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    Semiconductor memory device and method of programming the same
    12.
    发明授权
    Semiconductor memory device and method of programming the same 有权
    半导体存储器件及其编程方法

    公开(公告)号：US07672154B2

    公开(公告)日：2010-03-02

    申请号：US12073678

    申请日：2008-03-07

    申请人： In-jun Hwang ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

    发明人： In-jun Hwang ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/1697 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

    摘要： Provided are a semiconductor memory device and a method of programming the same. The semiconductor memory device includes a mode input value generating unit and a logic operating unit. The mode input value generating unit changes a connection state between input values of a current driving circuit so as to correspond to each of at least two operating modes, and defines a logic function of a magnetic memory cell connected to the current driving circuit in response to each operating mode. The logic operating unit performs a logic operation on the logic functions of at least two magnetic memory cells defined according to each of the operating modes and generates a result of logic operation.

    摘要翻译： 提供一种半导体存储器件及其编程方法。 半导体存储器件包括模式输入值生成单元和逻辑运算单元。 模式输入值生成单元将当前驱动电路的输入值之间的连接状态改变为对应于至少两种操作模式中的每一种，并且响应于所述至少两种操作模式而连接到当前驱动电路的磁存储单元的逻辑功能 每个操作模式。 逻辑操作单元对根据每个操作模式定义的至少两个磁存储器单元的逻辑功能进行逻辑运算，并产生逻辑运算的结果。

    Oscillators and methods of operating the same
    13.
    发明授权
    Oscillators and methods of operating the same 有权
    振荡器和操作方法相同

    公开(公告)号：US08754717B2

    公开(公告)日：2014-06-17

    申请号：US13096627

    申请日：2011-04-28

    申请人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Un-hwan Pi ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

    发明人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Un-hwan Pi ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

    IPC分类号： H03B15/00 ,  B82Y25/00

    CPC分类号： H03B15/006 ,  B82Y25/00

    摘要： An oscillator and a method of operating the same are provided, the oscillator may include a free layer, a pinned layer on a first surface of the free layer, and a reference layer on a second surface of the free layer. The free layer may have a variable magnetization direction. The pinned layer may have a pinned magnetization direction. The reference layer may have a magnetization direction non-parallel to the magnetization direction of the pinned layer.

    摘要翻译： 提供了振荡器及其操作方法，振荡器可以包括自由层，自由层的第一表面上的钉扎层和自由层的第二表面上的参考层。 自由层可以具有可变的磁化方向。 被钉扎层可以具有钉扎的磁化方向。 参考层可以具有与被钉扎层的磁化方向不平行的磁化方向。

    Oscillators and methods of manufacturing and operating the same
    14.
    发明授权
    Oscillators and methods of manufacturing and operating the same 有权
    振荡器和制造和操作方法相同

    公开(公告)号：US08427246B2

    公开(公告)日：2013-04-23

    申请号：US12929932

    申请日：2011-02-25

    申请人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Ung-hwan Pi ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

    发明人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Ung-hwan Pi ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H03B15/006

    摘要： Oscillators and methods of manufacturing and operating the same are provided, the oscillators include a pinned layer, a free layer and a barrier layer having at least one filament between the pinned layer and the free layer. The pinned layer may have a fixed magnetization direction. The free layer corresponding to the pinned layer. The at least one filament in the barrier layer may be formed by applying a voltage between the pinned layer and the free layer. The oscillators may be operated by inducing precession of a magnetic moment of at least one region of the free layer that corresponds to the at least one filament, and detecting a resistance change of the oscillator due to the precession.

    摘要翻译： 提供了振荡器和制造和操作振荡器的方法，振荡器包括钉扎层，自由层和在被钉扎层和自由层之间具有至少一根细丝的阻挡层。 被钉扎层可以具有固定的磁化方向。 对应于钉扎层的自由层。 可以通过在被钉扎层和自由层之间施加电压来形成阻挡层中的至少一个细丝。 振荡器可以通过引起对应于至少一根灯丝的自由层的至少一个区域的磁矩的进动并且检测由于进动而引起的振荡器的电阻变化来操作。

    OSCILLATORS AND METHODS OF OPERATING THE SAME
    16.
    发明申请
    OSCILLATORS AND METHODS OF OPERATING THE SAME 有权
    振荡器及其操作方法

    公开(公告)号：US20120038430A1

    公开(公告)日：2012-02-16

    申请号：US13099684

    申请日：2011-05-03

    申请人： Kwang-seok Kim ,  Sung-chul Lee ,  Kee-won Kim ,  Sun-ae Seo ,  Ung-hwan Pi

    发明人： Kwang-seok Kim ,  Sung-chul Lee ,  Kee-won Kim ,  Sun-ae Seo ,  Ung-hwan Pi

    IPC分类号： H03B5/30

    CPC分类号： H03B15/006

    摘要： Oscillators and methods of operating the same, the oscillators include a pinned layer having a fixed magnetization direction, a first free layer over the pinned layer, and a second free layer over the first free layer. The oscillators are configured to generate a signal using precession of a magnetic moment of at least one of the first and second free layers.

    摘要翻译： 振荡器及其操作方法，振荡器包括具有固定磁化方向的钉扎层，被钉扎层上的第一自由层，以及在第一自由层上的第二自由层。 振荡器被配置为使用第一和第二自由层中的至少一个的磁矩的进动来产生信号。

    DATA STORAGE DEVICE USING MAGNETIC DOMAIN WALL MOVEMENT AND METHOD OF OPERATING THE SAME
    20.
    发明申请
    DATA STORAGE DEVICE USING MAGNETIC DOMAIN WALL MOVEMENT AND METHOD OF OPERATING THE SAME 有权
    使用磁畴壁移动的数据存储装置及其操作方法

    公开(公告)号：US20080137395A1

    公开(公告)日：2008-06-12

    申请号：US11764432

    申请日：2007-06-18

    申请人： In-jun Hwang ,  Young-jin Cho ,  Sung-hoon Choa ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

    发明人： In-jun Hwang ,  Young-jin Cho ,  Sung-hoon Choa ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

    IPC分类号： G11C19/00

    CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0841

    摘要： Provided are a data storage device using magnetic domain wall movement and a method of operating the data storage device. The data storage device includes a first magnetic layer for writing data having two magnetic domains magnetized in opposite directions to each other and a second magnetic layer for storing data formed on at least one side of the first magnetic layer. The data storage device may further include a data recording device connected to both ends of the first magnetic layer and the end of the second magnetic layer which is not adjacent to the first magnetic layer, a read head formed a predetermined distance from the end of the second magnetic layer which is not adjacent to the first magnetic layer, and a current detector connected to the read head and the data recording device.

    摘要翻译： 提供了使用磁畴壁移动的数据存储装置和操作数据存储装置的方法。 数据存储装置包括用于写入具有彼此相反方向磁化的两个磁畴的数据的第一磁性层和用于存储形成在第一磁性层的至少一侧上的数据的第二磁性层。 数据存储装置还可以包括连接到第一磁性层的两端和不与第一磁性层相邻的第二磁性层的端部的数据记录装置，从头部的端部形成预定距离的读取头 与第一磁性层不相邻的第二磁性层和连接到读取头和数据记录装置的电流检测器。