the semiconductor region. A gate dielectric layer insulates the gate electrode from the body region. The shield dielectric layer is formed such that it flares out and extends directly under the body region.

摘要翻译： 场效应晶体管包括在第二导电类型的半导体区域上的第一导电类型的体区。 栅极沟槽延伸穿过身体区域并终止在半导体区域内。 至少一个导电屏蔽电极设置在栅极沟槽中。 栅极电极设置在栅极沟槽中，但与至少一个导电屏蔽电极绝缘。 屏蔽介电层绝缘至少一个导电屏蔽电极与半导体区域。 栅极电介质层使栅电极与体区绝缘。 屏蔽电介质层形成为使其伸出并直接延伸到身体区域下方。

公开(公告)号：US07504303B2

公开(公告)日：2009-03-17

申请号：US11441386

申请日：2006-05-24

申请人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

发明人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A method for forming a shielded gate field effect transistor includes the following steps. Trenches extending into a silicon region are formed using a mask that includes a protective layer. A shield dielectric layer lining sidewalls and bottom of each trench is formed. A shield electrode is formed in a bottom portion of each trench. Protective spacers are formed along upper sidewalls of each trench. An inter-electrode dielectric is formed over the shield electrode. The protective spacers and the protective layer of the mask prevent formation of inter-electrode dielectric along the upper sidewalls of each trench and over mesa surfaces adjacent each trench. A gate electrode is formed in each trench over the inter-electrode dielectric.

摘要翻译： 一种用于形成屏蔽栅极场效应晶体管的方法包括以下步骤。 使用包括保护层的掩模形成延伸到硅区域中的沟槽。 形成在每个沟槽的侧壁和底部内衬的屏蔽电介质层。 屏蔽电极形成在每个沟槽的底部。 保护间隔物沿每个沟槽的上侧壁形成。 在屏蔽电极上形成电极间电介质。 保护间隔物和掩模的保护层防止沿着每个沟槽的上侧壁和与每个沟槽相邻的台面表面形成电极间电介质。 在电极间电介质的每个沟槽中形成栅电极。

公开(公告)号：US07416948B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US11551992

申请日：2006-10-23

申请人： Nathan L. Kraft ,  Ashok Challa ,  Steven P. Sapp ,  Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Dean E. Probst ,  Rodney S. Ridley ,  Thomas E. Grebs ,  Christopher B. Kocon ,  Joseph A. Yedinak ,  Gary M. Dolny

发明人： Nathan L. Kraft ,  Ashok Challa ,  Steven P. Sapp ,  Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Dean E. Probst ,  Rodney S. Ridley ,  Thomas E. Grebs ,  Christopher B. Kocon ,  Joseph A. Yedinak ,  Gary M. Dolny

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： A field effect transistor is formed as follows. Trenches are formed in a semiconductor region of a first conductivity type. Each trench is partially filled with one or more materials. A dual-pass angled implant is carried out to implant dopants of a second conductivity type into the semiconductor region through an upper surface of the semiconductor region and through upper trench sidewalls not covered by the one or more material. A high temperature process is carried out to drive the implanted dopants deeper into the mesa region thereby forming body regions of the second conductivity type between adjacent trenches. Source regions of the first conductivity type are then formed in each body region.

摘要翻译： 场效应晶体管如下形成。 沟槽形成在第一导电类型的半导体区域中。 每个沟槽部分地填充有一种或多种材料。 执行双通角度注入以通过半导体区域的上表面和不被一种或多种材料覆盖的上沟槽侧壁将第二导电类型的掺杂剂注入半导体区域。 进行高温处理以将注入的掺杂剂更深地驱动到台面区域中，从而在相邻的沟槽之间形成第二导电类型的体区。 然后在每个身体区域中形成第一导电类型的源区域。

公开(公告)号：US08441069B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13279085

申请日：2011-10-21

申请人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

发明人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A field effect transistor includes a gate trench extending into a semiconductor region. The gate trench has a recessed gate electrode disposed therein. A source region in the semiconductor region flanks each side of the gate trench. A conductive material fills an upper portion of the gate trench so as to make electrical contact with the source regions along upper sidewalls of the gate trench. The conductive material is insulated from the recessed gate electrode.

摘要翻译： 场效应晶体管包括延伸到半导体区域中的栅极沟槽。 栅极沟槽具有设置在其中的凹陷栅电极。 半导体区域中的源极区域位于栅极沟槽的每一侧。 导电材料填充栅极沟槽的上部，以便沿着栅极沟槽的上侧壁与源极区域电接触。 导电材料与凹陷栅电极绝缘。

公开(公告)号：US20120104490A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13279085

申请日：2011-10-21

申请人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

发明人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A field effect transistor includes a body region of a first conductivity type over a semiconductor region of a second conductivity type. A gate trench extends through the body region and terminates within the semiconductor region. At least one conductive shield electrode is disposed in the gate trench. A gate electrode is disposed in the gate trench over but insulated from the at least one conductive shield electrode. A shield dielectric layer insulates the at lease one conductive shield electrode from the semiconductor region. A gate dielectric layer insulates the gate electrode from the body region. The shield dielectric layer is formed such that it flares out and extends directly under the body region.

摘要翻译： 场效应晶体管包括在第二导电类型的半导体区域上的第一导电类型的体区。 栅极沟槽延伸穿过身体区域并终止在半导体区域内。 至少一个导电屏蔽电极设置在栅极沟槽中。 栅极电极设置在栅极沟槽中，但与至少一个导电屏蔽电极绝缘。 屏蔽介电层绝缘至少一个导电屏蔽电极与半导体区域。 栅极电介质层使栅电极与体区绝缘。 屏蔽电介质层形成为使其伸出并直接延伸到身体区域下方。

公开(公告)号：US20110177662A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US13075091

申请日：2011-03-29

申请人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

发明人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A method of forming a field effect transistor includes: forming a trench in a semiconductor region; forming a shield electrode in the trench; performing an angled sidewall implant of impurities of the first conductivity type to form a channel enhancement region adjacent the trench; forming a body region of a second conductivity type in the semiconductor region; and forming a source region of the first conductivity type in the body region, the source region and an interface between the body region and the semiconductor region defining a channel region therebetween, the channel region extending along the trench sidewall. The channel enhancement region partially extends into a lower portion of the channel region to thereby reduce a resistance of the channel region.

摘要翻译： 形成场效应晶体管的方法包括：在半导体区域中形成沟槽; 在沟槽中形成屏蔽电极; 执行第一导电类型的杂质的成角度的侧壁注入，以形成与沟槽相邻的沟道增强区域; 在半导体区域中形成第二导电类型的体区; 并且在所述体区域中形成所述第一导电类型的源极区域，所述源极区域和所述体区域与所述半导体区域之间的界面在所述体区域中形成沟道区域，所述沟道区域沿着所述沟槽侧壁延伸。 沟道增强区域部分地延伸到沟道区的下部，从而减小沟道区的电阻。

公开(公告)号：US20100258862A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12698746

申请日：2010-02-02

申请人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

发明人： Hamza Yilmaz ,  Daniel Calafut ,  Christopher Boguslaw Kocon ,  Steven P. Sapp ,  Dean E. Probst ,  Nathan L. Kraft ,  Thomas E. Grebs ,  Rodney S. Ridley ,  Gary M. Dolny ,  Bruce D. Marchant ,  Joseph A. Yedinak

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A field effect transistor includes a body region of a first conductivity type in a semiconductor region of a second conductivity type. A gate trench extends through the body region and terminating within the semiconductor region. A source region of the second conductivity type extends in the body region adjacent the gate trench. The source region and an interface between the body region and the semiconductor region define a channel region therebetween which extends along the gate trench sidewall. A channel enhancement region of the second conductivity type is formed adjacent the gate trench. The channel enhancement region partially extends into a lower portion of the channel region to thereby reduce a resistance of the channel region.

摘要翻译： 场效应晶体管包括在第二导电类型的半导体区域中的第一导电类型的体区。 栅极沟槽延伸穿过身体区域并终止在半导体区域内。 第二导电类型的源极区域在与栅极沟槽相邻的体区中延伸。 源极区域和主体区域和半导体区域之间的界面限定其间沿着栅极沟槽侧壁延伸的沟道区域。 第二导电类型的沟道增强区域形成在栅极沟槽附近。 沟道增强区域部分地延伸到沟道区的下部，从而减小沟道区的电阻。

公开(公告)号：US20110089432A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12974599

申请日：2010-12-21

申请人： Joseph A. Yedinak ,  Richard L. Woodin ,  Christopher Lawrence Rexer ,  Praveen Muraleedharan Shenoy ,  Kwanghoon Oh ,  Chongman Yun

发明人： Joseph A. Yedinak ,  Richard L. Woodin ,  Christopher Lawrence Rexer ,  Praveen Muraleedharan Shenoy ,  Kwanghoon Oh ,  Chongman Yun

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/87

摘要： An electrical device on a single semiconductor substrate includes: an open base vertical PNP transistor placed in parallel with a wide bandgap, high voltage diode wherein the PNP transistor has a P doped collector region, an N-doped base layer, an N doped buffer layer, and a P doped emitter layer.

摘要翻译： 单个半导体衬底上的电子器件包括：与宽带隙高压二极管并联放置的开放式基极垂直PNP晶体管，其中PNP晶体管具有P掺杂集电极区，N掺杂基极层，N掺杂缓冲层 和P掺杂发射极层。

公开(公告)号：US20090315040A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12536618

申请日：2009-08-06

申请人： Joseph A. Yedinak ,  Richard L. Woodin ,  Christopher Lawrence Rexer ,  Praveen Muraleedharan Shenoy ,  Kwanghoon Oh ,  Chongman Yun

发明人： Joseph A. Yedinak ,  Richard L. Woodin ,  Christopher Lawrence Rexer ,  Praveen Muraleedharan Shenoy ,  Kwanghoon Oh ,  Chongman Yun

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/87

摘要： A method and device for protecting wide bandgap devices from failing during suppression of voltage transients. An improvement in avalanche capability is achieved by placing one or more diodes, or a PNP transistor, across the blocking junction of the wide bandgap device.

摘要翻译： 一种用于在抑制电压瞬变期间保护宽带隙器件不发生故障的方法和装置。 通过在宽带隙器件的阻塞结上放置一个或多个二极管或PNP晶体管来实现雪崩能力的改善。

公开(公告)号：US07586156B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11828283

申请日：2007-07-25

申请人： Joseph A. Yedinak ,  Richard L. Woodin ,  Christopher Lawrence Rexer ,  Praveen Muraleedharan Shenoy ,  Kwanghoon Oh ,  Chongman Yun

发明人： Joseph A. Yedinak ,  Richard L. Woodin ,  Christopher Lawrence Rexer ,  Praveen Muraleedharan Shenoy ,  Kwanghoon Oh ,  Chongman Yun

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/87

摘要： A wide bandgap device in parallel with a device having a lower avalanche breakdown voltage and a higher forward voltage drop than the wide bandgap device.

摘要翻译： 宽带隙器件与具有比宽带隙器件更低的雪崩击穿电压和更高的正向压降的器件并联。