公开(公告)号：US08048752B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12179395

申请日：2008-07-24

申请人： Ming-Yuan Wu ,  Yi-Shien Mor ,  Chih-Tang Peng ,  Chiung-Han Yeh ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang ,  Mong-Song Liang

发明人： Ming-Yuan Wu ,  Yi-Shien Mor ,  Chih-Tang Peng ,  Chiung-Han Yeh ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang ,  Mong-Song Liang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A method of forming a semiconductor device includes providing a semiconductor substrate; forming a gate stack on the semiconductor substrate; forming a gate spacer adjacent to a sidewall of the gate stack; thinning the gate spacer; and forming a secondary gate spacer on a sidewall of the gate spacer after the step of thinning the gate spacer.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法包括提供半导体衬底; 在半导体衬底上形成栅叠层; 形成邻近所述栅叠层的侧壁的栅极间隔; 减薄栅间隔; 以及在所述栅极间隔物变薄的步骤之后，在所述栅极间隔物的侧壁上形成次级栅极间隔物。

公开(公告)号：US20100001369A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12471091

申请日：2009-05-22

申请人： Harry Chuang ,  Kong-Beng Thei ,  Chiung-Han Yeh ,  Mong-Song Liang ,  Hou-Ju Li ,  Ming-Yuan Wu

发明人： Harry Chuang ,  Kong-Beng Thei ,  Chiung-Han Yeh ,  Mong-Song Liang ,  Hou-Ju Li ,  Ming-Yuan Wu

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635

摘要： A semiconductor device is provided that includes a semiconductor substrate having a first region and a second region, transistors having metal gates formed in the first region, an isolation structure formed in the second region, at least one junction device formed proximate the isolation structure in the second region, and a stopping structure formed overlying the isolation structure in the second region.

摘要翻译： 提供一种半导体器件，其包括具有第一区域和第二区域的半导体衬底，在第一区域中形成有金属栅极的晶体管，形成在第二区域中的隔离结构，形成在隔离结构中的至少一个接合器件 第二区域，以及形成在第二区域中的隔离结构上方的停止结构。

公开(公告)号：US08461654B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US13270585

申请日：2011-10-11

申请人： Ming-Yuan Wu ,  Yi-Shien Mor ,  Chih-Tang Peng ,  Chiung-Han Yeh ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang ,  Mong-Song Liang

发明人： Ming-Yuan Wu ,  Yi-Shien Mor ,  Chih-Tang Peng ,  Chiung-Han Yeh ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang ,  Mong-Song Liang

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A method of forming a semiconductor device includes providing a semiconductor substrate; forming a gate stack on the semiconductor substrate; forming a gate spacer adjacent to a sidewall of the gate stack; thinning the gate spacer; and forming a secondary gate spacer on a sidewall of the gate spacer after the step of thinning the gate spacer.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法包括提供半导体衬底; 在半导体衬底上形成栅叠层; 形成邻近所述栅叠层的侧壁的栅极间隔; 减薄栅间隔; 以及在所述栅极间隔物变薄的步骤之后，在所述栅极间隔物的侧壁上形成次级栅极间隔物。

公开(公告)号：US20100285658A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12839994

申请日：2010-07-20

申请人： Chiung-Han Yeh ,  Ming-Yuan Wu ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang ,  Mong-Song Liang

发明人： Chiung-Han Yeh ,  Ming-Yuan Wu ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang ,  Mong-Song Liang

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/66606 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871

摘要： A method is provided that includes providing a substrate; forming a transistor in the substrate, the transistor having a dummy gate; forming a dielectric layer over the substrate and transistor; forming a contact feature in the dielectric layer; and after forming the contact feature, replacing the dummy gate of the transistor with a metal gate. An exemplary contact feature is a dual contact.

摘要翻译： 提供了一种提供基板的方法， 在衬底中形成晶体管，晶体管具有虚拟栅极; 在衬底和晶体管上形成介电层; 在介电层中形成接触特征; 并且在形成接触特征之后，用金属栅极替换晶体管的虚拟栅极。 示例性接触特征是双重接触。

公开(公告)号：US20100044783A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12276015

申请日：2008-11-21

申请人： Harry Chuang ,  Kong-Beng Thei ,  Chiung-Han Yeh ,  Ming-Yuan Wu ,  Mong-Song Liang

发明人： Harry Chuang ,  Kong-Beng Thei ,  Chiung-Han Yeh ,  Ming-Yuan Wu ,  Mong-Song Liang

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/7833

摘要： A method is provided for forming a metal gate using a gate last process. A trench is formed on a substrate. The profile of the trench is modified to provide a first width at the aperture of the trench and a second width at the bottom of the trench. The profile may be formed by including tapered sidewalls. A metal gate may be formed in the trench having a modified profile. Also provided is a semiconductor device including a gate structure having a larger width at the top of the gate than the bottom of the gate.

摘要翻译： 提供一种使用门最后工艺形成金属栅的方法。 在基板上形成沟槽。 沟槽的轮廓被修改以在沟槽的孔处提供第一宽度，并且在沟槽的底部提供第二宽度。 轮廓可以通过包括锥形侧壁形成。 金属栅极可以形成在具有改变的轮廓的沟槽中。 还提供了一种半导体器件，其包括在栅极顶部具有比栅极的底部更大的宽度的栅极结构。

公开(公告)号：US20120025329A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13270585

申请日：2011-10-11

申请人： Ming-Yuah Wu ,  Yi-Shien Mor ,  Chih-Tang Peng ,  Chiung-Han Yeh ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang ,  Mong-Song Liang

发明人： Ming-Yuah Wu ,  Yi-Shien Mor ,  Chih-Tang Peng ,  Chiung-Han Yeh ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang ,  Mong-Song Liang

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A method of forming a semiconductor device includes providing a semiconductor substrate; forming a gate stack on the semiconductor substrate; forming a gate spacer adjacent to a sidewall of the gate stack; thinning the gate spacer; and forming a secondary gate spacer on a sidewall of the gate spacer after the step of thinning the gate spacer.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法包括提供半导体衬底; 在半导体衬底上形成栅叠层; 形成邻近所述栅叠层的侧壁的栅极间隔; 减薄栅间隔; 以及在所述栅极间隔物变薄的步骤之后，在所述栅极间隔物的侧壁上形成次级栅极间隔物。

公开(公告)号：US08039381B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12477618

申请日：2009-06-03

申请人： Chiung-Han Yeh ,  Chen-Pin Hsu ,  Ming-Yuan Wu ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang

发明人： Chiung-Han Yeh ,  Chen-Pin Hsu ,  Ming-Yuan Wu ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/42376 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A method is provided for fabricating a semiconductor device. The method includes providing a substrate including a dummy gate structure formed thereon, removing the dummy gate structure to form a trench, forming a first metal layer over the substrate to fill a portion of the trench, forming a protection layer in a remaining portion of the trench, removing a unprotected portion of the first metal layer, removing the protection layer from the trench, and forming a second metal layer over the substrate to fill the trench.

摘要翻译： 提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括提供包括形成在其上的虚拟栅极结构的衬底，去除伪栅极结构以形成沟槽，在衬底上形成第一金属层以填充沟槽的一部分，在其中的一部分形成保护层 去除所述第一金属层的未受保护部分，从所述沟槽移除所述保护层，以及在所述衬底上形成第二金属层以填充所述沟槽。

公开(公告)号：US20100084715A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12470333

申请日：2009-05-21

申请人： Gary Shen ,  Ming-Yuan Wu ,  Chiung-Han Yeh ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang

发明人： Gary Shen ,  Ming-Yuan Wu ,  Chiung-Han Yeh ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/823828 ,  H01L23/585 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is provided which includes a semiconductor substrate having a first region and a second region, the first and second regions being isolated from each other, a plurality of transistors formed in the first region, an alignment mark formed in the second region, the alignment mark having a plurality of active regions in a first direction, and a dummy gate structure formed over the alignment mark, the dummy gate structure having a plurality of lines in a second direction different from the first direction.

摘要翻译： 提供一种半导体器件，其包括具有第一区域和第二区域的半导体衬底，第一和第二区域彼此隔离，形成在第一区域中的多个晶体管，形成在第二区域中的对准标记， 对准标记具有在第一方向上的多个有效区域，以及形成在所述对准标记上的伪栅极结构，所述伪栅极结构在与所述第一方向不同的第二方向上具有多条线。

公开(公告)号：US20100065926A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12477618

申请日：2009-06-03

申请人： Chiung-Han Yeh ,  Chen-Pin Hsu ,  Ming-Yuan Wu ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang

发明人： Chiung-Han Yeh ,  Chen-Pin Hsu ,  Ming-Yuan Wu ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42376 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A method is provided for fabricating a semiconductor device. The method includes providing a substrate including a dummy gate structure formed thereon, removing the dummy gate structure to form a trench, forming a first metal layer over the substrate to fill a portion of the trench, forming a protection layer in a remaining portion of the trench, removing a unprotected portion of the first metal layer, removing the protection layer from the trench, and forming a second metal layer over the substrate to fill the trench.

摘要翻译： 提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括提供包括形成在其上的虚拟栅极结构的衬底，去除伪栅极结构以形成沟槽，在衬底上形成第一金属层以填充沟槽的一部分，在其中的一部分形成保护层 去除所述第一金属层的未受保护部分，从所述沟槽移除所述保护层，以及在所述衬底上形成第二金属层以填充所述沟槽。

公开(公告)号：US08598630B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US12470333

申请日：2009-05-21

申请人： Gary Shen ,  Ming-Yuan Wu ,  Chiung-Han Yeh ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang

发明人： Gary Shen ,  Ming-Yuan Wu ,  Chiung-Han Yeh ,  Kong-Beng Thei ,  Harry Chuang

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/823828 ,  H01L23/585 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is provided which includes a semiconductor substrate having a first region and a second region, the first and second regions being isolated from each other, a plurality of transistors formed in the first region, an alignment mark formed in the second region, the alignment mark having a plurality of active regions in a first direction, and a dummy gate structure formed over the alignment mark, the dummy gate structure having a plurality of lines in a second direction different from the first direction.

摘要翻译： 提供一种半导体器件，其包括具有第一区域和第二区域的半导体衬底，第一和第二区域彼此隔离，形成在第一区域中的多个晶体管，形成在第二区域中的对准标记， 对准标记具有在第一方向上的多个有效区域，以及形成在所述对准标记上的伪栅极结构，所述伪栅极结构在与所述第一方向不同的第二方向上具有多条线。